Продукція > IKW

IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A

товар відсутній

IKW03N120H2

INF

TO-247

на замовлення 8640 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW03N120H2

Description: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W

товар відсутній

IKW03N120H2

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW03N120H2

INF

07+;

на замовлення 3145 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW03N120H2FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62.5mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW03N120H2FKSA1

Description: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W

товар відсутній

IKW03N120H2FKSA1

на замовлення 3415 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

219+	92.32 грн

Мінімальне замовлення: 219

IKW08N120

на замовлення 480 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW08N120CS7XKSA1

Description: INDUSTRY 14 PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns
Switching Energy: 370µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 52 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 106 W

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	430.78 грн
10+	372.79 грн

IKW08N120CS7XKSA1

IKW08N120CS7XKSA1 THT IGBT transistors

товар відсутній

IKW08N120CS7XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 335 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	464.6 грн
10+	411.25 грн
25+	338.3 грн
100+	293.01 грн

IKW08N120CS7XKSA1

Description: INFINEON - IKW08N120CS7XKSA1 - IGBT, 21 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 106W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	346.63 грн
10+	253.99 грн
100+	161.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW08T120
Код товару: 113720

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW08T120

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 8A

на замовлення 915 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	248.62 грн
10+	206.01 грн
25+	169.15 грн
100+	145.17 грн
240+	122.53 грн
1200+	110.55 грн
2640+	103.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW08T120

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW08T120

MODULE

на замовлення 100087 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW08T120FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW08T120FKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 8A; 70W; TO247-3
Turn-off time: 520ns
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Power dissipation: 70W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 53nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 63ns
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 63 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	247.42 грн
3+	210.92 грн
6+	176.47 грн
16+	166.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW08T120FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	280.79 грн
10+	253 грн
25+	243.97 грн
50+	214.13 грн
100+	182.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW08T120FKSA1

Description: INFINEON - IKW08T120FKSA1 - IGBT, Universal, 16 A, 2.2 V, 70 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 70W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99

на замовлення 348 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	268.94 грн
10+	147.17 грн
100+	124.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW08T120FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 142 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.9 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKW08T120FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

86+	136.47 грн
90+	130.62 грн
93+	125.64 грн
100+	117.04 грн

Мінімальне замовлення: 86

IKW08T120FKSA1

Description: IGBT 1200V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/450ns
Switching Energy: 1.37mJ
Test Condition: 600V, 8A, 81Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 70 W

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	248.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW08T120FKSA1
Код товару: 166948

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW08T120FKSA1

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 8A

на замовлення 244 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	249.39 грн
10+	206.77 грн
25+	132.52 грн
100+	117.2 грн
240+	116.54 грн
480+	110.55 грн
1200+	103.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW08T120FKSA1

на замовлення 63 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	206.18 грн
3+	169.26 грн
6+	147.06 грн
16+	138.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW15N120BH6

Infineon INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW15N120BH6XKSA1

Description: INFINEON - IKW15N120BH6XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.9 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	259.97 грн
10+	180.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW15N120BH6XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 374 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	232.3 грн
10+	222.09 грн
25+	157.83 грн
100+	135.85 грн
240+	135.18 грн
480+	102.55 грн
1200+	97.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW15N120BH6XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW15N120BH6XKSA1

Description: IGBT 1200 V 15A TO247-3-46
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 340 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/240ns
Switching Energy: 700µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 200 W

товар відсутній

IKW15N120BH6XKSA1
Код товару: 174089

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW15N120BH6XKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 92nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 15A

товар відсутній

IKW15N120BH6XKSA1

товар відсутній

IKW15N120BH6XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW15N120CS7XKSA1

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

товар відсутній

IKW15N120CS7XKSA1

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

товар відсутній

IKW15N120CS7XKSA1

Description: INFINEON - IKW15N120CS7XKSA1 - IGBT, 36 A, 1.65 V, 176 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 176
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 36
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	408.63 грн
10+	356.34 грн
100+	255.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW15N120CS7XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 116 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	410.99 грн
10+	369.89 грн
25+	279.03 грн
100+	244.4 грн
240+	237.74 грн
480+	181.8 грн
1200+	171.81 грн

IKW15N120CS7XKSA1

SP005419706

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	188.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW15N120CS7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	378.91 грн
30+	289.22 грн

IKW15N120H3

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	395.45 грн
10+	327.77 грн
25+	269.04 грн
100+	230.41 грн
240+	217.09 грн
480+	204.44 грн
1200+	174.48 грн

IKW15N120H3

Description: IKW15N120 - DISCRETE IGBT WITH A

товар відсутній

IKW15N120H3

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	393.47 грн
31+	376.56 грн
50+	362.22 грн
100+	337.43 грн

Мінімальне замовлення: 30

IKW15N120H3
Код товару: 100561

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW15N120H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2214 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

49+	238.95 грн
52+	228.68 грн
54+	219.97 грн
100+	204.92 грн
250+	183.98 грн
500+	171.82 грн
1000+	167.61 грн

Мінімальне замовлення: 49

IKW15N120H3FKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 260 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W

на замовлення 273 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	363.78 грн
30+	277.57 грн
120+	237.91 грн

IKW15N120H3FKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 75nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A

товар відсутній

IKW15N120H3FKSA1

Description: INFINEON - IKW15N120H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

товар відсутній

IKW15N120H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	600.23 грн
22+	535.74 грн
50+	463.32 грн
100+	422.85 грн
200+	375.58 грн

Мінімальне замовлення: 20

IKW15N120H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	296.67 грн
10+	288.08 грн
25+	213.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW15N120H3FKSA1

товар відсутній

IKW15N120H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW15N120H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	413.1 грн
34+	350.08 грн
49+	240.83 грн
100+	229.9 грн

Мінімальне замовлення: 29

IKW15N120H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	348.15 грн
10+	332.17 грн
25+	217.54 грн
100+	207.72 грн
240+	190.36 грн
480+	170.25 грн
1200+	162.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW15N120H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW15N120H3FKSA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	394.68 грн
10+	327.01 грн
25+	268.37 грн
100+	229.75 грн
240+	217.09 грн
480+	204.44 грн
1200+	174.48 грн

IKW15N120T2

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	458.39 грн
10+	418.91 грн
25+	237.07 грн
100+	205.77 грн
240+	181.13 грн
480+	168.48 грн
1200+	158.49 грн

IKW15N120T2
Код товару: 126256

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW15N120T2

IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

2+	310.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW15N120T2FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	235.93 грн
51+	229.23 грн
52+	218.8 грн
100+	198.7 грн

Мінімальне замовлення: 50

IKW15N120T2FKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW15N120T2FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	374.7 грн
34+	343.87 грн
50+	319.83 грн
100+	263.4 грн
480+	223.1 грн
720+	206.74 грн

Мінімальне замовлення: 32

IKW15N120T2FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW15N120T2FKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 6 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	497.53 грн
3+	431.35 грн
4+	319.65 грн
9+	302.17 грн

IKW15N120T2FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 872 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	366.56 грн
10+	337.79 грн
25+	336.4 грн
50+	312.88 грн
100+	257.68 грн
480+	218.25 грн
720+	202.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW15N120T2FKSA1

Description: IGBT 1200V 30A 235W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/362ns
Switching Energy: 2.05mJ
Test Condition: 600V, 15A, 41.8Ohm, 15V
Gate Charge: 93 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 235 W

товар відсутній

IKW15N120T2FKSA1

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	414.61 грн
3+	346.15 грн
4+	266.37 грн

IKW15N120T2FKSA1

Description: INFINEON - IKW15N120T2FKSA1 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 235 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 235W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 462 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	413.11 грн
10+	296.58 грн
100+	225.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW15N120T2FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	219.07 грн
10+	214.96 грн
25+	212.86 грн
50+	203.17 грн
100+	184.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW15N120T2FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	167.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW15T120
Код товару: 119901

Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 1200 V
Vce: 1,7 V
Ic 25: 30 A
Ic 100: 15 A
Pd 25: 110 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 50/520

у наявності 48 шт:

22 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	155 грн
10+	144 грн

IKW15T120

Description: IKW15T120 - DISCRETE IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 110 W

товар відсутній

IKW15T120

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A

товар відсутній

IKW15T120 E8161

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A

товар відсутній

IKW15T120FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 14730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	318.27 грн
3000+	314.99 грн
6000+	311.81 грн
9000+	297.51 грн

Мінімальне замовлення: 37

IKW15T120FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 14733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKW15T120FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 14730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	296.39 грн
3000+	293.34 грн
6000+	290.37 грн
9000+	277.06 грн

Мінімальне замовлення: 240

IKW15T120FKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW15T120FKSA1

Description: IGBT 1200V 30A 110W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns
Switching Energy: 2.7mJ
Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 110 W

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	272.3 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW15T120T2

MODULE

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW20N60H3

IGBT Transistors 600V 20A 170W

товар відсутній

IKW20N60H3

Description: IKW20N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/194ns
Switching Energy: 560µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W

товар відсутній

IKW20N60H3

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW20N60H3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	406.76 грн
46+	258.93 грн
56+	210.33 грн
100+	189.42 грн

Мінімальне замовлення: 29

IKW20N60H3FKSA1

IGBT Transistors 600V 20A 170W

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 175-184 дні (днів)

2+	200.45 грн
10+	176.91 грн
25+	135.18 грн
100+	116.54 грн
240+	110.55 грн
480+	88.57 грн
1200+	83.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW20N60H3FKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/194ns
Switching Energy: 800µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W

товар відсутній

IKW20N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 227 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKW20N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW20N60H3FKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 4 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	316.45 грн
3+	274.89 грн
5+	202.28 грн
14+	191.46 грн

IKW20N60H3FKSA1

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	263.71 грн
3+	220.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW20N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

63+	185.53 грн
73+	160.4 грн
78+	151.45 грн
100+	127.86 грн

Мінімальне замовлення: 63

IKW20N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW20N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 227 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	171.13 грн
10+	147.94 грн
25+	139.68 грн
100+	117.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKW20N60T

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A

на замовлення 861 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	260.27 грн
10+	215.2 грн
25+	176.47 грн
100+	151.83 грн
240+	142.51 грн
480+	134.52 грн
1200+	114.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW20N60T
Код товару: 187316

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW20N60T E8161

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A

товар відсутній

IKW20N60TA

Description: IKW20N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W

товар відсутній

IKW20N60TA

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop

товар відсутній

IKW20N60TAFKSA1

Description: IGBT 600V 40A 166W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W

товар відсутній

IKW20N60TAFKSA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

товар відсутній

IKW20N60TAFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW20N60TAFKSA1

Description: IGBT 600V 40A 166W TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W

на замовлення 347 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	151.66 грн

Мінімальне замовлення: 132

IKW20N60TAFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW20N60TFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	223.22 грн
10+	197.67 грн
25+	184.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW20N60TFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	188 грн
10+	173.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKW20N60TFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 508 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	275.84 грн
50+	236.86 грн
54+	217.48 грн
100+	181.96 грн
240+	147.91 грн
480+	123.59 грн

Мінімальне замовлення: 43

IKW20N60TFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW20N60TFKSA1
Код товару: 188050

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW20N60TFKSA1

Description: INFINEON - IKW20N60TFKSA1 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 166 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 166W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 1234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	306.29 грн
10+	218.14 грн
100+	165.1 грн
500+	142.9 грн
1000+	121.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW20N60TFKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W

на замовлення 258 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	239.16 грн
30+	182.51 грн
120+	156.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW20N60TFKSA1

40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode IKW20N60T TIKW20n60t
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 15 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	158.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKW20N60TFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 403 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

63+	186.75 грн
71+	166.32 грн
100+	160.49 грн
200+	153.82 грн

Мінімальне замовлення: 63

IKW20N60TFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 508 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	256.14 грн
10+	219.94 грн
25+	201.95 грн
100+	168.96 грн
240+	137.35 грн
480+	114.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW20N60TFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKW20N60TFKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKW20N60TFKSA1

товар відсутній

IKW20N60TFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKW20N60TFKSA1

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A

на замовлення 385 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	260.27 грн
10+	226.68 грн
25+	180.47 грн
100+	155.16 грн
480+	114.54 грн
1200+	108.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW20N65ET7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/210ns
Switching Energy: 360µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	232.68 грн
30+	177.72 грн
120+	152.34 грн
510+	127.08 грн
1020+	108.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW20N65ET7XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 4170 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	253.28 грн
10+	209.07 грн
25+	172.48 грн
100+	147.17 грн
240+	138.51 грн
480+	130.52 грн
1200+	105.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW20N65ET7XKSA1

IGBT with Anti-parallel Diode

товар відсутній

IKW20N65ET7XKSA1

SP005348286

товар відсутній

IKW20N65ET7XKSA1
Код товару: 178407

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW20N65ET7XKSA1

Description: INFINEON - IKW20N65ET7XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 136 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	265.2 грн
10+	193.48 грн
100+	123.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW25N120CS7XKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 38ns
Turn-off time: 490ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKW25N120CS7XKSA1

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

на замовлення 2377 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	398.04 грн
10+	352.25 грн
25+	324.9 грн
50+	312.23 грн
100+	257.67 грн
480+	234.51 грн
720+	202.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW25N120CS7XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 447 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	442.07 грн
10+	372.96 грн
25+	295.01 грн
100+	270.37 грн
240+	254.39 грн
480+	239.07 грн
1200+	215.1 грн

IKW25N120CS7XKSA1

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

товар відсутній

IKW25N120CS7XKSA1

товар відсутній

IKW25N120CS7XKSA1

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	328.48 грн

Мінімальне замовлення: 240

IKW25N120CS7XKSA1

SP005419560

на замовлення 2377 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	225.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW25N120CS7XKSA1

Description: INFINEON - IKW25N120CS7XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	481.1 грн
5+	410.87 грн
10+	339.9 грн
50+	294.12 грн
100+	251.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW25N120CS7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	560.44 грн
30+	430.82 грн

IKW25N120CS7XKSA1

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

товар відсутній

IKW25N120CS7XKSA1

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

на замовлення 2376 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	395.53 грн
34+	350.02 грн
37+	322.85 грн
50+	310.26 грн
100+	256.04 грн
480+	233.03 грн
720+	201.66 грн

Мінімальне замовлення: 30

IKW25N120H3

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	381.47 грн
32+	365.07 грн
50+	351.17 грн
100+	327.14 грн
250+	293.71 грн

Мінімальне замовлення: 31

IKW25N120H3
Код товару: 113551

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW25N120H3

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 1484 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	445.18 грн
10+	376.02 грн
25+	296.34 грн
100+	272.37 грн
240+	255.72 грн
480+	239.74 грн
1200+	215.76 грн

IKW25N120H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 203 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	511.61 грн
26+	462.98 грн
50+	405.6 грн
100+	372.35 грн
200+	331.74 грн

Мінімальне замовлення: 23

IKW25N120H3FKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	507.99 грн
3+	361.41 грн
7+	341.99 грн

IKW25N120H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1597 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	226.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW25N120H3FKSA1

Description: INFINEON - IKW25N120H3FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.4 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	494.54 грн
5+	422.08 грн
10+	348.87 грн
50+	302.45 грн
100+	258.69 грн
250+	218.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW25N120H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	402.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW25N120H3FKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 290 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W

на замовлення 399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	409.17 грн
30+	314.56 грн
120+	281.47 грн

IKW25N120H3FKSA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 480 шт:

термін постачання 175-184 дні (днів)

1+	435.85 грн
10+	403.59 грн
25+	297.67 грн
100+	269.7 грн
240+	263.04 грн
480+	215.76 грн
1200+	205.77 грн

IKW25N120H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW25N120H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKW25N120H3FKSA1

на замовлення 25 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	609.59 грн
3+	450.37 грн
7+	410.38 грн

IKW25N120H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW25N120H3XK

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 510 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	414.88 грн
10+	359.17 грн
25+	285.02 грн
100+	264.38 грн
240+	249.73 грн
480+	235.08 грн
1200+	215.76 грн

IKW25N120T2
Код товару: 39789

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW25N120T2

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A

на замовлення 5 шт:

термін постачання 175-184 дні (днів)

1+	432.75 грн
10+	419.67 грн
25+	293.01 грн
100+	273.7 грн
240+	273.03 грн
480+	221.76 грн
1200+	212.43 грн

IKW25N120T2FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	329.22 грн
42+	280.75 грн
120+	275.38 грн

Мінімальне замовлення: 36

IKW25N120T2FKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW25N120T2FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	617.63 грн
21+	558.3 грн
50+	490.22 грн
100+	450.2 грн
200+	401.22 грн

Мінімальне замовлення: 19

IKW25N120T2FKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 156 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	681.3 грн
3+	450.37 грн
7+	410.38 грн
100+	394.57 грн

IKW25N120T2FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	305.71 грн
30+	260.69 грн
120+	255.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW25N120T2FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	305.12 грн
40+	292.01 грн
50+	280.89 грн
100+	261.66 грн

Мінімальне замовлення: 39

IKW25N120T2FKSA1

на замовлення 156 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	567.75 грн
3+	361.41 грн
7+	341.99 грн
100+	328.81 грн

IKW25N120T2FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW25N120T2FKSA1

Description: INFINEON - IKW25N120T2FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	502.76 грн
5+	445.24 грн
10+	386.97 грн
50+	312.16 грн
100+	244.6 грн
250+	239.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW25N120T2FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW25N120T2FKSA1

Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 2.9mJ
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W

на замовлення 306 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	421.41 грн
30+	324.07 грн
120+	289.95 грн

IKW25N120T2FKSA1

50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode IKW25N120T2 TIKW25n120t2
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 6 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	264.9 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKW25N120T2XK

Description: IGBT, 50A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 1.55mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W

товар відсутній

IKW25T120

Description: IKW25T120 - DISCRETE IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 190 W

товар відсутній

IKW25T120

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A

на замовлення 1499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	473.92 грн
10+	400.53 грн
25+	315.65 грн
100+	289.68 грн
240+	272.37 грн
480+	255.05 грн
1200+	241.73 грн

IKW25T120
Код товару: 175269

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW25T120FKSA1

1200V 50A 190W IKW25T120FKSA1 INFINEON IKW25T120 TIKW25t120
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 5 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	237.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKW25T120FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 558 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

48+	247.13 грн
50+	228.06 грн
52+	195.05 грн
100+	188.38 грн
250+	182.71 грн

Мінімальне замовлення: 48

IKW25T120FKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 155nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Collector current: 50A

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	467.65 грн
3+	310.77 грн
8+	294.12 грн

IKW25T120FKSA1

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A

на замовлення 2094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	368.26 грн
10+	359.17 грн
25+	253.06 грн
100+	234.41 грн
240+	219.09 грн

IKW25T120FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	192.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW25T120FKSA1

Description: INFINEON - IKW25T120FKSA1 - IGBT, Universal, 50 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	380.24 грн
5+	333.93 грн
10+	286.86 грн
50+	247.64 грн
100+	210.67 грн
250+	206.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW25T120FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	282.8 грн
10+	263.94 грн
25+	257.44 грн
50+	245.74 грн
100+	200.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW25T120FKSA1

на замовлення 27 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	561.18 грн
3+	387.27 грн
8+	352.95 грн
120+	347.95 грн

IKW25T120FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	757.97 грн
18+	676.61 грн
50+	585.34 грн
100+	534.78 грн
200+	474.79 грн

Мінімальне замовлення: 16

IKW25T120FKSA1

Description: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 4.2mJ
Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 190 W

на замовлення 205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	435.82 грн
30+	335.03 грн
120+	299.76 грн

IKW25T120FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	321.25 грн
10+	291.14 грн
25+	280.71 грн
50+	267.96 грн
100+	209.54 грн
480+	199.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW25T120FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW25T120FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	304.56 грн
42+	284.25 грн
43+	277.24 грн
50+	264.64 грн
100+	216.41 грн

Мінімальне замовлення: 39

IKW25T120T2

MODULE

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW30N60DTP

Description: HIGH SPEED IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns
Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 200 W

товар відсутній

IKW30N60DTP

на замовлення 91440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW30N60DTP

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW30N60DTPXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

74+	158.74 грн
85+	137.91 грн
100+	130.96 грн

Мінімальне замовлення: 74

IKW30N60DTPXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N60DTPXKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 389 шт:

термін постачання 175-184 дні (днів)

2+	174.81 грн
25+	151.63 грн
100+	112.54 грн
240+	111.88 грн
480+	85.24 грн
1200+	80.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N60DTPXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	156.45 грн
86+	137.05 грн
105+	111.19 грн
107+	106.15 грн
240+	97.3 грн
480+	79.63 грн

Мінімальне замовлення: 75

IKW30N60DTPXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	156.58 грн
10+	137.17 грн
25+	111.28 грн
100+	106.24 грн
240+	97.38 грн
480+	79.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKW30N60DTPXKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 53A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns
Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 200 W

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.93 грн
30+	135.96 грн
120+	116.54 грн
510+	97.22 грн
1020+	83.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N60DTPXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N60DTPXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	179.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKW30N60H3

IGBT Transistors 600V 30A 187W

на замовлення 1567 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	238.52 грн
10+	197.58 грн
25+	162.49 грн
100+	138.51 грн
240+	130.52 грн
480+	122.53 грн
1200+	105.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N60H3
Код товару: 94542

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW30N60H3

60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 1 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	119.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKW30N60H3

60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	119.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKW30N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 676 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	216.4 грн
58+	204.54 грн
68+	173.99 грн
100+	151.57 грн
240+	135.36 грн
480+	106.99 грн

Мінімальне замовлення: 54

IKW30N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	286.93 грн
47+	251.92 грн
59+	200.37 грн
100+	192.27 грн
200+	169.35 грн
480+	153.4 грн

Мінімальне замовлення: 41

IKW30N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N60H3FKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 38 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns
Switching Energy: 1.38mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W

на замовлення 247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	219.71 грн
30+	167.29 грн
120+	143.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	163.02 грн
74+	158.97 грн
80+	146.6 грн
100+	133.93 грн

Мінімальне замовлення: 72

IKW30N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 616 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW30N60H3FKSA1

IGBT Transistors 600V 30A 187W

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	238.52 грн
10+	212.9 грн
25+	153.17 грн
100+	133.85 грн
240+	133.19 грн
480+	118.54 грн
1200+	99.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 676 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	198.92 грн
10+	188.01 грн
25+	159.93 грн
100+	139.32 грн
240+	124.42 грн
480+	98.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW30N60H3FKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	266.69 грн
5+	170.65 грн
13+	161.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	151.37 грн
10+	147.61 грн
25+	136.13 грн
100+	124.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKW30N60H3FKSA1

Description: INFINEON - IKW30N60H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 631 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	256.24 грн
10+	179.29 грн
100+	162.11 грн
500+	134.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW30N60H3FKSA1

на замовлення 65 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	320.03 грн
5+	212.65 грн
13+	193.95 грн

IKW30N60T

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	317.76 грн
10+	263.44 грн
25+	216.43 грн
100+	185.13 грн
240+	173.81 грн
480+	163.82 грн
1200+	140.51 грн

IKW30N60T

Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	350.34 грн
35+	335.28 грн
50+	322.52 грн
100+	300.44 грн

Мінімальне замовлення: 34

IKW30N60T
Код товару: 99658

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW30N60T

Description: IKW30N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W

товар відсутній

IKW30N60TA

IGBT Transistors IGBT TrnchStp w/Soft Fast recovery

на замовлення 243 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IKW30N60TAFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N60TAFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N60TAFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	209.54 грн
6+	96.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW30N60TAFKSA1

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W

товар відсутній

IKW30N60TFKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W

на замовлення 2094 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	292.47 грн
30+	223.13 грн
120+	191.26 грн
510+	159.55 грн
1020+	136.61 грн
2010+	128.63 грн

IKW30N60TFKSA1

45A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode IKW30N60T TIKW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 25 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	234.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKW30N60TFKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKW30N60TFKSA1

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A

на замовлення 1384 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	317.76 грн
10+	285.65 грн
25+	212.43 грн
100+	183.13 грн
240+	179.14 грн
480+	140.51 грн
1200+	132.52 грн

IKW30N60TFKSA1

Description: INFINEON - IKW30N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 60 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 618 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	373.52 грн
10+	227.1 грн
100+	173.31 грн
500+	156.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N60TFKSA1

товар відсутній

IKW30N60TFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N60TFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	145.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW30N65EL5XKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 62A
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKW30N65EL5XKSA1

IGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5

на замовлення 3080 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	355.05 грн
10+	294.08 грн
25+	241.07 грн
100+	180.47 грн
240+	149.84 грн
1200+	147.84 грн

IKW30N65EL5XKSA1

Description: INFINEON - IKW30N65EL5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 227W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 1176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	355.59 грн
10+	254.74 грн
100+	162.86 грн
500+	148.45 грн
1000+	134.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW30N65EL5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N65EL5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 213 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	157.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N65EL5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	499.02 грн
28+	422.64 грн
50+	321.44 грн
200+	290.83 грн

Мінімальне замовлення: 24

IKW30N65EL5XKSA1

Description: IGBT 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/308ns
Switching Energy: 470µJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 227 W

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	326.32 грн
30+	249.17 грн

IKW30N65EL5XKSA1

товар відсутній

IKW30N65EL5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N65ES5

на замовлення 22080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW30N65ES5

IGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT

на замовлення 1528 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	296.79 грн
10+	245.83 грн
25+	201.11 грн
100+	172.48 грн
240+	163.15 грн
480+	153.83 грн
1200+	136.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	216.33 грн
10+	197.11 грн
25+	190.61 грн
100+	168.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW30N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1602 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

59+	198.25 грн
65+	182.09 грн
67+	176.51 грн
100+	156.64 грн
240+	140.25 грн
480+	121.78 грн
1200+	117.3 грн

Мінімальне замовлення: 59

IKW30N65ES5XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 169 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	280.47 грн
10+	261.91 грн
25+	195.12 грн
100+	169.81 грн
240+	169.15 грн
480+	131.19 грн
1200+	123.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N65ES5XKSA1

Description: IGBT TRENCH 650V 62A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W

на замовлення 1783 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	273.74 грн
30+	208.75 грн
120+	178.94 грн
510+	149.27 грн
1020+	127.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1604 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	200.36 грн
10+	184.02 грн
25+	178.39 грн
100+	158.31 грн
240+	141.74 грн
480+	123.08 грн
1200+	118.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW30N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

51+	232.97 грн
55+	212.27 грн
57+	205.27 грн
100+	180.98 грн

Мінімальне замовлення: 51

IKW30N65ES5XKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 39.5A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	354.85 грн
3+	296.2 грн
4+	215.74 грн
11+	203.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N65ES5XKSA1

Description: INFINEON - IKW30N65ES5XKSA1 - IGBT, 62 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 62A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	395.93 грн
10+	321.23 грн
25+	262.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	390.89 грн
36+	331.36 грн
50+	251.99 грн
100+	242.04 грн
200+	211.71 грн

Мінімальне замовлення: 30

IKW30N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW30N65ES5XKSA1

на замовлення 30 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	425.81 грн
3+	369.11 грн
4+	258.88 грн
11+	244.73 грн

IKW30N65ET7XKSA1

Description: INFINEON - IKW30N65ET7XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A

на замовлення 588 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	320.48 грн
10+	227.1 грн
100+	153.89 грн
500+	138.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW30N65ET7XKSA1

IKW30N65ET7

товар відсутній

IKW30N65ET7XKSA1

IGBT with Anti-parallel Diode

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	411.72 грн
32+	367.08 грн
50+	335.33 грн
100+	293.7 грн
200+	270.17 грн

Мінімальне замовлення: 29

IKW30N65ET7XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 1234 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	298.34 грн
10+	247.36 грн
25+	202.44 грн
100+	173.14 грн
240+	163.82 грн
480+	134.52 грн
1200+	125.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N65ET7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/245ns
Switching Energy: 590µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	275.18 грн
30+	209.93 грн
120+	179.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N65H5

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW30N65H5

на замовлення 8 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW30N65H5XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 204 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	294.45 грн
10+	270.34 грн
25+	200.45 грн
100+	172.48 грн
240+	164.49 грн
480+	129.86 грн
1200+	123.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N65H5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N65H5XKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 35A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 209ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKW30N65H5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N65H5XKSA1

товар відсутній

IKW30N65H5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	419.66 грн
32+	368.07 грн
50+	332.36 грн
100+	288.91 грн
200+	264.86 грн

Мінімальне замовлення: 28

IKW30N65H5XKSA1

Description: IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/190ns
Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W

на замовлення 333 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	271.58 грн
30+	207.16 грн
120+	177.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N65H5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N65H5XKSA1

Description: INFINEON - IKW30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A

на замовлення 245 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	323.47 грн
10+	232.33 грн
100+	153.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW30N65NL5

Description: IKW30N65 - DISCRETE IGBT WITH AN

товар відсутній

IKW30N65NL5XKSA1

Description: INFINEON - IKW30N65NL5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 85
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товар відсутній

IKW30N65NL5XKSA1

IGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5

на замовлення 2403 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	405.55 грн
10+	340.03 грн
100+	256.39 грн
240+	243.07 грн

IKW30N65NL5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N65NL5XKSA1

Description: IGBT 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 59ns/283ns
Switching Energy: 560µJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 227 W

товар відсутній

IKW30N65NL5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	215.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW30N65WR5

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

товар відсутній

IKW30N65WR5

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW30N65WR5XKSA1

Description: INFINEON - IKW30N65WR5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.4 V, 185 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	221.12 грн
10+	156.13 грн
100+	121.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKW30N65WR5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N65WR5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N65WR5XKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 36 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	335.27 грн
3+	290.45 грн
5+	219.76 грн
13+	207.27 грн

IKW30N65WR5XKSA1

Description: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/367ns
Switching Energy: 990µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 185 W

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.25 грн
30+	139.29 грн
120+	119.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N65WR5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW30N65WR5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	336.33 грн
40+	296.64 грн
50+	262.91 грн
100+	229.6 грн
200+	210.82 грн

Мінімальне замовлення: 35

IKW30N65WR5XKSA1

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

на замовлення 166 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	204.33 грн
10+	183.8 грн
25+	139.18 грн
100+	119.2 грн
240+	116.54 грн
480+	90.57 грн
1200+	85.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW30N65WR5XKSA1

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	279.39 грн
3+	233.08 грн
5+	183.13 грн
13+	172.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N120CH7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N120CH7XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 719 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	527.53 грн
10+	445.71 грн
25+	351.61 грн
100+	322.98 грн
240+	303.67 грн
480+	284.35 грн
1200+	255.72 грн

IKW40N120CH7XKSA1

Description: INFINEON - IKW40N120CH7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.7 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	605.85 грн
5+	519.94 грн
10+	433.28 грн
50+	375.28 грн
100+	320.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N120CH7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N120CH7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/336ns
Switching Energy: 1.69mJ (on), 920µJ (off)
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 330 W

товар відсутній

IKW40N120CH7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N120CS6

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW40N120CS6XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	667.69 грн
24+	487.13 грн
50+	431.56 грн
100+	391.28 грн
200+	341.04 грн

Мінімальне замовлення: 18

IKW40N120CS6XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	299.31 грн

Мінімальне замовлення: 39

IKW40N120CS6XKSA1

Description: INFINEON - IKW40N120CS6XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	559.54 грн
5+	478.85 грн
10+	397.43 грн
50+	344.76 грн
100+	295.83 грн
250+	290.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N120CS6XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4078 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	324.28 грн
10+	307.66 грн
25+	290.39 грн
50+	278.9 грн
100+	242.95 грн
480+	218.62 грн
720+	197.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N120CS6XKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	536.38 грн
3+	343.37 грн
7+	324.64 грн

IKW40N120CS6XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	208.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N120CS6XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 4078 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	267.12 грн

Мінімальне замовлення: 44

IKW40N120CS6XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/315ns
Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 285 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W

на замовлення 511 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	451.67 грн
30+	347.26 грн
120+	310.71 грн
510+	257.28 грн

IKW40N120CS6XKSA1
Код товару: 193315

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товар відсутній

IKW40N120CS6XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	327.89 грн
10+	312.07 грн
25+	295.45 грн
50+	283.85 грн
100+	248.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N120CS6XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 384 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	431.97 грн
10+	421.2 грн
25+	296.34 грн
100+	270.37 грн
240+	269.04 грн
480+	227.75 грн

IKW40N120CS6XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	409.38 грн
10+	375.91 грн
25+	343.68 грн
50+	328.51 грн
100+	277.89 грн
480+	243.37 грн
720+	212.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N120CS6XKSA1

на замовлення 39 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	643.65 грн
3+	427.9 грн
7+	389.57 грн

IKW40N120CS6XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

51+	229.15 грн

Мінімальне замовлення: 51

IKW40N120CS7XKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKW40N120CS7XKSA1

SP005415716

товар відсутній

IKW40N120CS7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 175 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/190ns
Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.75mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 357 W

на замовлення 207 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	510.74 грн
30+	392.76 грн
120+	351.43 грн

IKW40N120CS7XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 291 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	554.72 грн
10+	503.91 грн
25+	374.92 грн
100+	340.29 грн
240+	319.65 грн
480+	299.67 грн
1200+	257.05 грн

IKW40N120CS7XKSA1

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	438.58 грн
10+	402.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N120CS7XKSA1

товар відсутній

IKW40N120CS7XKSA1

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

товар відсутній

IKW40N120CS7XKSA1

IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKW40N120CS7XKSA1

Description: INFINEON - IKW40N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 357 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 357W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 387 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	531.15 грн
5+	475.12 грн
10+	418.34 грн
50+	369.73 грн
100+	324 грн
250+	285.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N120H3

80A; 1200V; 483W; IGBT w/ Diode IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 75 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	307.66 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKW40N120H3
Код товару: 153177

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW40N120H3

High speed Trans IGBT Chip

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	508.53 грн
25+	486.68 грн
50+	468.15 грн
100+	436.11 грн
250+	391.55 грн

Мінімальне замовлення: 23

IKW40N120H3

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 2982 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	577.26 грн
10+	487.83 грн
25+	384.91 грн
100+	353.61 грн
240+	331.64 грн
480+	311.66 грн
1200+	303.67 грн

IKW40N120H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	825.43 грн
16+	737.14 грн
50+	636.93 грн
100+	581.66 грн
200+	516.43 грн
960+	493.22 грн
1920+	435.39 грн

Мінімальне замовлення: 15

IKW40N120H3FKSA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 478 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	558.61 грн
10+	491.66 грн
25+	376.92 грн
100+	353.61 грн
240+	310.33 грн
480+	279.69 грн
1200+	267.71 грн

IKW40N120H3FKSA1

Description: INFINEON - IKW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 483W
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -

на замовлення 13950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	643.2 грн
5+	552.81 грн
10+	461.67 грн
50+	400.25 грн
100+	342.57 грн
250+	320.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N120H3FKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKW40N120H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N120H3FKSA1

товар відсутній

IKW40N120H3FKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 4.4mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 483 W

на замовлення 6522 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	531.63 грн
30+	408.32 грн
120+	365.35 грн
510+	302.53 грн
1020+	272.28 грн
2010+	255.13 грн

IKW40N120H3FKSA1
Код товару: 144428

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW40N120T2
Код товару: 73806

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW40N120T2

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 25 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	401.2 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKW40N120T2

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	528.14 грн
25+	505.45 грн
50+	486.19 грн
100+	452.92 грн
250+	406.65 грн
500+	379.77 грн

Мінімальне замовлення: 23

IKW40N120T2

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A

на замовлення 2371 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	624.65 грн
10+	527.65 грн
25+	416.21 грн
100+	382.25 грн
240+	359.61 грн
480+	337.63 грн
1200+	303.67 грн

IKW40N120T2
Код товару: 150870

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW40N120T2FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	546.81 грн
10+	484.28 грн
25+	456.47 грн
100+	392.32 грн
240+	347.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N120T2FKSA1

Description: INFINEON - IKW40N120T2FKSA1 - IGBT, 75 A, 1.75 V, 480 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 565 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	648.43 грн
5+	558.04 грн
10+	466.9 грн
50+	404.42 грн
100+	345.77 грн
250+	291.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N120T2FKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	619.3 грн
2+	440.49 грн
6+	416.21 грн

IKW40N120T2FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	305.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N120T2FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N120T2FKSA1

Description: IGBT 1200V 75A 480W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 258 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/314ns
Switching Energy: 5.25mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 192 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 480 W

на замовлення 1991 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	575.57 грн
30+	442.38 грн
120+	395.83 грн
510+	327.76 грн
1020+	294.99 грн

IKW40N120T2FKSA1

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A

на замовлення 457 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	624.65 грн
10+	606.53 грн
25+	427.53 грн
100+	382.25 грн
240+	380.25 грн
480+	303 грн
1200+	290.35 грн

IKW40N120T2FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	390.32 грн
32+	373.55 грн
50+	359.32 грн
100+	334.73 грн
250+	300.53 грн

Мінімальне замовлення: 30

IKW40N120T2FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	718.28 грн
18+	648.84 грн
50+	569.47 грн
100+	522.34 грн
200+	465.93 грн
960+	413.28 грн
1920+	368.21 грн

Мінімальне замовлення: 17

IKW40N120T2FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N120T2FKSA1

на замовлення 40 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	743.16 грн
2+	548.92 грн
6+	499.45 грн

IKW40N60DTP

на замовлення 21840 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW40N60DTP

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW40N60DTPXKSA1

IKW40N60DT Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW TO-247

на замовлення 20 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

IKW40N60DTPXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N60DTPXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	221.7 грн
10+	192.97 грн
25+	187.27 грн
100+	147.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW40N60DTPXKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW40N60DTPXKSA1

Description: INFINEON - IKW40N60DTPXKSA1 - IGBT, 67 A, 1.6 V, 246 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
Verlustleistung Pd: 246
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP
DC-Kollektorstrom: 67
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IKW40N60DTPXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N60DTPXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

104+	112.97 грн
109+	107.92 грн

Мінімальне замовлення: 104

IKW40N60DTPXKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 67A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/222ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 610µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10.1Ohm, 15V
Gate Charge: 177 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 246 W

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	204.58 грн
30+	156.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N60H3

IGBT Transistors 600V 40A 306W

на замовлення 306 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	379.92 грн
10+	314.75 грн
25+	249.73 грн
100+	227.75 грн
240+	193.12 грн
1200+	168.48 грн
2640+	167.82 грн

IKW40N60H3
Код товару: 128556

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW40N60H3

Description: IKW40N60 - DISCRETE IGBT WITH AN

товар відсутній

IKW40N60H3

на замовлення 243 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW40N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N60H3FKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 124 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/197ns
Switching Energy: 1.68mJ
Test Condition: 400V, 40A, 7.9Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W

на замовлення 1292 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	350.1 грн
30+	267.25 грн
120+	229.07 грн
510+	191.09 грн
1020+	163.62 грн

IKW40N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	500.02 грн
27+	445.46 грн
50+	406.76 грн
100+	356.83 грн
200+	327.75 грн

Мінімальне замовлення: 24

IKW40N60H3FKSA1

Description: INFINEON - IKW40N60H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 306 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A

на замовлення 153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	417.6 грн
10+	301.06 грн
100+	194.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N60H3FKSA1

IKW40N60H3 IGBT 600V 80A 306.0W TO247-3

на замовлення 50 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

IKW40N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N60H3FKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW40N60H3FKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	410.13 грн
3+	342.68 грн
4+	262.21 грн
9+	247.64 грн

IKW40N60H3FKSA1

на замовлення 40 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	492.15 грн
3+	427.03 грн
4+	314.65 грн
9+	297.17 грн

IKW40N60H3FKSA1 (TO-247, Infineon) IGBT N-ch 600V/80A
Код товару: 160842

Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V

товар відсутній

IKW40N65ES5

IGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT

на замовлення 310 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	350.39 грн
10+	290.25 грн
25+	238.4 грн
100+	204.44 грн
240+	192.46 грн
480+	181.13 грн
1200+	161.16 грн

IKW40N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	156.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	414.89 грн
33+	364 грн
36+	333.11 грн
50+	311.91 грн
100+	192.86 грн

Мінімальне замовлення: 29

IKW40N65ES5XKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKW40N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N65ES5XKSA1

товар відсутній

IKW40N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N65ES5XKSA1

Description: IGBT TRENCH 650V 79A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W

на замовлення 523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	313.36 грн
30+	239.3 грн
120+	205.11 грн
510+	171.1 грн

IKW40N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	385.26 грн
10+	338 грн
25+	309.32 грн
50+	289.63 грн
100+	179.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N65ES5XKSA1

Description: INFINEON - IKW40N65ES5XKSA1 - IGBT, 79 A, 1.7 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 79A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	463.91 грн
10+	378.75 грн
25+	310.02 грн
240+	244.87 грн
720+	217.07 грн
1200+	206.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N65ES5XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	340.29 грн
10+	306.33 грн
25+	227.08 грн
100+	195.79 грн
240+	191.79 грн
480+	150.5 грн
1200+	141.84 грн

IKW40N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N65ET7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/310ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 590µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230.8 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	301.11 грн
30+	230.05 грн
120+	197.17 грн
510+	164.48 грн

IKW40N65ET7XKSA1

IKW40N65ET7XKSA1

товар відсутній

IKW40N65ET7XKSA1

Description: INFINEON - IKW40N65ET7XKSA1 - IGBT, 76 A, 1.35 V, 230.8 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 230.8W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	385.47 грн
10+	345.13 грн
25+	283.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N65ET7XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 12362 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	337.19 грн
10+	279.53 грн
25+	229.75 грн
100+	171.81 грн
240+	165.82 грн
480+	145.17 грн
1200+	140.51 грн

IKW40N65ET7XKSA1

SP005403468

товар відсутній

IKW40N65ET7XKSA1

IKW40N65ET7XKSA1

товар відсутній

IKW40N65F5

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW40N65F5AXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N65F5AXKSA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IKW40N65F5AXKSA1

Description: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns
Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IKW40N65F5F

Description: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W

товар відсутній

IKW40N65F5FKSA1

Description: IGBT 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W

на замовлення 1722 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	285.26 грн
30+	218.02 грн
120+	186.87 грн
510+	155.88 грн
1020+	133.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N65F5FKSA1

Description: INFINEON - IKW40N65F5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 255W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	321.23 грн
10+	258.48 грн
100+	191.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW40N65F5FKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 18 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	424.02 грн
3+	368.25 грн
4+	271.37 грн
10+	256.39 грн

IKW40N65F5FKSA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 727 шт:

термін постачання 175-184 дні (днів)

2+	297.56 грн
10+	279.53 грн
25+	207.11 грн
100+	178.47 грн
240+	174.48 грн
480+	137.18 грн
1200+	129.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N65F5FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	408.75 грн
34+	346.24 грн
50+	263.9 грн
200+	238.21 грн

Мінімальне замовлення: 29

IKW40N65F5FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2196 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW40N65F5FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	361.12 грн
10+	325.14 грн
25+	324.72 грн
50+	293.82 грн
100+	230.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N65F5FKSA1

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	353.35 грн
3+	295.51 грн
4+	226.14 грн
10+	213.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N65H5

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

42+	281.47 грн
44+	269.38 грн
50+	259.11 грн
100+	241.38 грн
250+	216.72 грн
500+	202.4 грн

Мінімальне замовлення: 42

IKW40N65H5

IGBT Chip N-CH Trench Field Stop 650V 74A 255W IKW40N65H5FKSA1 TIKW40n65h5
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 15 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	205.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKW40N65H5

Description: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3

товар відсутній

IKW40N65H5

на замовлення 242 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW40N65H5

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW40N65H5AXKSA1

Description: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/153ns
Switching Energy: 380µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IKW40N65H5AXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N65H5AXKSA1

IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES

на замовлення 58 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IKW40N65H5FKSA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	342.62 грн
10+	288.72 грн
25+	233.08 грн
100+	199.78 грн
240+	188.46 грн
480+	177.14 грн
1200+	143.18 грн

IKW40N65H5FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N65H5FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	369.06 грн
38+	312.52 грн
50+	238.1 грн
200+	215.25 грн

Мінімальне замовлення: 32

IKW40N65H5FKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKW40N65H5FKSA1

Description: INFINEON - IKW40N65H5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A

на замовлення 20874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	368.29 грн
10+	280.14 грн
100+	212.91 грн
500+	181.74 грн
1000+	153.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW40N65H5FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	201.3 грн
10+	195.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW40N65H5FKSA1

Description: IGBT 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns
Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W

на замовлення 665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	315.52 грн
30+	240.75 грн
120+	206.37 грн
510+	172.15 грн

IKW40N65H5FKSA1

товар відсутній

IKW40N65H5FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKW40N65H5FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	156.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N65RH5XKSA1

Description: INFINEON - IKW40N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 74A, 250W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A

на замовлення 436 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	558.04 грн
5+	478.11 грн
10+	397.43 грн
50+	335.74 грн
100+	279.82 грн
250+	249.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N65RH5XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/165ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	417.81 грн
30+	318.82 грн
120+	273.28 грн

IKW40N65RH5XKSA1

SP004038146

товар відсутній

IKW40N65RH5XKSA1

IGBT Transistors SIC DISCRETE

на замовлення 612 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	453.72 грн
10+	376.02 грн
25+	308.33 грн
100+	264.38 грн
240+	249.06 грн
480+	234.41 грн
1200+	200.45 грн

IKW40N65WR5

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

товар відсутній

IKW40N65WR5

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW40N65WR5XKSA1

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/432ns
Switching Energy: 770µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 193 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W

товар відсутній

IKW40N65WR5XKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 45 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	366.65 грн
3+	318.11 грн
5+	234.74 грн
12+	221.42 грн

IKW40N65WR5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	385.92 грн
35+	341.28 грн
50+	301.6 грн
100+	263.09 грн
200+	241.83 грн

Мінімальне замовлення: 31

IKW40N65WR5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	171.03 грн
10+	155.35 грн
25+	150.94 грн
50+	144.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKW40N65WR5XKSA1

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	305.54 грн
3+	255.28 грн
5+	195.62 грн
12+	184.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N65WR5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	104.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW40N65WR5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKW40N65WR5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	203.6 грн
10+	176.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW40N65WR5XKSA1
Код товару: 200399

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW40N65WR5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40N65WR5XKSA1

Description: INFINEON - IKW40N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	263.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW40N65WR5XKSA1

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

на замовлення 225 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	248.62 грн
10+	231.28 грн
25+	174.48 грн
100+	159.82 грн
240+	128.53 грн
480+	101.22 грн
1200+	95.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40N65WR5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

64+	184.18 грн
70+	167.3 грн
72+	162.55 грн
73+	155.17 грн

Мінімальне замовлення: 64

IKW40T120

10+ TO-247

на замовлення 3240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW40T120
Код товару: 48060

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW40T120

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW40T120

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	575.7 грн
10+	486.3 грн
25+	383.58 грн
100+	352.28 грн
240+	331.64 грн
480+	310.33 грн
1200+	279.03 грн

IKW40T120

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW40T120

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	584.51 грн
25+	559.4 грн
50+	538.09 грн
100+	501.26 грн

Мінімальне замовлення: 20

IKW40T120

MODULE

на замовлення 500094 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW40T120FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	298.46 грн
41+	285.63 грн
50+	274.75 грн
100+	255.95 грн

Мінімальне замовлення: 40

IKW40T120FKSA1

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	574.92 грн
10+	542.2 грн
25+	381.58 грн
100+	351.61 грн
240+	345.62 грн
480+	279.03 грн
1200+	267.04 грн

IKW40T120FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40T120FKSA1

Description: INFINEON - IKW40T120FKSA1 - IGBT, Universal, 75 A, 2.3 V, 270 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	599.88 грн
5+	515.46 грн
10+	430.3 грн
50+	391.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40T120FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	473.55 грн
10+	421.03 грн
25+	382.17 грн
100+	251.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40T120FKSA1

IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 75A 270W IKW40T120FKSA1 IKW40T120 TIKW40t120
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 28 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

2+	372.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40T120FKSA1

Description: IGBT NPT FS 1200V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns
Switching Energy: 6.5mJ
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 270 W

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	529.47 грн
30+	407.19 грн
120+	364.34 грн
510+	301.69 грн

IKW40T120FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	740.11 грн
18+	668.68 грн
50+	586.33 грн
100+	538.61 грн
200+	480.11 грн

Мінімальне замовлення: 16

IKW40T120FKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 92ns
Turn-off time: 700ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 203nC
Technology: TRENCHSTOP™
Mounting: THT
Case: TO247-3

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	474.37 грн
3+	381.53 грн
6+	360.72 грн

IKW40T120FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	233.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW40T120FKSA1
Код товару: 152618

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW40T120FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW40T120FKSA1

на замовлення 14 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	569.25 грн
3+	475.44 грн
6+	432.86 грн
30+	416.21 грн

IKW40T120XK

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A

товар відсутній

IKW40TI20FKSA1

Description: IGBT, 75A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns
Switching Energy: 3.3mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 270 W

товар відсутній

IKW50N120CH7XKSA1

Description: INFINEON - IKW50N120CH7XKSA1 - IGBT, 86 A, 1.7 V, 398 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 398W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 86A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	648.43 грн
5+	558.04 грн
10+	467.65 грн
50+	404.42 грн
100+	345.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N120CH7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	618.71 грн
10+	532.22 грн
25+	483.52 грн
30+	461.59 грн
100+	396.95 грн
120+	380.94 грн
240+	358.59 грн

IKW50N120CH7XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 430 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	606.78 грн
10+	513.1 грн
25+	404.22 грн
100+	371.59 грн
240+	348.95 грн
480+	326.97 грн
1200+	294.34 грн

IKW50N120CH7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N120CH7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N120CH7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 86A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 116 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/319ns
Switching Energy: 2.33mJ (on), 1.12mJ (off)
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 398 W

на замовлення 183 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	558.28 грн
30+	429.04 грн
120+	383.87 грн

IKW50N120CH7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	666.3 грн
21+	573.16 грн
25+	520.72 грн
30+	497.09 грн
100+	427.48 грн
120+	410.25 грн
240+	386.17 грн

Мінімальне замовлення: 18

IKW50N120CS7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 233 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	451.95 грн
10+	437.57 грн
25+	412.64 грн
100+	378.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N120CS7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 233 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	486.71 грн
25+	471.23 грн
27+	444.38 грн
100+	407.8 грн

Мінімальне замовлення: 24

IKW50N120CS7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/170ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 2.3Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 428 W

на замовлення 429 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	587.82 грн
30+	452.03 грн
120+	404.46 грн

IKW50N120CS7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	574.9 грн
10+	537.56 грн
25+	486.98 грн
30+	461.59 грн
100+	405.27 грн
120+	374.01 грн
240+	359.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N120CS7XKSA1

Description: INFINEON - IKW50N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 428 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A

на замовлення 449 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	737.33 грн
5+	631.25 грн
10+	525.17 грн
50+	459.22 грн
100+	397 грн
250+	372.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N120CS7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N120CS7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	770.35 грн
18+	660.08 грн
25+	587.08 грн
100+	530.92 грн
240+	462.47 грн

Мінімальне замовлення: 16

IKW50N120CS7XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 1549 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	638.63 грн
10+	579.73 грн
25+	430.86 грн
100+	391.57 грн
240+	377.59 грн
480+	352.28 грн
1200+	310.33 грн

IKW50N120CS7XKSA1

SP005419710

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	326.31 грн

IKW50N60DTP

на замовлення 15600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW50N60DTP

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW50N60DTP

на замовлення 239 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW50N60DTPXKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 1825 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	243.95 грн
10+	215.2 грн
25+	157.16 грн
100+	155.16 грн
240+	133.19 грн
480+	132.52 грн
1200+	117.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N60DTPXKSA1

Description: INFINEON - IKW50N60DTPXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 319.2 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 319.2
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	312.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW50N60DTPXKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 163 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	254.74 грн
3+	208.8 грн
5+	181.05 грн
13+	171.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N60DTPXKSA1

на замовлення 163 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	305.69 грн
3+	260.2 грн
5+	217.26 грн
13+	205.61 грн

IKW50N60DTPXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N60DTPXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N60DTPXKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/215ns
Switching Energy: 1.53mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 249 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 319.2 W

на замовлення 237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	244.2 грн
30+	186.44 грн
120+	159.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N60DTPXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N60H3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	355.36 грн
35+	340.09 грн
50+	327.14 грн
100+	304.75 грн

Мінімальне замовлення: 33

IKW50N60H3
Код товару: 94376

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW50N60H3

100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 3 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	184.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKW50N60H3

Description: IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN

товар відсутній

IKW50N60H3

IGBT Transistors HIGH SPEED SWITCHING

на замовлення 186 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	480.14 грн
10+	397.46 грн
25+	326.31 грн
100+	279.69 грн
240+	264.38 грн
480+	248.39 грн
1200+	213.1 грн

IKW50N60H3

100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	184.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKW50N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N60H3FKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 61 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	487.67 грн
3+	359.61 грн
8+	327.97 грн

IKW50N60H3FKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/235ns
Switching Energy: 2.36mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 333 W

на замовлення 507 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	430.06 грн
30+	327.79 грн
120+	280.96 грн

IKW50N60H3FKSA1

IGBT Transistors HIGH SPEED SWITCHING

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	465.38 грн
10+	429.63 грн
25+	312.32 грн
100+	261.71 грн
240+	261.05 грн
480+	206.44 грн
1200+	194.45 грн

IKW50N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	440.61 грн
32+	373.5 грн
50+	284.01 грн
100+	272.93 грн
200+	238.82 грн

Мінімальне замовлення: 27

IKW50N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	332.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N60H3FKSA1

Description: INFINEON - IKW50N60H3FKSA1 - IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 368 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	490.81 грн
10+	354.1 грн
100+	239.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N60H3FKSA1

на замовлення 61 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	406.39 грн
3+	288.57 грн
8+	273.31 грн

IKW50N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	357.62 грн
34+	351.32 грн
37+	317.63 грн
100+	275.45 грн

Мінімальне замовлення: 33

IKW50N60T
Код товару: 145126

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW50N60T

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	438.2 грн
28+	419.37 грн
50+	403.39 грн
100+	375.79 грн

Мінімальне замовлення: 27

IKW50N60T

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	264.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKW50N60T

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	264.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKW50N60T

Description: IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W

товар відсутній

IKW50N60T

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 50A

на замовлення 741 шт:

термін постачання 236-245 дні (днів)

1+	469.26 грн
10+	395.93 грн
25+	312.32 грн
100+	287.02 грн
240+	269.7 грн

IKW50N60TA

Description: IKW50N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W

товар відсутній

IKW50N60TA
Код товару: 139366

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW50N60TAFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N60TAFKSA1

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W

на замовлення 9853 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

68+	294.01 грн

Мінімальне замовлення: 68

IKW50N60TAFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N60TAFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	585.91 грн
10+	536.85 грн
25+	506.36 грн
100+	473.08 грн

IKW50N60TAFKSA1

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W

товар відсутній

IKW50N60TFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 454 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	424.32 грн
32+	372.23 грн
35+	340.9 грн
100+	303.5 грн
240+	265.19 грн

Мінімальне замовлення: 28

IKW50N60TFKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	431.5 грн
30+	332 грн
120+	297.03 грн

IKW50N60TFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 807 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	239.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N60TFKSA1

Description: INFINEON - IKW50N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 5189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	551.32 грн
5+	472.13 грн
10+	392.2 грн
50+	339.9 грн
100+	290.71 грн
250+	272.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N60TFKSA1

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 50A

на замовлення 319 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	512.77 грн
10+	471.75 грн
25+	350.95 грн
240+	332.3 грн
480+	253.06 грн
1200+	227.75 грн
2640+	217.09 грн

IKW50N60TFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	424.4 грн
10+	372.3 грн
25+	340.97 грн
100+	303.56 грн
240+	265.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N60TFKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKW50N60TFKSA1

товар відсутній

IKW50N60TFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	653.8 грн
22+	530.78 грн
50+	458.35 грн
100+	419.02 грн
200+	372.04 грн

Мінімальне замовлення: 18

IKW50N65EH5

на замовлення 12360 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW50N65EH5

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW50N65EH5XKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKW50N65EH5XKSA1

товар відсутній

IKW50N65EH5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	428.9 грн
10+	358.31 грн
25+	334.54 грн
100+	256.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65EH5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	560.54 грн
24+	506.96 грн
50+	444.46 грн
100+	408.5 грн
200+	364.06 грн

Мінімальне замовлення: 21

IKW50N65EH5XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 398 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	421.09 грн
10+	381.38 грн
25+	286.35 грн
100+	243.73 грн
240+	231.08 грн
480+	186.46 грн
1200+	175.14 грн

IKW50N65EH5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N65EH5XKSA1

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/172ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 275 W

на замовлення 163 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	387.56 грн
30+	295.76 грн
120+	253.5 грн

IKW50N65EH5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	461.89 грн
31+	385.87 грн
33+	360.27 грн
100+	276.57 грн

Мінімальне замовлення: 26

IKW50N65EH5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N65EH5XKSA1

Description: INFINEON - IKW50N65EH5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 275 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 275
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IKW50N65ES5

IGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT

на замовлення 239 шт:

термін постачання 105-114 дні (днів)

1+	433.52 грн
10+	359.17 грн
25+	295.01 грн
100+	252.39 грн
240+	238.4 грн
480+	224.42 грн

IKW50N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	422.13 грн
33+	356.96 грн
50+	272.34 грн
100+	261.68 грн
200+	228.4 грн

Мінімальне замовлення: 28

IKW50N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	366 грн
10+	316.82 грн
25+	289.48 грн
100+	252.78 грн
240+	232.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65ES5XKSA1

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W

товар відсутній

IKW50N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	193.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65ES5XKSA1

Description: INFINEON - IKW50N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 274W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	479.6 грн
10+	345.88 грн
100+	224.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	393.01 грн
35+	340.2 грн
38+	310.85 грн
100+	271.44 грн
240+	249.48 грн

Мінімальне замовлення: 30

IKW50N65ES5XKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKW50N65ES5XKSA1

товар відсутній

IKW50N65ES5XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 236 шт:

термін постачання 105-114 дні (днів)

1+	421.09 грн
25+	330.07 грн
100+	245.73 грн
480+	193.79 грн

IKW50N65ET7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N65ET7XKSA1

Description: INFINEON - IKW50N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 273 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 273W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	389.21 грн
10+	277.9 грн
100+	212.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65ET7XKSA1
Код товару: 178408

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW50N65ET7XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	341.85 грн
10+	322.41 грн
25+	243.73 грн
100+	216.43 грн
240+	215.1 грн
480+	174.48 грн
1200+	164.49 грн

IKW50N65ET7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	471.25 грн
29+	412.71 грн
50+	374.03 грн

Мінімальне замовлення: 25

IKW50N65ET7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/350ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 273 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	336.41 грн
30+	256.64 грн

IKW50N65F5

на замовлення 960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW50N65F5

Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3

товар відсутній

IKW50N65F5
Код товару: 187321

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товар відсутній

IKW50N65F5

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW50N65F5AXKSA1

Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 77 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IKW50N65F5AXKSA1

IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES

товар відсутній

IKW50N65F5AXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N65F5FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N65F5FKSA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 201 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	327.86 грн
10+	322.41 грн
25+	223.09 грн
100+	191.12 грн
240+	176.47 грн
480+	142.51 грн
1200+	134.52 грн

IKW50N65F5FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N65F5FKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Manufacturer series: F5
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 305W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5

товар відсутній

IKW50N65F5FKSA1
Код товару: 162192

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW50N65F5FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N65F5FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	419.21 грн
33+	355.02 грн
50+	270.4 грн
100+	259.8 грн
200+	226.66 грн

Мінімальне замовлення: 28

IKW50N65F5FKSA1

Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W

товар відсутній

IKW50N65F5FKSA1

Description: INFINEON - IKW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A

на замовлення 14315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	376.51 грн
10+	284.62 грн
100+	171.07 грн
500+	156.08 грн
1000+	141.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65F5FKSA1

товар відсутній

IKW50N65H5

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW50N65H5A

IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES

товар відсутній

IKW50N65H5AXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N65H5AXKSA1

Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/173ns
Switching Energy: 450µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 116 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IKW50N65H5AXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N65H5AXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N65H5AXKSA1

IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES

товар відсутній

IKW50N65H5FKSA1
Код товару: 125871

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW50N65H5FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	307.01 грн
10+	305.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65H5FKSA1

80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode IKW50N65H5 TIKW50n65h5
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 101 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	236.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKW50N65H5FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	377.93 грн
39+	302.46 грн
100+	217.52 грн
480+	168.13 грн

Мінімальне замовлення: 31

IKW50N65H5FKSA1

Description: INFINEON - IKW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A

на замовлення 362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	408.63 грн
10+	307.03 грн
100+	194.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65H5FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	468.82 грн
28+	417.27 грн
50+	381.28 грн
100+	333.9 грн
200+	307.43 грн

Мінімальне замовлення: 25

IKW50N65H5FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	248.53 грн
48+	246.04 грн
52+	226.98 грн
100+	195.99 грн

Мінімальне замовлення: 47

IKW50N65H5FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	160.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65H5FKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 32 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	346.03 грн
3+	294.77 грн
4+	246.4 грн
10+	245.56 грн
11+	232.24 грн

IKW50N65H5FKSA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	376.03 грн
10+	361.47 грн
25+	260.38 грн
100+	209.77 грн
480+	185.13 грн

IKW50N65H5FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	230.78 грн
10+	228.47 грн
25+	210.76 грн
100+	181.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW50N65H5FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKW50N65H5FKSA1

Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 57 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W

на замовлення 403 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	321.28 грн
30+	245.29 грн
120+	210.24 грн

IKW50N65H5FKSA1

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	288.36 грн
3+	236.55 грн
4+	205.33 грн
10+	204.64 грн
11+	193.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65H5FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 2590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	354.48 грн
10+	350.94 грн
25+	280.85 грн
100+	201.98 грн
480+	156.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65RH5XKSA1

SP004038142

товар відсутній

IKW50N65RH5XKSA1

IGBT Transistors SIC DISCRETE

на замовлення 1074 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	480.14 грн
10+	405.89 грн
25+	320.31 грн
100+	294.34 грн
240+	276.36 грн
480+	269.04 грн
2640+	222.42 грн

IKW50N65RH5XKSA1

IGBT Discrete Chip

товар відсутній

IKW50N65RH5XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns
Switching Energy: 230µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 305 W

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	577.73 грн
30+	444.21 грн

IKW50N65RH5XKSA1

IGBT Discrete Chip

товар відсутній

IKW50N65RH5XKSA1

IGBT Discrete Chip

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1002.02 грн
13+	911.74 грн
50+	810.55 грн
100+	712.72 грн
200+	636.89 грн

Мінімальне замовлення: 12

IKW50N65RH5XKSA1

Description: INFINEON - IKW50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 305W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 305W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	678.32 грн
5+	602.12 грн
10+	525.92 грн
50+	453.67 грн
100+	386.11 грн
250+	327.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65SS5XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns
Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W

на замовлення 121 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	656.25 грн
30+	504.79 грн
120+	451.65 грн

IKW50N65SS5XKSA1

IGBT Discrete Chip

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1240.13 грн
11+	1121.08 грн
50+	1002.02 грн
100+	881.09 грн
200+	788.37 грн

Мінімальне замовлення: 10

IKW50N65SS5XKSA1

IGBT Discrete Chip

товар відсутній

IKW50N65SS5XKSA1

IGBT Discrete Chip

на замовлення 20160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	672.24 грн

Мінімальне замовлення: 240

IKW50N65SS5XKSA1

Description: INFINEON - IKW50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 274W, To-247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 274W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	834.45 грн
5+	756.01 грн
10+	677.57 грн
50+	594.49 грн
100+	499.45 грн

IKW50N65SS5XKSA1

SP001668430

товар відсутній

IKW50N65SS5XKSA1

IGBT Transistors SIC DISCRETE

на замовлення 671 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	713.22 грн
10+	603.47 грн
25+	475.48 грн
100+	436.85 грн
240+	410.88 грн
480+	384.91 грн
1200+	346.29 грн

IKW50N65SS5XKSA1

IGBT Discrete Chip

товар відсутній

IKW50N65WR5XKSA1

Description: INFINEON - IKW50N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 282 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 282W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	302.55 грн
10+	213.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKW50N65WR5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW50N65WR5XKSA1

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

на замовлення 417 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	272.7 грн
10+	225.92 грн
25+	184.46 грн
100+	158.49 грн
240+	135.85 грн
480+	119.87 грн
1200+	113.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65WR5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	496.05 грн
27+	434.54 грн
50+	392.87 грн
100+	340.57 грн
200+	312.69 грн

Мінімальне замовлення: 24

IKW50N65WR5XKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 112 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	365.3 грн
3+	305.22 грн
4+	233.77 грн
10+	220.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65WR5XKSA1

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/417ns
Switching Energy: 840µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	250.69 грн
30+	191.39 грн
120+	164.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW50N65WR5XKSA1

на замовлення 112 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	438.36 грн
3+	380.35 грн
4+	280.53 грн
10+	264.71 грн

IKW50N65WR5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW60N60H3

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	543.07 грн
10+	459.5 грн
25+	362.27 грн
100+	332.3 грн
240+	312.99 грн
480+	293.01 грн
1200+	277.03 грн

IKW60N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW60N60H3FKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	521.44 грн
3+	333.66 грн
7+	315.63 грн

IKW60N60H3FKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W

на замовлення 216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	499.93 грн
10+	412.67 грн

IKW60N60H3FKSA1

на замовлення 18 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	625.72 грн
3+	415.79 грн
7+	378.75 грн

IKW60N60H3FKSA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop

товар відсутній

IKW60N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	403.88 грн

Мінімальне замовлення: 240

IKW60N60H3FKSA1
Код товару: 198550

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW60N60H3FKSA1

Description: INFINEON - IKW60N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 416 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 174 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	621.54 грн
5+	534.14 грн
10+	445.98 грн
50+	378.75 грн
100+	316.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW60N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	277.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW60N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N120CH7XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	731.86 грн
10+	618.79 грн
25+	488.13 грн
100+	448.17 грн
240+	420.87 грн
480+	394.9 грн
1200+	355.61 грн

IKW75N120CH7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	840.91 грн
18+	656.73 грн
100+	533.01 грн

Мінімальне замовлення: 14

IKW75N120CH7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N120CH7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	780.85 грн
10+	609.82 грн
100+	494.94 грн

IKW75N120CH7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 92A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/461ns
Switching Energy: 4.22mJ (on), 1.66mJ (off)
Gate Charge: 535 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 549 W

на замовлення 380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	698.03 грн
30+	536.24 грн
120+	479.8 грн

IKW75N120CH7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N60H3

Description: IKW75N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 190 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W

товар відсутній

IKW75N60H3

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW75N60H3

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW75N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N60H3FKSA1

Description: IGBT 600V 80A 428W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 190 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W

товар відсутній

IKW75N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N60H3FKSA1
Код товару: 138035

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW75N60H3FKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 815 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	623.87 грн
10+	612.66 грн
25+	426.86 грн
100+	382.25 грн
480+	329.64 грн
1200+	278.36 грн

IKW75N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 263 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	698.44 грн
23+	508.95 грн
50+	451.4 грн
100+	408.5 грн
200+	356.98 грн

Мінімальне замовлення: 17

IKW75N60H3FKSA1

Description: INFINEON - IKW75N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 428W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 121 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	485.58 грн
5+	440.01 грн
10+	394.44 грн
50+	330.89 грн
100+	272.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW75N60H3FKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 47 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	796.95 грн
2+	587.82 грн
5+	535.25 грн

IKW75N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	451.66 грн
10+	423.19 грн
25+	416.83 грн
100+	374.15 грн
240+	328.3 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW75N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	486.4 грн
26+	455.74 грн
27+	448.9 грн
100+	402.93 грн
240+	353.56 грн

Мінімальне замовлення: 24

IKW75N60H3FKSA1

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	664.12 грн
2+	471.7 грн
5+	446.04 грн

IKW75N60H3FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	460.74 грн

Мінімальне замовлення: 240

IKW75N60T

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	579.36 грн
25+	554.47 грн
50+	533.35 грн
100+	496.85 грн
250+	446.09 грн
500+	416.6 грн
1000+	406.41 грн

Мінімальне замовлення: 21

IKW75N60T
Код товару: 40498

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IKW75N60T

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 75A

на замовлення 882 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	620.76 грн
10+	523.82 грн
25+	413.55 грн
100+	379.58 грн
240+	357.61 грн
480+	334.97 грн
1200+	301.67 грн

IKW75N60TA

IGBT Transistors 600V 75A 100nA

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IKW75N60TA

Description: IKW75N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W

товар відсутній

IKW75N60TAFKSA1

IGBT Transistors 600V 75A 100nA

товар відсутній

IKW75N60TAFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N60TAFKSA1

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W

товар відсутній

IKW75N60TAFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N60TFKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 28 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	812.19 грн
2+	599.92 грн
5+	546.07 грн

IKW75N60TFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	631.51 грн
20+	596.06 грн
26+	465.16 грн

Мінімальне замовлення: 19

IKW75N60TFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IKW75N60TFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 331 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	307.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW75N60TFKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	676.82 грн
2+	481.42 грн
5+	455.06 грн

IKW75N60TFKSA1
Код товару: 169611

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IKW75N60TFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 549 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	729.49 грн
22+	532.04 грн
50+	471.74 грн
100+	427.69 грн
200+	372.56 грн

Мінімальне замовлення: 16

IKW75N60TFKSA1

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 75A

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	621.54 грн
10+	598.11 грн
25+	414.21 грн
100+	380.25 грн
240+	376.25 грн
480+	301.67 грн
1200+	282.36 грн

IKW75N60TFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N60TFKSA1

80A; 600V; 428W; IGBT w/ Diode IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 31 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	341.86 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKW75N60TFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	584.44 грн
10+	551.62 грн
25+	430.49 грн

IKW75N60TFKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N60TFKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W

на замовлення 3683 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	554.68 грн
30+	426.36 грн
120+	381.49 грн
510+	315.9 грн
1020+	284.31 грн
2010+	266.41 грн

IKW75N60TFKSA1

Description: INFINEON - IKW75N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 6823 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	657.4 грн
5+	565.51 грн
10+	472.88 грн
50+	409.97 грн
100+	350.9 грн
250+	328.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW75N60TXK

Description: IKW75N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

IKW75N65EH5

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW75N65EH5

IKW75N65EH5XKSA1 IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3

на замовлення 81 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

IKW75N65EH5

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	519.68 грн
25+	497.36 грн
50+	478.41 грн
100+	445.67 грн

Мінімальне замовлення: 23

IKW75N65EH5XKSA1

Description: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

на замовлення 388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	443.02 грн
30+	340.51 грн
120+	304.67 грн

IKW75N65EH5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	442.67 грн
30+	400.5 грн
32+	375.91 грн
100+	339.9 грн

Мінімальне замовлення: 27

IKW75N65EH5XKSA1

Description: INFINEON - IKW75N65EH5XKSA1 - IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 14628 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	567.75 грн
5+	495.29 грн
10+	422.08 грн
50+	347.54 грн
100+	279.18 грн
250+	273.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW75N65EH5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	411.05 грн
10+	371.89 грн
25+	349.06 грн
100+	315.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW75N65EH5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	786.73 грн
21+	573.44 грн
50+	508.95 грн
100+	461.12 грн
200+	402.16 грн

Мінімальне замовлення: 15

IKW75N65EH5XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 240 шт:

термін постачання 296-305 дні (днів)

1+	480.92 грн
10+	437.29 грн
25+	324.31 грн
100+	295.01 грн
240+	263.71 грн

IKW75N65EH5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N65EH5XKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKW75N65EH5XKSA1

товар відсутній

IKW75N65EH5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N65EH5XKSA1
Код товару: 177738

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW75N65EL5

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKW75N65EL5

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW75N65EL5XKSA1

IGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5

на замовлення 905 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	480.92 грн
10+	462.56 грн
25+	352.28 грн
100+	310.33 грн
240+	305.66 грн
480+	287.02 грн
1200+	270.37 грн

IKW75N65EL5XKSA1

Description: INFINEON - IKW75N65EL5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 536W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 199 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	664.87 грн
5+	572.98 грн
10+	481.1 грн
50+	409.27 грн
100+	342.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW75N65EL5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 564 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	482.42 грн
26+	461.7 грн
50+	444.1 грн
100+	413.72 грн
250+	371.45 грн
500+	346.89 грн

Мінімальне замовлення: 25

IKW75N65EL5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	666.47 грн
10+	597.11 грн
100+	380.78 грн

IKW75N65EL5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	297.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW75N65EL5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 565 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	576.12 грн
10+	526.73 грн
100+	363.45 грн
500+	350.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW75N65EL5XKSA1
Код товару: 190876

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW75N65EL5XKSA1

Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	536.67 грн
30+	412.81 грн

IKW75N65EL5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	717.74 грн
19+	643.04 грн
100+	410.07 грн

Мінімальне замовлення: 17

IKW75N65ES5

на замовлення 167 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKW75N65ES5
Код товару: 169192

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW75N65ES5

IGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT

на замовлення 2248 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	511.22 грн
10+	431.93 грн
25+	340.96 грн
100+	312.99 грн
240+	294.34 грн
480+	276.36 грн
1200+	248.39 грн

IKW75N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N65ES5XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	480.92 грн
10+	409.72 грн
25+	289.02 грн
240+	245.06 грн
1200+	235.08 грн
2640+	230.41 грн

IKW75N65ES5XKSA1

Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/144ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

на замовлення 14509 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	456.71 грн
30+	351.21 грн
120+	314.25 грн
510+	260.22 грн
1020+	234.2 грн
2010+	219.45 грн

IKW75N65ES5XKSA1

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKW75N65ES5XKSA1

товар відсутній

IKW75N65ES5XKSA1

Description: INFINEON - IKW75N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.42 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.42
DC-Kollektorstrom: 80
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 395
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IKW75N65ES5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	734.16 грн
22+	534.75 грн
50+	474.23 грн
100+	429.55 грн
200+	374.7 грн

Мінімальне замовлення: 16

IKW75N65ET7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	759.95 грн
17+	687.53 грн
50+	603.2 грн
100+	553.91 грн
200+	493.4 грн

Мінімальне замовлення: 16

IKW75N65ET7XKSA1

Description: INFINEON - IKW75N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A

на замовлення 226 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	564.76 грн
5+	472.13 грн
10+	378.75 грн
50+	336.44 грн
100+	295.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW75N65ET7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N65ET7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	573.16 грн
23+	530.06 грн
29+	414.43 грн
50+	395.65 грн
100+	341.4 грн

Мінімальне замовлення: 21

IKW75N65ET7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333000mW Tube

товар відсутній

IKW75N65ET7XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 458 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	525.98 грн
10+	472.51 грн
25+	314.32 грн
100+	293.68 грн
240+	287.68 грн
480+	261.71 грн
1200+	245.06 грн

IKW75N65ET7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns
Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 435 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 333 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 454 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	481.92 грн
30+	370.01 грн
120+	331.04 грн

IKW75N65ET7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	532.22 грн
10+	492.19 грн
25+	384.82 грн
50+	367.39 грн
100+	317.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKW75N65RH5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N65RH5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N65RH5XKSA1

IGBT Transistors SIC DISCRETE

на замовлення 456 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	655.72 грн
10+	553.69 грн
25+	436.85 грн
100+	401.56 грн
240+	376.92 грн
480+	353.61 грн
1200+	303.67 грн

IKW75N65RH5XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns
Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

на замовлення 279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	603.66 грн
30+	463.61 грн
120+	414.8 грн

IKW75N65RH5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW75N65RH5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1031.79 грн
16+	768.88 грн
50+	719.28 грн
100+	614.18 грн

Мінімальне замовлення: 12

IKW75N65RH5XKSA1

Description: INFINEON - IKW75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 395W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	805.31 грн
5+	732.85 грн
10+	659.64 грн

IKW75N65SS5XKSA1

IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

на замовлення 228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	886.7 грн
10+	843.42 грн
25+	840.39 грн
50+	792.05 грн
100+	708.15 грн

IKW75N65SS5XKSA1

IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	1805.63 грн
9+	1458.39 грн
10+	1448.47 грн
50+	1234.11 грн
100+	1062.97 грн
200+	994.94 грн

Мінімальне замовлення: 7

IKW75N65SS5XKSA1

IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

товар відсутній

IKW75N65SS5XKSA1

Description: INFINEON - IKW75N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 395W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 213 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1166.13 грн
5+	1089.19 грн
10+	1012.24 грн
50+	920.52 грн
100+	746.62 грн

IKW75N65SS5XKSA1

IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode

на замовлення 228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	908.3 грн
25+	905.03 грн
50+	852.98 грн
100+	762.63 грн

Мінімальне замовлення: 13

IKW75N65SS5XKSA1

SP004038158

товар відсутній

IKW75N65SS5XKSA1

IGBT Transistors SIC DISCRETE

на замовлення 637 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	933.09 грн
10+	911.33 грн
25+	709.22 грн
50+	626.65 грн
100+	587.36 грн
240+	570.04 грн
1200+	488.13 грн

IKW75N65SS5XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 450µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W

товар відсутній

IKWH100N65EH7XKSA1

Description: INFINEON - IKWH100N65EH7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 427 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 427W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	726.13 грн
5+	629.76 грн
10+	548.33 грн
50+	477.25 грн
100+	397 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKWH100N65EH7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 140A 427W

товар відсутній

IKWH100N65EH7XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 167 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	661.16 грн
10+	559.05 грн
25+	440.85 грн
100+	404.89 грн
240+	380.25 грн
480+	356.94 грн
1200+	320.98 грн

IKWH100N65EH7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 140A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 106 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 100A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/240ns
Switching Energy: 3.58mJ (on), 2.37mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 199 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 427 W

на замовлення 216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	608.71 грн
10+	502.3 грн

IKWH20N65WR6XKSA1

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

на замовлення 263 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	196.56 грн
10+	156.23 грн
100+	111.21 грн
240+	101.89 грн
480+	93.9 грн
1200+	75.25 грн
5040+	73.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKWH20N65WR6XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W

на замовлення 103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	180.81 грн
30+	139.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKWH20N65WR6XKSA1

Description: INFINEON - IKWH20N65WR6XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 140 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	218.88 грн
10+	162.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKWH20N65WR6XKSA1

SP005545963

товар відсутній

IKWH30N65WR5XKSA1

Description: INFINEON - IKWH30N65WR5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.4 V, 190 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 190
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IKWH30N65WR5XKSA1

SP005430891

товар відсутній

IKWH30N65WR5XKSA1

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

на замовлення 91 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	208.99 грн
10+	173.08 грн
25+	141.84 грн
100+	121.2 грн
240+	114.54 грн
480+	107.88 грн
1200+	92.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKWH30N65WR5XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/398ns
Switching Energy: 870µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 133 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 190 W

на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	192.34 грн
30+	146.92 грн
120+	125.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKWH30N65WR6XKSA1

SP005430886

товар відсутній

IKWH30N65WR6XKSA1

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

на замовлення 923 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	208.99 грн
10+	166.18 грн
100+	119.2 грн
240+	109.21 грн
480+	101.89 грн
1200+	80.58 грн
5040+	77.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKWH30N65WR6XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 67A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 136 W

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	192.34 грн
30+	148.77 грн
120+	122.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKWH30N65WR6XKSA1

Description: INFINEON - IKWH30N65WR6XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 165 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 165
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IKWH40N65EH7XKSA1

Description: INFINEON - IKWH40N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 208 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	413.11 грн
10+	354.1 грн
100+	306.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKWH40N65EH7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKWH40N65EH7XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 163 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	386.91 грн
10+	320.88 грн
25+	263.04 грн
100+	225.75 грн
240+	212.43 грн
480+	199.78 грн
1200+	171.15 грн

IKWH40N65EH7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/141ns
Switching Energy: 970µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 12.5Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 208 W

на замовлення 209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	355.86 грн
10+	287.81 грн

IKWH40N65WR6XKSA1

Description: INFINEON - IKWH40N65WR6XKSA1 - IGBT, 75 A, 1.55 V, 175 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A

на замовлення 266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	242.04 грн
10+	171.07 грн
100+	129.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKWH40N65WR6XKSA1

SP005542785

товар відсутній

IKWH40N65WR6XKSA1

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

на замовлення 576 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	216.76 грн
10+	195.29 грн
25+	147.17 грн
100+	126.53 грн
240+	119.2 грн
480+	114.54 грн
1200+	90.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKWH40N65WR6XKSA1

Description: IGBT TRENCH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/353ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 570µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 117 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 175 W

на замовлення 246 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	199.54 грн
30+	152.33 грн
120+	130.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKWH50N65EH7XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 179 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	442.07 грн
10+	366.06 грн
25+	301 грн
100+	257.72 грн
240+	243.07 грн
480+	228.42 грн
1200+	195.79 грн

IKWH50N65EH7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/147ns
Switching Energy: 1.27mJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 249 W
Package / Case: TO-247-3
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	407.01 грн
10+	329.22 грн

IKWH50N65EH7XKSA1

Description: INFINEON - IKWH50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 249 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 249W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	472.88 грн
10+	405.64 грн
100+	350.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKWH50N65EH7XKSA1

INDUSTRY 14

товар відсутній

IKWH50N65WR6XKSA1

SP005542787

товар відсутній

IKWH50N65WR6XKSA1

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

на замовлення 605 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	269.59 грн
10+	242 грн
25+	183.13 грн
100+	157.16 грн
240+	151.83 грн
480+	142.51 грн
1200+	112.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKWH50N65WR6XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/351ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 730µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 205 W

на замовлення 456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	247.8 грн
30+	189.31 грн
120+	162.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKWH60N65WR6XKSA1

SP005430894

товар відсутній

IKWH60N65WR6XKSA1

Description: INFINEON - IKWH60N65WR6XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.55 V, 240 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	339.9 грн
10+	242.04 грн
100+	183.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKWH60N65WR6XKSA1

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	307.66 грн
10+	276.46 грн
25+	209.1 грн
100+	179.8 грн
240+	173.14 грн
480+	159.16 грн
1200+	128.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKWH60N65WR6XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/311ns
Switching Energy: 1.82mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 174 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 240 W

на замовлення 438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	283.1 грн
30+	216.13 грн
120+	185.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKWH70N65WR6XKSA1

SP005430896

товар відсутній

IKWH70N65WR6XKSA1

IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	346.51 грн
10+	287.18 грн
25+	235.08 грн
100+	153.83 грн

IKWH70N65WR6XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 122A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/378ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 400V, 70A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 269 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 122 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A
Power - Max: 290 W

на замовлення 248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	318.4 грн
30+	243.34 грн
120+	208.59 грн

IKWH75N65EH7XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKWH75N65EH7XKSA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	505 грн
10+	426.56 грн
25+	336.96 грн
100+	308.99 грн
240+	290.35 грн
480+	272.37 грн
1200+	245.06 грн

IKWH75N65EH7XKSA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/45ns
Switching Energy: 2.42mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 341 W

на замовлення 184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	464.63 грн
10+	383.61 грн

IKWH75N65EH7XKSA1