IKW75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 884.47 грн |
| 10+ | 841.3 грн |
| 25+ | 838.27 грн |
| 50+ | 790.05 грн |
| 100+ | 706.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKW75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns, Switching Energy: 450µJ (on), 750µJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V, Gate Charge: 164 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 395 W.
Інші пропозиції IKW75N65SS5XKSA1 за ціною від 486.9 грн до 1801.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IKW75N65SS5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW75N65SS5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors SIC DISCRETE |
на замовлення 637 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKW75N65SS5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW75N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.35Vsat tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 395W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKW75N65SS5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IKW75N65SS5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP004038158 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
IKW75N65SS5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IKW75N65SS5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns Switching Energy: 450µJ (on), 750µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V Gate Charge: 164 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W |
товар відсутній |