Продукція > IMW
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IMW120R007M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R007M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 225A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 750W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R007M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R007M1HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | на замовлення 374 шт: термін постачання 196-205 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R007M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 108A, 18V Power Dissipation (Max): 750W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 47mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 289 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9170 pF @ 800 V | на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R007M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R007M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SP005425447 | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R014M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R014M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R014M1HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R014M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 54.3A, 18V Power Dissipation (Max): 455W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 23.4mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 800 V | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R014M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R014M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SP005425449 | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R014M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 89.3A; Idm: 267.9A; 227W Kind of package: tube Mounting: THT Drain current: 89.3A On-state resistance: 27mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 227W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...20V Pulsed drain current: 267.9A Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R014M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R014M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 89.3A; Idm: 267.9A; 227W Kind of package: tube Mounting: THT Drain current: 89.3A On-state resistance: 27mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 227W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...20V Pulsed drain current: 267.9A Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R020M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 800 V | на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R020M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SP005448291 | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R020M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 213A; 188W Kind of package: tube Mounting: THT Drain current: 71A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 188W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...20V Pulsed drain current: 213A Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R020M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R020M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 213A; 188W Kind of package: tube Mounting: THT Drain current: 71A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 188W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...20V Pulsed drain current: 213A Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R020M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R020M1HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | на замовлення 434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R030M1H | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | на замовлення 1259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R030M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 227W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R030M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolSiC™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 45A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 114W Case: TO247 Gate-source voltage: -7...23V On-state resistance: 57mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R030M1HXKSA1 Код товару: 164203 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
IMW120R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V | на замовлення 1696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A Tube | на замовлення 152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R030M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolSiC™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 45A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 114W Case: TO247 Gate-source voltage: -7...23V On-state resistance: 57mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R040M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 10mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 nF @ 25 V | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R040M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R040M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R040M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R040M1HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | на замовлення 217 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R040M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R040M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R040M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R045M1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R045M1 | Infineon | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IMW120R045M1XKSA1 Код товару: 172225 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
IMW120R045M1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R045M1XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 228 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 228 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045 Rds(on)-Prüfspannung: 15 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R045M1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R045M1XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W Kind of package: tube Mounting: THT Drain current: 36A On-state resistance: 59mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 114W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -10...20V Pulsed drain current: 130A Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R045M1XKSA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 228W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R045M1XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A Tube | на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R045M1XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | на замовлення 339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R045M1XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W Kind of package: tube Mounting: THT Drain current: 36A On-state resistance: 59mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 114W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -10...20V Pulsed drain current: 130A Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R060M1H | Infineon Technologies | Infineon SIC DISCRETE | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R060M1HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R060M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SP001808368 | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R060M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 76A; 75W; TO247 Kind of package: tube Mounting: THT Drain current: 26A On-state resistance: 113mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 75W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 76A Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R060M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3 | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R060M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SP001808368 | на замовлення 554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R060M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 76A; 75W; TO247 Kind of package: tube Mounting: THT Drain current: 26A On-state resistance: 113mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 75W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 76A Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R060M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SP001808368 | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R090M1H | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R090M1HXKSA1 | Infineon Technologies | 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R090M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W; TO247 Kind of package: tube Mounting: THT Drain current: 18A On-state resistance: 0.17Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 58W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 50A Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R090M1HXKSA1 | Infineon Technologies | 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R090M1HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | на замовлення 1481 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R090M1HXKSA1 | Infineon Technologies | 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R090M1HXKSA1 Код товару: 182112 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
IMW120R090M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm | на замовлення 666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R090M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W; TO247 Kind of package: tube Mounting: THT Drain current: 18A On-state resistance: 0.17Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 58W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 50A Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R090M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R140M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm | на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R140M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13A; Idm: 32A; 47W; TO247 Kind of package: tube Mounting: THT Drain current: 13A On-state resistance: 265mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 47W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 32A Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R140M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 800 V | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R140M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SP001946184 | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R140M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13A; Idm: 32A; 47W; TO247 Kind of package: tube Mounting: THT Drain current: 13A On-state resistance: 265mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 47W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 32A Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R140M1HXKSA1 | Infineon Technologies | SP001946184 | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R140M1HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | на замовлення 398 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R220M1H | Infineon | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IMW120R220M1H | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R220M1HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | на замовлення 530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R220M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 75W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R220M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9.5A; Idm: 21A; 37.5W Kind of package: tube Mounting: THT Drain current: 9.5A On-state resistance: 416mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 37.5W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 21A Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R220M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 4A, 18V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V | на замовлення 1263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R220M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R220M1HXKSA1 | Infineon Technologies | N-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3 | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R220M1HXKSA1 | Infineon Technologies | N-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3 | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R220M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9.5A; Idm: 21A; 37.5W Kind of package: tube Mounting: THT Drain current: 9.5A On-state resistance: 416mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 37.5W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 21A Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R220M1HXKSA1 | Infineon Technologies | N-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3 | на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R350M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R350M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 4.7A; Idm: 13A; 30W Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 662mΩ Drain current: 4.7A Drain-source voltage: 1.2kV Power dissipation: 30W Technology: CoolSiC™; SiC Case: TO247 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 13A Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R350M1HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SIC DISCRETE | на замовлення 283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R350M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R350M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 4.7A; Idm: 13A; 30W Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 662mΩ Drain current: 4.7A Drain-source voltage: 1.2kV Power dissipation: 30W Technology: CoolSiC™; SiC Case: TO247 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 13A Polarisation: unipolar | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW120R350M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 2A, 18V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V | на замовлення 1208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW120R350M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW65R020M2HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW65R020M2HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V Power Dissipation (Max): 273W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-40 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW65R020M2HXKSA1 | Infineon Technologies | IMW65R020M2HXKSA1 | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW65R027M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 185A; 189W Mounting: THT Power dissipation: 189W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...23V Pulsed drain current: 185A Case: TO247 Drain-source voltage: 650V Drain current: 39A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW65R027M1HXKSA1 Код товару: 193216 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
IMW65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW65R027M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 185A; 189W Mounting: THT Power dissipation: 189W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...23V Pulsed drain current: 185A Case: TO247 Drain-source voltage: 650V Drain current: 39A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 266 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V Power Dissipation (Max): 189W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V | на замовлення 351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW65R030M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247 tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 197W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 559 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V Power Dissipation (Max): 197W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +20V, -2V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW65R030M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +20V, -2V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V | на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R039M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R039M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247 tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 176W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R048M1H | Infineon Technologies | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 614 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW65R048M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW65R048M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W Case: TO247 Mounting: THT On-state resistance: 63mΩ Kind of package: tube Technology: CoolSiC™; SiC Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Drain current: 24A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...23V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V | на замовлення 1435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R048M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W Case: TO247 Mounting: THT On-state resistance: 63mΩ Kind of package: tube Technology: CoolSiC™; SiC Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Drain current: 24A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...23V | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V Power Dissipation (Max): 133W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +20V, -2V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V | на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 82 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R072M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 96W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R072M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IMW65R072M1HXKSA1 THT N channel transistors | на замовлення 25 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R072M1HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R072M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R072M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R083M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +20V, -2V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R083M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247 tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R083M1HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R107M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 8.9A, 18V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V | на замовлення 636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R107M1HXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMW65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R107M1HXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW65R107M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W; TO247 Case: TO247 Mounting: THT Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A On-state resistance: 139mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 75W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...23V Pulsed drain current: 48A | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW65R107M1HXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | на замовлення 369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMW65R107M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W; TO247 Case: TO247 Mounting: THT Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A On-state resistance: 139mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 75W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...23V Pulsed drain current: 48A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IMW65R107M1HXKSA1 | Infineon Technologies | CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package | товар відсутній | |||||||||||||||
IMWPAWFXH | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn, Alu, Rope, Cad | товар відсутній | |||||||||||||||
IMWPAWSXH | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories Cap, MW Plug Conn, Alu, SS Chain, Cad | на замовлення 16 шт: термін постачання 154-163 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IMWPBWFNH | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Rope, Ring, Cad | товар відсутній | |||||||||||||||
IMWPBWFXH | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Rope, Cad | товар відсутній | |||||||||||||||
IMWPBWGNH | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Cord, Ring, Cad | товар відсутній | |||||||||||||||
IMWPBWGXH | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Cord, Cad | товар відсутній | |||||||||||||||
IMWPBWSNH | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, SS Chain, Ring, Cad | товар відсутній | |||||||||||||||
IMWPBWSXH | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, SS Chain, Cad | товар відсутній | |||||||||||||||
IMWRAWFXH | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Connector Cap, MW Rec Conn, Alu, Rope, Cad | товар відсутній | |||||||||||||||
IMWRAWGNH | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Connector Cap, MW Rec Conn, Alu, Cord, Ring, Cad | товар відсутній | |||||||||||||||
IMWRBWFXH | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Connector Cap, MW Rec Conn, Brass, Rope, Cad | товар відсутній |