IMW65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 514.48 грн |
| 30+ | 415.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IMW65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMW65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IMW65R048M1HXKSA1 за ціною від 417.15 грн до 1514.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMW65R048M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET |
на замовлення 614 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMW65R048M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IMW65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMW65R048M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IMW65R048M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IMW65R048M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IMW65R048M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| IMW65R048M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W Case: TO247 Mounting: THT On-state resistance: 63mΩ Kind of package: tube Technology: CoolSiC™; SiC Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Drain current: 24A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...23V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| IMW65R048M1HXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W Case: TO247 Mounting: THT On-state resistance: 63mΩ Kind of package: tube Technology: CoolSiC™; SiC Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Drain current: 24A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...23V |
товар відсутній |