Продукція > IPN

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

IPN06N03LAG

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPN102

iBASE Technology

Description: RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSI
Packaging: Box
Accessory Type: Riser Card
Specifications: Riser Card For MBN805C/H GF2, 1X PCI-E X8 Slot

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2017.02 грн

IPN103

iBASE Technology

Description: RISER CARD, 2-TO-2 PCI-E EXPANSI
Packaging: Box
Accessory Type: Riser Card
Specifications: Riser Card For MBN800-8L GF1 & GF2, 2x PCI-E X8 Expansion Slot

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2881.45 грн

IPN104

iBASE Technology

Description: RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSI

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPN10EL-S

Infineon Technologies

Gate Drivers MOSFET

на замовлення 2095 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPN10ELSXUMA1

Infineon Technologies

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SSOP

товар відсутній

IPN10ELSXUMA1

Infineon Technologies

Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-14

на замовлення 237500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

473+	46.03 грн

Мінімальне замовлення: 473

IPN10ELSXUMA1

Infineon Technologies

Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-14

товар відсутній

IPN2120A

TQFP128

на замовлення 17290 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPN2220

O4

на замовлення 84 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPN50R1K4CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN50R1K4CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm

на замовлення 2759 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.95 грн
500+	13.25 грн
1500+	11.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN50R1K4CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V

на замовлення 17319 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.62 грн
10+	32.81 грн
100+	22.8 грн
500+	16.71 грн
1000+	13.58 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPN50R1K4CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm

на замовлення 2759 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	29.66 грн
50+	24.8 грн
100+	19.95 грн
500+	13.25 грн
1500+	11.97 грн

Мінімальне замовлення: 26

IPN50R1K4CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN50R1K4CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN50R1K4CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.44 грн
6000+	12.28 грн
9000+	11.4 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN50R1K4CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

на замовлення 8006 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.13 грн
11+	30.4 грн
100+	19.18 грн
500+	15.52 грн
1000+	12.99 грн
3000+	11.12 грн
9000+	10.85 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN50R2K0CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm

на замовлення 3172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.89 грн
500+	15.95 грн
1000+	10.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 2680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

373+	31.35 грн
408+	28.67 грн
409+	28.57 грн
503+	22.39 грн
1000+	19.4 грн

Мінімальне замовлення: 373

IPN50R2K0CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V

на замовлення 4835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	32.42 грн
11+	27.05 грн
100+	18.77 грн
500+	13.76 грн
1000+	11.18 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

на замовлення 791 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	35.43 грн
11+	29.71 грн
100+	18.05 грн
500+	14.18 грн
1000+	11.52 грн
3000+	9.59 грн
9000+	9.06 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.1 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN50R2K0CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm

на замовлення 3172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	39.07 грн
23+	32.65 грн
100+	21.89 грн
500+	15.95 грн
1000+	10.37 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPN50R2K0CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 186000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN50R3K0CE

Infineon Technologies

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN50R3K0CE

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

товар відсутній

IPN50R3K0CEATMA1
Код товару: 193023

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPN50R3K0CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

на замовлення 12067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	28.81 грн
12+	23.65 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPN50R3K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN50R3K0CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm

на замовлення 7690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.85 грн
500+	10.54 грн
1500+	9.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN50R3K0CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.69 грн
6000+	8.86 грн
9000+	8.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN50R3K0CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

на замовлення 4057 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.08 грн
12+	26.27 грн
100+	15.92 грн
500+	12.45 грн
1000+	10.12 грн
3000+	8.52 грн
9000+	7.92 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPN50R3K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN50R3K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 1.7A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN50R3K0CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm

на замовлення 7690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	28.69 грн
50+	23.31 грн
100+	17.85 грн
500+	10.54 грн
1500+	9.54 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPN50R3K0CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPN50R650CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	62.83 грн
16+	48.56 грн

Мінімальне замовлення: 12

IPN50R650CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPN50R650CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

на замовлення 8800 шт:

термін постачання 961-970 дні (днів)

6+	52.44 грн
10+	45.87 грн
100+	31.7 грн
500+	26.7 грн
1000+	22.18 грн
3000+	21.04 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPN50R650CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 6.1A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN50R650CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN50R650CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN50R650CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPN50R650CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN50R650CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	21.91 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPN50R800CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN50R800CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.64 грн
6000+	14.27 грн
9000+	13.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN50R800CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm

на замовлення 3138 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	35.86 грн
25+	29.96 грн
100+	20.77 грн
500+	17.2 грн
1000+	13.64 грн

Мінімальне замовлення: 21

IPN50R800CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN50R800CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2906 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	57.37 грн
6+	44.26 грн
25+	38.46 грн
26+	37.21 грн
72+	35.21 грн
500+	33.8 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN50R800CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2906 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	47.81 грн
10+	35.52 грн
25+	32.05 грн
26+	31.01 грн
72+	29.34 грн
500+	28.16 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPN50R800CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

на замовлення 15140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	41.78 грн
10+	34.34 грн
100+	23.79 грн
500+	18.65 грн
1000+	15.88 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPN50R800CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	48.65 грн
14+	43.53 грн
25+	42.04 грн

Мінімальне замовлення: 12

IPN50R800CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm

на замовлення 3138 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.77 грн
500+	17.2 грн
1000+	13.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN50R800CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

на замовлення 364 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.47 грн
10+	47.94 грн
100+	31.96 грн
500+	25.31 грн
1000+	20.24 грн
3000+	18.31 грн
6000+	18.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPN50R800CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPN50R950CE

Infineon Technologies

Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN50R950CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm

на замовлення 124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN50R950CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN50R950CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2946 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	25.4 грн
25+	21.16 грн
50+	16.23 грн
137+	15.33 грн

Мінімальне замовлення: 15

IPN50R950CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

на замовлення 619 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.34 грн
10+	32.81 грн
100+	22.82 грн
500+	16.73 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPN50R950CEATMA1

Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm

на замовлення 124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	33.24 грн
50+	27.42 грн
100+	21.51 грн

Мінімальне замовлення: 23

IPN50R950CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

на замовлення 8921 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.88 грн
10+	30.79 грн
100+	19.45 грн
500+	15.32 грн
1000+	13.32 грн
3000+	11.92 грн
9000+	11.12 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPN50R950CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN50R950CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN50R950CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN50R950CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2946 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

9+	30.48 грн
25+	26.37 грн
50+	19.48 грн
137+	18.4 грн
3000+	17.73 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPN5320

04+

на замовлення 25 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPN5330

O4

на замовлення 79 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPN60R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.49 грн
6000+	18.32 грн
15000+	17.72 грн
30000+	16.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

на замовлення 1351 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.6 грн
13+	25.35 грн
100+	18.05 грн
500+	16.45 грн
1000+	14.58 грн
3000+	13.92 грн
9000+	13.65 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPN60R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R1K0CEATMA1

Description: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.42 грн
500+	21.37 грн
1000+	14.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN60R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 4670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	39.23 грн
17+	36.08 грн
25+	35.72 грн
100+	29.11 грн
250+	26.83 грн
500+	21.55 грн
1000+	18 грн
3000+	16.49 грн

Мінімальне замовлення: 15

IPN60R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 4670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

277+	42.24 грн

Мінімальне замовлення: 277

IPN60R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

на замовлення 14990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.22 грн
10+	35.79 грн
100+	24.8 грн
500+	19.45 грн
1000+	16.55 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPN60R1K0CEATMA1

Description: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	53.26 грн
18+	43.78 грн
100+	27.42 грн
500+	21.37 грн
1000+	14.92 грн

Мінімальне замовлення: 15

IPN60R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.91 грн
6000+	18.72 грн
15000+	18.11 грн
30000+	17.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

на замовлення 14990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.31 грн
6000+	14.88 грн
9000+	13.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R1K0PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Description: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V

товар відсутній

IPN60R1K0PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.11 грн
500+	26.36 грн
1000+	17.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN60R1K0PFD7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

на замовлення 13112 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	52.75 грн
10+	40.9 грн
100+	27.17 грн
500+	22.71 грн
1000+	19.31 грн
3000+	16.71 грн
6000+	16.12 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPN60R1K0PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Description: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V

товар відсутній

IPN60R1K0PFD7SATMA1

Infineon Technologies

RECP ASSY

товар відсутній

IPN60R1K0PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	53.34 грн
17+	45.87 грн
100+	35.11 грн
500+	26.36 грн
1000+	17.61 грн

Мінімальне замовлення: 15

IPN60R1K5CE

Infineon technologies

на замовлення 97 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPN60R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.6 грн
6000+	20.4 грн
12000+	20.19 грн
15000+	19.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

на замовлення 8950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.05 грн
10+	34.39 грн
100+	22.38 грн
500+	18.11 грн
1000+	15.12 грн
3000+	12.85 грн
9000+	11.72 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPN60R1K5CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IPN60R1K5CEATMA1 SMD N channel transistors

товар відсутній

IPN60R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN60R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.16 грн
6000+	19.97 грн
12000+	19.76 грн
15000+	18.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R1K5CEATMA1

Description: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm

на замовлення 20640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.53 грн
500+	14.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN60R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN60R1K5CEATMA1

Description: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm

на замовлення 20640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	30.11 грн
30+	25.18 грн
100+	18.53 грн
500+	14.98 грн

Мінімальне замовлення: 25

IPN60R1K5PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.22 грн
10+	36.21 грн
100+	25.06 грн
500+	19.66 грн
1000+	16.73 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPN60R1K5PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R1K5PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 1.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26 грн
500+	19.84 грн
1000+	15.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN60R1K5PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R1K5PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V

товар відсутній

IPN60R1K5PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R1K5PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R1K5PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 1.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	43.33 грн
20+	37.43 грн
100+	26 грн
500+	19.84 грн
1000+	15.56 грн

Мінімальне замовлення: 18

IPN60R1K5PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R1K5PFD7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

на замовлення 3001 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.23 грн
10+	38.37 грн
100+	24.24 грн
500+	20.18 грн
1000+	17.25 грн
3000+	15.05 грн
6000+	14.52 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPN60R1K5PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R2K0PFD7S

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

товар відсутній

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

145+	80.56 грн
298+	39.29 грн
325+	36.01 грн
326+	34.54 грн
500+	26.05 грн
1000+	23.38 грн
3000+	21.94 грн

Мінімальне замовлення: 145

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

на замовлення 5897 шт:

термін постачання 352-361 дні (днів)

8+	44.05 грн
10+	37.83 грн
100+	22.77 грн
500+	19.05 грн
1000+	16.25 грн
3000+	15.05 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V

на замовлення 15430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.34 грн
10+	33.99 грн
100+	23.54 грн
500+	18.46 грн
1000+	15.71 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R2K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.48 грн
6000+	14.12 грн
9000+	13.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R2K0PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R2K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	48.48 грн
19+	40.86 грн

Мінімальне замовлення: 16

IPN60R2K1CE

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

товар відсутній

IPN60R2K1CE

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN60R2K1CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN60R2K1CEATMA1

Description: INFINEON - IPN60R2K1CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 1.89 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.89ohm

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	43.85 грн
21+	36.61 грн
100+	24.58 грн
500+	17.97 грн
1000+	11.65 грн

Мінімальне замовлення: 18

IPN60R2K1CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R2K1CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R2K1CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

на замовлення 798 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.18 грн
10+	33.77 грн
100+	20.78 грн
500+	16.32 грн
1000+	12.92 грн
3000+	10.99 грн
9000+	10.19 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPN60R2K1CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN60R2K1CEATMA1

Description: INFINEON - IPN60R2K1CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 1.89 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.89ohm

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.58 грн
500+	17.97 грн
1000+	11.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN60R2K1CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPN60R2K1CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R2K1CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPN60R360P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	68.99 грн
6000+	68.32 грн
12000+	67.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R360P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V

товар відсутній

IPN60R360P7SATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

товар відсутній

IPN60R360P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R360P7SATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

IPN60R360P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	67.52 грн
6000+	66.86 грн
12000+	66.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R360P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V

товар відсутній

IPN60R360P7SATMA1
Код товару: 133578

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPN60R360P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R360P7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

на замовлення 6919 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.73 грн
10+	53.38 грн
100+	36.09 грн
500+	30.57 грн
1000+	24.91 грн
3000+	23.44 грн
6000+	22.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN60R360P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R360PFD7SATMA1

Transistors - FETs, MOSFETs - Single IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7S TIPN60r360pfd7s
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

1+	533.57 грн

IPN60R360PFD7SATMA1

Transistors - FETs, MOSFETs - Single IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7S TIPN60r360pfd7s
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

2+	266.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPN60R360PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 6983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.2 грн
500+	48.42 грн
1000+	35.35 грн
3000+	30.1 грн
6000+	29.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN60R360PFD7SATMA1

Infineon Technologies

600V CoolMOS PFD7 SJ Power Device

товар відсутній

IPN60R360PFD7SATMA1

Infineon Technologies

600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

119+	98.42 грн
123+	95.59 грн
150+	78.13 грн
250+	73.89 грн
500+	55.07 грн
1000+	42.82 грн
3000+	38.81 грн

Мінімальне замовлення: 119

IPN60R360PFD7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

на замовлення 4828 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.3 грн
10+	61.57 грн
100+	42.29 грн
500+	35.83 грн
1000+	27.77 грн
3000+	27.04 грн
6000+	26.1 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN60R360PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V

на замовлення 13404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.32 грн
10+	56.26 грн
100+	43.75 грн
500+	34.8 грн
1000+	28.35 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN60R360PFD7SATMA1

Transistors - FETs, MOSFETs - Single IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7S TIPN60r360pfd7s
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 47 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	34.38 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPN60R360PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 6983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	103.84 грн
10+	85.16 грн
100+	63.2 грн
500+	48.42 грн
1000+	35.35 грн
3000+	30.1 грн
6000+	29.45 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPN60R360PFD7SATMA1

Infineon Technologies

600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	105.92 грн
10+	91.39 грн
25+	88.76 грн
100+	69.96 грн
250+	63.53 грн
500+	49.09 грн
1000+	39.76 грн
3000+	36.04 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPN60R360PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.53 грн
6000+	27.08 грн
9000+	25.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R360PFD7SATMA1

Infineon Technologies

600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package

товар відсутній

IPN60R3K4CE

Infineon technologies

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPN60R3K4CE

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPN60R3K4CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

на замовлення 21822 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	35.43 грн
11+	29.64 грн
100+	17.91 грн
500+	13.98 грн
1000+	11.39 грн
3000+	9.59 грн
9000+	8.92 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPN60R3K4CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.6A; Idm: 3.9A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 3.9A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

IPN60R3K4CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.9 грн
6000+	9.96 грн
9000+	9.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R3K4CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

279+	41.87 грн

Мінімальне замовлення: 279

IPN60R3K4CEATMA1
Код товару: 143229

Транзистори > Біполярні NPN

товар відсутній

IPN60R3K4CEATMA1

Description: INFINEON - IPN60R3K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.6 A, 3.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.06ohm

на замовлення 6336 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.59 грн
500+	12.21 грн
1500+	11.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN60R3K4CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R3K4CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

на замовлення 22709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	32.42 грн
11+	26.64 грн
100+	18.51 грн
500+	13.56 грн
1000+	11.02 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPN60R3K4CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R3K4CEATMA1

Description: INFINEON - IPN60R3K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.6 A, 3.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.06ohm

на замовлення 6336 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	32.87 грн
50+	27.27 грн
100+	21.59 грн
500+	12.21 грн
1500+	11.01 грн

Мінімальне замовлення: 23

IPN60R3K4CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R3K4CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.6A; Idm: 3.9A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 3.9A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPN60R600P7S

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

товар відсутній

IPN60R600P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm

на замовлення 2193 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	78.44 грн
12+	63.95 грн
100+	45.35 грн
500+	33.85 грн
1000+	25.04 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPN60R600P7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

на замовлення 114 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.28 грн
10+	49.86 грн
100+	29.57 грн
500+	24.71 грн
1000+	20.98 грн
3000+	18.71 грн
6000+	17.71 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPN60R600P7SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7S TIPN60r600p7s
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	35.4 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPN60R600P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V

товар відсутній

IPN60R600P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R600P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

204+	57.44 грн
239+	48.91 грн
279+	41.87 грн
295+	38.27 грн
500+	33.22 грн
1000+	29.93 грн
3000+	27.47 грн
6000+	26.28 грн

Мінімальне замовлення: 204

IPN60R600P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R600P7SATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

товар відсутній

IPN60R600P7SATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPN60R600P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm

на замовлення 2193 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.35 грн
500+	33.85 грн
1000+	25.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN60R600P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V

товар відсутній

IPN60R600P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN60R600PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Description: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.51 грн
10+	50.22 грн
100+	34.76 грн
500+	27.26 грн
1000+	23.2 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN60R600PFD7SATMA1

Infineon Technologies

600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package

товар відсутній

IPN60R600PFD7SATMA1

Infineon Technologies

600V CoolMOS PFD7 SJ Power Device

товар відсутній

IPN60R600PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 7
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 1917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.01 грн
500+	37.67 грн
1000+	26.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN60R600PFD7SATMA1

Infineon Technologies

Description: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.86 грн
6000+	20.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN60R600PFD7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

на замовлення 2790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.1 грн
10+	50.01 грн
100+	31.43 грн
500+	26.64 грн
1000+	23.11 грн
3000+	20.51 грн
6000+	20.04 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPN60R600PFD7SATMA1

Description: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.517
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 1917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	69.92 грн
12+	62.83 грн
100+	49.01 грн
500+	37.67 грн
1000+	26.64 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPN65R1K5CE

Infineon Technologies

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN65R1K5CEATMA1

Description: INFINEON - IPN65R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.2 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm

на замовлення 1415 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.52 грн
500+	19.22 грн
1000+	13.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN65R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN65R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

на замовлення 1973 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.4 грн
10+	42.35 грн
100+	25.17 грн
500+	20.98 грн
1000+	17.85 грн
3000+	16.18 грн
6000+	15.05 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPN65R1K5CEATMA1

Description: INFINEON - IPN65R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.2 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm

на замовлення 1415 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	51.1 грн
18+	42.06 грн
100+	26.52 грн
500+	19.22 грн
1000+	13.13 грн

Мінімальне замовлення: 15

IPN65R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 650V 5.2A 3-Pin SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN65R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN70R1K0CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.7A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.2nC
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPN70R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN70R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R1K0CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.7A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.2nC
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPN70R1K2P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V

товар відсутній

IPN70R1K2P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R1K2P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

207+	56.61 грн
248+	47.08 грн
295+	39.68 грн
321+	35.08 грн
500+	30.49 грн
1000+	22.93 грн
2000+	21.84 грн
3000+	20.59 грн

Мінімальне замовлення: 207

IPN70R1K2P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	42.51 грн
21+	37.05 грн
100+	25.62 грн
500+	19.42 грн
1000+	15.3 грн
3000+	13.9 грн

Мінімальне замовлення: 18

IPN70R1K2P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R1K2P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	23.26 грн
27+	21.76 грн
100+	17.82 грн
250+	16.17 грн
500+	14.36 грн
1000+	11.51 грн

Мінімальне замовлення: 25

IPN70R1K2P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V

на замовлення 1468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.62 грн
10+	33.02 грн
100+	22.86 грн
500+	17.92 грн
1000+	15.25 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPN70R1K2P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

499+	23.43 грн
587+	19.9 грн
599+	19.51 грн
648+	17.39 грн
1000+	12.91 грн

Мінімальне замовлення: 499

IPN70R1K2P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.62 грн
500+	19.42 грн
1000+	15.3 грн
3000+	13.9 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN70R1K2P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R1K2P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R1K2P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R1K2P7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

на замовлення 3934 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.3 грн
10+	32.93 грн
100+	20.31 грн
500+	17.25 грн
1000+	13.78 грн
3000+	13.65 грн
6000+	12.85 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPN70R1K4P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R1K4P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.27 грн
6000+	13.04 грн
9000+	12.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R1K4P7SATMA1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPN70R1K4P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R1K4P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1807 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.68 грн
500+	18.45 грн
1000+	14.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN70R1K4P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R1K4P7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

на замовлення 955 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	45.53 грн
10+	38.21 грн
100+	23.17 грн
500+	18.11 грн
1000+	14.65 грн
3000+	12.39 грн
9000+	11.52 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPN70R1K4P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R1K4P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V

на замовлення 10788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	42.5 грн
10+	34.82 грн
100+	24.22 грн
500+	17.74 грн
1000+	14.42 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPN70R1K4P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R1K4P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1807 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	39.37 грн
22+	34.21 грн
100+	23.68 грн
500+	18.45 грн
1000+	14.47 грн

Мінімальне замовлення: 19

IPN70R1K5CE

Infineon technologies

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPN70R1K5CE

Infineon Technologies

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN70R1K5CEATMA1

Description: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 10566 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	56.78 грн
17+	46.62 грн
100+	29.36 грн
500+	22.75 грн
1000+	15.62 грн
5000+	15.3 грн

Мінімальне замовлення: 14

IPN70R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

на замовлення 968 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	28.87 грн
100+	24.77 грн
500+	21.31 грн
1000+	18.11 грн
3000+	16.25 грн
6000+	15.25 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPN70R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPN70R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2473 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

446+	26.18 грн
465+	25.13 грн
500+	24.22 грн
1000+	22.59 грн

Мінімальне замовлення: 446

IPN70R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN70R1K5CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.4A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPN70R1K5CEATMA1

Description: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 10566 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.36 грн
500+	22.75 грн
1000+	15.62 грн
5000+	15.3 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN70R1K5CEATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.4A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPN70R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN70R2K0P7S

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

товар відсутній

IPN70R2K0P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	40.51 грн
17+	34.63 грн
25+	34.24 грн
100+	23.7 грн
250+	21.71 грн
500+	15.74 грн
1000+	13.5 грн
3000+	10.43 грн

Мінімальне замовлення: 15

IPN70R2K0P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V

товар відсутній

IPN70R2K0P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

844+	13.83 грн

Мінімальне замовлення: 844

IPN70R2K0P7SATMA1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPN70R2K0P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm

на замовлення 1810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	46.09 грн
20+	38.25 грн
100+	24.05 грн
500+	17.41 грн
1000+	13.7 грн

Мінімальне замовлення: 17

IPN70R2K0P7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

на замовлення 69 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.88 грн
10+	35.38 грн
100+	21.44 грн
500+	16.71 грн
1000+	14.18 грн
3000+	12.05 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPN70R2K0P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R2K0P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R2K0P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V

на замовлення 2787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.18 грн
10+	31.49 грн
100+	21.93 грн
500+	16.07 грн
1000+	13.06 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPN70R2K0P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm

на замовлення 1810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.05 грн
500+	17.41 грн
1000+	13.7 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN70R2K1CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 100 V

товар відсутній

IPN70R2K1CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R2K1CEATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R2K1CEATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

товар відсутній

IPN70R360P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 6562 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.16 грн
500+	32.39 грн
1000+	24.27 грн
5000+	21.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN70R360P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

201+	58.27 грн
203+	57.68 грн
256+	45.61 грн
259+	43.53 грн
500+	32.93 грн
1000+	25.56 грн

Мінімальне замовлення: 201

IPN70R360P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R360P7SATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 7.2W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

товар відсутній

IPN70R360P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 6562 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	73.81 грн
13+	57.52 грн
100+	41.16 грн
500+	32.39 грн
1000+	24.27 грн
5000+	21.64 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPN70R360P7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

на замовлення 5279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	63.55 грн
10+	51.54 грн
100+	35.29 грн
500+	30.03 грн
1000+	24.44 грн
3000+	23.77 грн
6000+	22.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN70R360P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V

на замовлення 3733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.95 грн
10+	48.77 грн
100+	37.93 грн
500+	30.17 грн
1000+	24.58 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN70R360P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R360P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.6 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R360P7SATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 7.2W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

IPN70R360P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.6 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R360P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	65.74 грн
11+	54.1 грн
25+	53.56 грн
100+	40.84 грн
250+	37.43 грн
500+	29.36 грн
1000+	23.73 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPN70R450P7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

на замовлення 638 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.68 грн
10+	58.43 грн
100+	35.16 грн
500+	29.43 грн
1000+	25.04 грн
3000+	22.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN70R450P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V

товар відсутній

IPN70R450P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

155+	75.5 грн
182+	64.29 грн
212+	55.06 грн
224+	50.32 грн
500+	43.58 грн
1000+	39.28 грн

Мінімальне замовлення: 155

IPN70R450P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	79.93 грн
12+	67.46 грн
100+	48.78 грн
500+	37.46 грн
1000+	27.28 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPN70R450P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	39.84 грн
16+	37.07 грн
25+	37.01 грн
100+	30.28 грн
250+	26.93 грн
500+	24.36 грн
1000+	22.11 грн

Мінімальне замовлення: 15

IPN70R450P7SATMA1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPN70R450P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

293+	39.86 грн
346+	33.82 грн
360+	31.32 грн
500+	27.32 грн
1000+	23.81 грн

Мінімальне замовлення: 293

IPN70R450P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.78 грн
500+	37.46 грн
1000+	27.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN70R450P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V

на замовлення 821 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.83 грн
10+	53.83 грн
100+	37.27 грн
500+	29.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN70R450P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R450P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R600P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V

товар відсутній

IPN70R600P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R600P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm

на замовлення 6640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.34 грн
500+	27.4 грн
1000+	18.63 грн
5000+	18.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN70R600P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R600P7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

на замовлення 5870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.8 грн
10+	47.56 грн
100+	30.23 грн
500+	25.24 грн
1000+	21.51 грн
3000+	18.45 грн
6000+	18.11 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPN70R600P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R600P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm

на замовлення 6436 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	53.79 грн
50+	44.52 грн
100+	35.26 грн
500+	23.31 грн
1500+	21.07 грн

Мінімальне замовлення: 14

IPN70R600P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V

на замовлення 3169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.75 грн
10+	45.23 грн
100+	31.32 грн
500+	24.56 грн
1000+	20.9 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPN70R750P7S

Infineon Technologies

Description: IPN70R750 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

IPN70R750P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R750P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.03 грн
6000+	16.45 грн
9000+	15.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R750P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R750P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R750P7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

на замовлення 13522 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	39 грн
10+	33.62 грн
100+	22.31 грн
500+	19.51 грн
1000+	16.52 грн
3000+	15.85 грн
6000+	15.52 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPN70R750P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

413+	28.31 грн
475+	24.62 грн
477+	24.47 грн
521+	21.64 грн
1000+	16.45 грн

Мінімальне замовлення: 413

IPN70R750P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.7W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm

на замовлення 2395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.13 грн
500+	22.82 грн
1000+	16.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN70R750P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V

на замовлення 14189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.54 грн
10+	39.61 грн
100+	27.41 грн
500+	21.49 грн
1000+	18.29 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPN70R750P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R750P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	93.76 грн
256+	45.74 грн
279+	41.87 грн
281+	40.18 грн
500+	30.29 грн
1000+	27.21 грн
3000+	25.51 грн

Мінімальне замовлення: 125

IPN70R750P7SATMA1
Код товару: 193676

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPN70R750P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	28.68 грн
22+	26.81 грн
25+	26.29 грн
100+	22.04 грн
250+	20.29 грн
500+	17.86 грн
1000+	14.67 грн

Мінімальне замовлення: 21

IPN70R750P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.7W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm

на замовлення 2395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	54.01 грн
17+	44.52 грн
100+	29.13 грн
500+	22.82 грн
1000+	16.14 грн

Мінімальне замовлення: 14

IPN70R900P7S

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

товар відсутній

IPN70R900P7SATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

IPN70R900P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3007 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	48.41 грн
19+	41.46 грн
100+	31.82 грн
500+	23.86 грн
1000+	17.61 грн
3000+	15.82 грн

Мінімальне замовлення: 16

IPN70R900P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V

товар відсутній

IPN70R900P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN70R900P7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	45.53 грн
10+	39.29 грн
100+	23.64 грн
500+	19.78 грн
1000+	16.78 грн
3000+	14.98 грн
6000+	14.12 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPN70R900P7SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN70R900P7SATMA1

Description: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3007 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.82 грн
500+	23.86 грн
1000+	17.61 грн
3000+	15.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN70R900P7SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V

на замовлення 2770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	42.5 грн
10+	35.38 грн
100+	24.48 грн
500+	19.2 грн
1000+	16.34 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPN70R900P7SATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

товар відсутній

IPN80R1K2P7

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

товар відсутній

IPN80R1K2P7
Код товару: 144481

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPN80R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V

на замовлення 5962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.6 грн
10+	55.63 грн
100+	43.29 грн
500+	34.43 грн
1000+	28.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN80R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R1K2P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm

на замовлення 2665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	82.92 грн
12+	64.1 грн
100+	46.91 грн
500+	36.9 грн
1000+	30.74 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPN80R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN80R1K2P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 6.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

товар відсутній

IPN80R1K2P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 6.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPN80R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

124+	94.35 грн
137+	85.72 грн
163+	71.93 грн
200+	65.63 грн
500+	54.57 грн
1000+	44.05 грн
3000+	39.37 грн

Мінімальне замовлення: 124

IPN80R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 2968 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.91 грн
10+	60.81 грн
100+	41.82 грн
500+	35.43 грн
1000+	28.84 грн
3000+	27.17 грн
6000+	25.9 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN80R1K2P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm

на замовлення 2665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.91 грн
500+	36.9 грн
1000+	30.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN80R1K4P7

Infineon Technologies

Infineon LOW POWER_NEW

товар відсутній

IPN80R1K4P7

Rochester Electronics, LLC

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

141+	83.34 грн
165+	70.93 грн
192+	60.82 грн
203+	55.58 грн
500+	48.1 грн
1000+	43.37 грн
3000+	39.8 грн

Мінімальне замовлення: 141

IPN80R1K4P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

товар відсутній

IPN80R1K4P7ATMA1
Код товару: 148097

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPN80R1K4P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	57.15 грн
500+	43.91 грн
1000+	33.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN80R1K4P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V

товар відсутній

IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	59.87 грн
12+	50.84 грн
25+	50.32 грн
100+	39.07 грн
250+	34.88 грн
500+	28.49 грн
1000+	25.15 грн
3000+	24.08 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN80R1K4P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	91.89 грн
10+	76.95 грн
100+	57.15 грн
500+	43.91 грн
1000+	33.62 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

214+	54.75 грн
216+	54.2 грн
268+	43.63 грн
278+	40.56 грн
500+	31.96 грн
1000+	27.09 грн
3000+	25.93 грн

Мінімальне замовлення: 214

IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V

на замовлення 1931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.95 грн
10+	48.7 грн
100+	37.85 грн
500+	30.11 грн
1000+	24.52 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 15905 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	64.33 грн
10+	53.3 грн
100+	35.69 грн
500+	30.3 грн
1000+	25.44 грн
3000+	24.24 грн
6000+	23.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN80R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V

товар відсутній

IPN80R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R2K0P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.86 грн
500+	37.94 грн
1000+	27.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN80R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V

товар відсутній

IPN80R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

P7 Power Transistor

товар відсутній

IPN80R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.2 грн
10+	53.15 грн
100+	34.96 грн
500+	29.17 грн
1000+	24.84 грн
3000+	22.51 грн
6000+	20.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN80R2K0P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	81.43 грн
12+	67.61 грн
100+	48.86 грн
500+	37.94 грн
1000+	27.66 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 5900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.28 грн
10+	52.31 грн
100+	31.03 грн
500+	25.9 грн
1000+	22.04 грн
3000+	19.91 грн
6000+	18.58 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V

на замовлення 11665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.47 грн
10+	45.92 грн
100+	31.8 грн
500+	24.93 грн
1000+	21.22 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R2K4P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm

на замовлення 2454 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.81 грн
500+	26.98 грн
1000+	18.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.91 грн
6000+	19.08 грн
9000+	17.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R2K4P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 6.3W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

товар відсутній

IPN80R2K4P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 6.3W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2653 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

174+	67.17 грн
205+	57.15 грн
239+	49.01 грн
252+	44.77 грн
500+	38.8 грн
1000+	34.95 грн

Мінімальне замовлення: 174

IPN80R2K4P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm

на замовлення 2454 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	65.14 грн
15+	51.92 грн
100+	34.81 грн
500+	26.98 грн
1000+	18.89 грн

Мінімальне замовлення: 12

IPN80R3K3P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R3K3P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 6.1W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

товар відсутній

IPN80R3K3P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 6.1W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPN80R3K3P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R3K3P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V

на замовлення 11402 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.98 грн
10+	41.27 грн
100+	28.55 грн
500+	22.38 грн
1000+	19.05 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPN80R3K3P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R3K3P7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 189-198 дні (днів)

6+	52.75 грн
10+	46.49 грн
100+	27.57 грн
500+	23.04 грн
1000+	19.58 грн
3000+	17.78 грн
6000+	16.45 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPN80R3K3P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.77 грн
6000+	17.13 грн
9000+	15.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN80R4K5P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4464 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	68.58 грн
14+	56.55 грн
100+	39.67 грн
500+	29.9 грн
1000+	22.09 грн
3000+	19.53 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 11960 шт:

термін постачання 547-556 дні (днів)

7+	49.1 грн
10+	42.04 грн
100+	25.31 грн
500+	21.11 грн
1000+	18.05 грн
3000+	15.52 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 4780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

278+	42.07 грн
304+	38.49 грн
305+	38.29 грн
500+	30.04 грн
1000+	26.05 грн
3000+	23.47 грн

Мінімальне замовлення: 278

IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V

на замовлення 5293 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.66 грн
10+	37.46 грн
100+	25.9 грн
500+	20.31 грн
1000+	17.28 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPN80R4K5P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4464 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.67 грн
500+	29.9 грн
1000+	22.09 грн
3000+	19.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.56 грн
6000+	17.2 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN80R4K5P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1A
Power dissipation: 6W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

на замовлення 2279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	91.14 грн
9+	38.71 грн
20+	34.61 грн
29+	28.33 грн
78+	26.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.45 грн
6000+	17.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN80R4K5P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1A
Power dissipation: 6W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2279 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	109.37 грн
6+	48.24 грн
20+	41.54 грн
29+	33.99 грн
78+	32.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPN80R600P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	77.39 грн
10+	70.35 грн
25+	69.65 грн
100+	59.33 грн
250+	54.38 грн
500+	47.88 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPN80R600P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V

товар відсутній

IPN80R600P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	143.43 грн
10+	115.04 грн
100+	91.14 грн
500+	69.37 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPN80R600P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 7.4W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

товар відсутній

IPN80R600P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R600P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 7.4W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPN80R600P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

141+	83.34 грн
155+	75.77 грн
156+	75 грн
177+	63.89 грн
250+	58.57 грн
500+	51.56 грн

Мінімальне замовлення: 141

IPN80R600P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V

на замовлення 2914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.22 грн
10+	87.06 грн
100+	67.69 грн
500+	53.84 грн
1000+	43.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPN80R600P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R600P7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 101 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.87 грн
10+	96.49 грн
100+	65.06 грн
500+	55.41 грн
1000+	45.15 грн
3000+	42.49 грн
6000+	40.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPN80R600P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	91.14 грн
500+	69.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN80R750P7

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

товар відсутній

IPN80R750P7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101 грн
10+	81.94 грн
100+	55.74 грн
500+	47.28 грн
1000+	38.49 грн
3000+	36.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPN80R750P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 17nC
Technology: CoolMOS™ P7
Case: PG-SOT223
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V

товар відсутній

IPN80R750P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 17nC
Technology: CoolMOS™ P7
Case: PG-SOT223
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPN80R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 744 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	92.42 грн
10+	77.95 грн
25+	77.17 грн
100+	59.94 грн
250+	54.95 грн
500+	45.82 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPN80R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V

товар відсутній

IPN80R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 744 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

140+	83.94 грн
141+	83.1 грн
175+	66.94 грн
250+	63.91 грн
500+	51.4 грн

Мінімальне замовлення: 140

IPN80R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V

товар відсутній

IPN80R900P7ATMA1

Infineon Technologies

P7 Power Transistor

товар відсутній

IPN80R900P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 5950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	76.95 грн
500+	59.1 грн
1000+	43.03 грн
5000+	42.2 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN80R900P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R900P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V

на замовлення 5760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.12 грн
10+	64.37 грн
100+	50.05 грн
500+	39.81 грн
1000+	32.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPN80R900P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

138+	85.12 грн
151+	77.49 грн
185+	63.1 грн
200+	56.92 грн
1000+	46.68 грн
2000+	41.84 грн

Мінімальне замовлення: 138

IPN80R900P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 5950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	125.5 грн
10+	103.09 грн
100+	76.95 грн
500+	59.1 грн
1000+	43.03 грн
5000+	42.2 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPN80R900P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN80R900P7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 18880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.57 грн
10+	70.38 грн
100+	48.35 грн
500+	41.02 грн
1000+	33.36 грн
3000+	31.17 грн
6000+	30.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPN80R900P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

товар відсутній

IPN80R900P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN80R900P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPN80R900P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	46.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 103 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.76 грн
10+	102.62 грн
100+	69.26 грн
500+	56.07 грн
1000+	44.22 грн
3000+	40.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPN95R1K2P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IPN95R1K2P7 SMD N channel transistors

товар відсутній

IPN95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V

на замовлення 5872 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.56 грн
10+	65.83 грн
100+	51.19 грн
500+	40.72 грн
1000+	33.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPN95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN95R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPN95R2K0P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 1.71 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.71ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.03 грн
500+	42.94 грн
1000+	29.2 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN95R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V

на замовлення 23606 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.55 грн
10+	51.96 грн
100+	40.42 грн
500+	32.15 грн
1000+	26.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN95R2K0P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 1.71 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.71ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	79.19 грн
11+	71.94 грн
100+	56.03 грн
500+	42.94 грн
1000+	29.2 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPN95R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	59.42 грн
11+	52.83 грн
25+	52.3 грн
50+	49.93 грн
100+	34.97 грн
250+	32.36 грн
500+	28.38 грн
1000+	23.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPN95R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 212 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.68 грн
10+	75.13 грн
100+	50.68 грн
500+	41.89 грн
1000+	33.1 грн
3000+	29.23 грн
9000+	28.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPN95R2K0P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IPN95R2K0P7 SMD N channel transistors

товар відсутній

IPN95R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.28 грн
6000+	25.02 грн
9000+	23.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN95R3K7P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.1 грн
6000+	21.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN95R3K7P7ATMA1

Infineon Technologies

950V Power Transistor

на замовлення 473 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	52.08 грн
13+	44.49 грн
25+	43.68 грн
100+	26.69 грн
250+	24.46 грн

Мінімальне замовлення: 12

IPN95R3K7P7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_NEW

на замовлення 402 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.68 грн
10+	55.14 грн
100+	37.29 грн
500+	31.63 грн
1000+	25.77 грн
3000+	24.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN95R3K7P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN95R3K7P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1595 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.51 грн
500+	36.42 грн
1000+	26.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPN95R3K7P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IPN95R3K7P7 SMD N channel transistors

товар відсутній

IPN95R3K7P7ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V

на замовлення 8035 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.51 грн
10+	50.71 грн
100+	35.13 грн
500+	27.54 грн
1000+	23.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPN95R3K7P7ATMA1

Infineon Technologies

950V Power Transistor

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IPN95R3K7P7ATMA1

Description: INFINEON - IPN95R3K7P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1595 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	79.19 грн
12+	65.81 грн
100+	47.51 грн
500+	36.42 грн
1000+	26.83 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPN95R3K7P7ATMA1

Infineon Technologies

950V Power Transistor

товар відсутній