Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN60R1K5CEATMA1
IPN60R1K5CEATMA1

IPN60R1K5CEATMA1 Infineon Technologies

6751infineon-ipn60r1k5ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN60R1K5CEATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPN60R1K5CEATMA1 за ціною від 10.97 грн до 43.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPN60R1K5CEATMA1 IPN60R1K5CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6751infineon-ipn60r1k5ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.11 грн
6000+ 12.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R1K5CEATMA1 IPN60R1K5CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6751infineon-ipn60r1k5ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.16 грн
6000+ 14.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R1K5CEATMA1 IPN60R1K5CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af653155b49 Description: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R1K5CEATMA1 IPN60R1K5CEATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002456475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+18.48 грн
500+ 14.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN60R1K5CEATMA1 IPN60R1K5CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6751infineon-ipn60r1k5ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
622+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 622
IPN60R1K5CEATMA1 IPN60R1K5CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6751infineon-ipn60r1k5ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
548+21.27 грн
610+ 19.12 грн
616+ 18.93 грн
678+ 16.56 грн
1000+ 13.72 грн
3000+ 11.82 грн
Мінімальне замовлення: 548
IPN60R1K5CEATMA1 IPN60R1K5CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6751infineon-ipn60r1k5ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+21.93 грн
29+ 20.27 грн
30+ 19.75 грн
100+ 17.12 грн
250+ 15.69 грн
500+ 13.67 грн
1000+ 12.23 грн
3000+ 10.97 грн
Мінімальне замовлення: 27
IPN60R1K5CEATMA1 IPN60R1K5CEATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002456475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+30.03 грн
30+ 25.11 грн
100+ 18.48 грн
500+ 14.95 грн
Мінімальне замовлення: 25
IPN60R1K5CEATMA1 IPN60R1K5CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPN60R1K5CE_DS_v02_00_EN-1731779.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 8867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.17 грн
11+ 28.04 грн
100+ 19 грн
500+ 15.94 грн
1000+ 13.55 грн
3000+ 11.69 грн
24000+ 11.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPN60R1K5CEATMA1 IPN60R1K5CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af653155b49 Description: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
на замовлення 5851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.11 грн
10+ 35.29 грн
100+ 24.54 грн
500+ 17.98 грн
1000+ 14.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN60R1K5CEATMA1 IPN60R1K5CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6751infineon-ipn60r1k5ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R1K5CEATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af653155b49 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; Idm: 8.4A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8.4A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IPN60R1K5CEATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af653155b49 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; Idm: 8.4A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8.4A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній