Продукція > NVM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVM100015TDK-LambdaModular Power Supplies 180W 12V 15A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+16854.61 грн
10+ 15622.08 грн
25+ 12792.62 грн
50+ 12146.66 грн
100+ 11977.52 грн
NVM100015TDK-Lambda Americas IncDescription: AC/DC CONVERTER 12V 180W
товар відсутній
NVM100026TDK-Lambda Americas IncDescription: AC/DC CONVERTER 24V 180W
Packaging: Bulk
Power (Watts): 180W
Features: Adjustable Output, Remote On/Off, Remote Sense
Size / Dimension: 5.00" L x 3.00" W x 1.02" H (127.0mm x 76.0mm x 26.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Type: Open Frame
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: Medical
Approval Agency: CE
Efficiency: 90%
Voltage - Output 1: 24V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4.5 kV
Current - Output 1: 7.5 A
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16803.91 грн
10+ 15215.31 грн
25+ 14329.38 грн
NVM100026TDK-LambdaAC/DC Power Supply 180W 20-Pin
товар відсутній
NVM100026TDK-LambdaModular Power Supplies 180W 24V 7.5A
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14592.98 грн
10+ 14068.22 грн
25+ 12232.57 грн
50+ 12114.03 грн
100+ 12104.04 грн
250+ 12098.72 грн
500+ 12081.4 грн
NVM3060N/A
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVM3060-12
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMarkingKEC
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMD3P03R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.05A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NVMD3P03R2GonsemiMOSFET PFET SO8 30V 3A 85 MOHM
товар відсутній
NVMD3P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
товар відсутній
NVMD4N03R2GonsemiMOSFET NFET SO8 30V 4A 60MOHM
товар відсутній
NVMD4N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NVMD4N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NVMD4N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.6 грн
10+ 70.2 грн
100+ 54.61 грн
500+ 43.44 грн
1000+ 35.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMD6N03R2ON SemiconductorMOSFET
товар відсутній
NVMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+19.7 грн
Мінімальне замовлення: 987
NVMD6N03R2GON SemiconductorMOSFET NFET 30V 6A 0.032R
товар відсутній
NVMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMD6N04onsemionsemi NFET SO8 40V 4.6A 0.034R
товар відсутній
NVMD6N04R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 5.8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NVMD6N04R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
товар відсутній
NVMD6N04R2GonsemiMOSFET NFET SO8 40V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMD6N04R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
товар відсутній
NVMD6P02R2GonsemiMOSFET PFET SO8 20V 7.8A 33MOHM
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMD6P02R2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
на замовлення 9368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 473
NVMD6P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NVMD6P02R2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
товар відсутній
NVME-31USBAMicro Connectors, Inc.Description: M.2 NVME SSD USB 3.2 GEN 2X1 ADP
Packaging: Box
Interface: PCI Express
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2664.62 грн
10+ 2427.2 грн
50+ 2288.46 грн
NVME-M.2-1TBSMART Embedded Computing1TB NVME M.2 MEDIA
товар відсутній
NVME-S32USBAMicro Connectors, Inc.Description: M.2 NVMe/SATA SSD - USB 3.2 Adp
Packaging: Bulk
Interface: SATA
Convert From (Adapter End): M.2 NVMe, SATA SSD
Convert To (Adapter End): USB - A 3.2 Male
Type: M.2 NVMe, SATA SSD to USB
Part Status: Active
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2520.55 грн
5+ 2305.8 грн
10+ 2189.96 грн
25+ 1952.33 грн
NVMFD016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9A/32A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD016N06CT1GON Semiconductor
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD016N06CT1GON SemiconductorN Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVMFD016N06CT1GonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 333-342 дні (днів)
2+156.16 грн
10+ 127.89 грн
100+ 88.57 грн
250+ 81.91 грн
500+ 74.58 грн
1000+ 63.2 грн
1500+ 60.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9A/32A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD020N06CT1GonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товар відсутній
NVMFD020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8DFN 5X6
товар відсутній
NVMFD020N06CT1GON Semiconductor
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD024N06CT1GON SemiconductorN Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVMFD024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A/24A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+67.9 грн
3000+ 62.12 грн
7500+ 59.78 грн
10500+ 54.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFD024N06CT1GON Semiconductor
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A/24A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.35 грн
10+ 114.46 грн
100+ 91.07 грн
500+ 72.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD024N06CT1GonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+155.38 грн
10+ 127.13 грн
100+ 88.57 грн
250+ 81.91 грн
500+ 74.58 грн
1000+ 63.8 грн
1500+ 60 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD027N10MCLT1GonsemiMOSFET PTNG 100V LL SO8FL DUAL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 134-143 дні (днів)
4+101 грн
10+ 81.94 грн
100+ 55.67 грн
500+ 47.21 грн
1000+ 38.49 грн
1500+ 36.16 грн
3000+ 34.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMFD030N06CT1GonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товар відсутній
NVMFD030N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A/19A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD030N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A/19A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5483NLT1GON Semiconductor
на замовлення 10280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5483NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5483NLT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5483NLT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
товар відсутній
NVMFD5483NLT3GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
товар відсутній
NVMFD5483NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5483NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5483NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5483NLWFT3GonsemiDescription: DUAL N-CHANNEL 60V, 24A, 36MOHM
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5483NLWFT3GON Semiconductor
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5483NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 24A 36mOhm Dual N-CH
товар відсутній
NVMFD5485NLonsemiMOSFET NFET DFN8 60V 20A 60MOHM
товар відсутній
NVMFD5485NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5485NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5485NLT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 44mOhm Dual N-CH
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 493-502 дні (днів)
2+170.92 грн
10+ 150.87 грн
100+ 105.88 грн
500+ 87.24 грн
1000+ 63.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD5485NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
товар відсутній
NVMFD5485NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5485NLT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 44mOhm Dual N-CH
товар відсутній
NVMFD5485NLT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NVMFD5485NLT3GON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5485NLWFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFD5485NLWFT1G - MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 60V, DFN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+81.43 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFD5485NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
287+75.64 грн
Мінімальне замовлення: 287
NVMFD5485NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5485NLWFT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 44mOhm Dual N-CH
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 507-516 дні (днів)
2+179.47 грн
10+ 159.29 грн
100+ 111.21 грн
500+ 91.23 грн
1000+ 75.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD5485NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Not For New Designs
товар відсутній
NVMFD5485NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NVMFD5485NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5485NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 44mOhm Dual N-CH
товар відсутній
NVMFD5489NLT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5489NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8DFN
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5489NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1421 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5489NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8DFN
товар відсутній
NVMFD5489NLT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5489NLT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
товар відсутній
NVMFD5489NLT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
товар відсутній
NVMFD5489NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
товар відсутній
NVMFD5489NLWFT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5489NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5489NLWFT3GON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5489NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
товар відсутній
NVMFD5489NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 12A 65mOhm Dual N-CH
товар відсутній
NVMFD5489NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5852NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5852NLT1GON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 40V, 44A, 6.9 mOhm, Dual N-Channel, SO8-FL, Logic Level.
на замовлення 3122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5852NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
товар відсутній
NVMFD5852NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
товар відсутній
NVMFD5852NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
товар відсутній
NVMFD5852NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 44A 6.9mOhm Dual N-CH
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5853NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5853NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5853NLT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 29A 10MOHM
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5853NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5853NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5853NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5853NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 34A 10mOhm Dual N-CH
товар відсутній
NVMFD5853NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
товар відсутній
NVMFD5853NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товар відсутній
NVMFD5853NT1GON Semiconductor
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5853NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 34A 10MOHM
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5853NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товар відсутній
NVMFD5853NWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET DFN8 40V 53A 10MOHM
товар відсутній
NVMFD5853NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товар відсутній
NVMFD5853NWFT1GON Semiconductor
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5873NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+66.12 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFD5873NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5873NLT1GON Semiconductor
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5873NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5873NLT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 60V 58A 13MOHM
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5873NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5873NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 58A 13mOhm Dual N-CH
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5873NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
товар відсутній
NVMFD5875NLT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5875NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5875NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5875NLT3GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
товар відсутній
NVMFD5875NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
товар відсутній
NVMFD5875NLWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
товар відсутній
NVMFD5875NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5875NLWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
товар відсутній
NVMFD5875NLWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
товар відсутній
NVMFD5877NLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 12W; DFN8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 12W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
товар відсутній
NVMFD5877NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFD5877NLT1GonsemiMOSFET 16-128MHZ3.3VGPEMI
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5877NLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 12W; DFN8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 12W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
NVMFD5877NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 17A 39MOHM
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5877NLT3GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
товар відсутній
NVMFD5877NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL
товар відсутній
NVMFD5877NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 17A 39mOhmDual N-CH
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5877NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 17A 39mOhmDual N-CH
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5877NLWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL
товар відсутній
NVMFD5C446NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A/145A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.46 грн
10+ 221.77 грн
100+ 179.44 грн
500+ 149.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD5C446NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A/145A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C446NLT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 7316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.12 грн
10+ 245.83 грн
25+ 205.11 грн
100+ 173.14 грн
250+ 171.15 грн
500+ 153.17 грн
1000+ 135.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD5C446NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C446NLWFT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 1197-1206 дні (днів)
1+368.26 грн
10+ 323.94 грн
100+ 230.41 грн
500+ 198.45 грн
1000+ 165.82 грн
NVMFD5C446NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C446NT1GON SemiconductorMOSFET 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C446NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 24A/127A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C446NT1GonsemiMOSFET 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 500-509 дні (днів)
2+301.45 грн
10+ 264.98 грн
100+ 188.46 грн
500+ 161.82 грн
1000+ 160.49 грн
1500+ 135.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD5C446NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 24A/127A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C446NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C446NWFT1GonsemiMOSFET 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
товар відсутній
NVMFD5C446NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C446NWFT1GonsemiDescription: 40V 2.9 MOHM T8 S08FL DUA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товар відсутній
NVMFD5C446NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C446NWFT1GonsemiDescription: 40V 2.9 MOHM T8 S08FL DUA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товар відсутній
NVMFD5C462NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 18A/84A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C462NLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 52A; 25W; DFN8; 5x6mm
Mounting: SMD
Case: DFN8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 25W
Dimensions: 5x6mm
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 52A
On-state resistance: 4.7mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NVMFD5C462NLT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 6460 шт:
термін постачання 1321-1330 дні (днів)
2+186.46 грн
10+ 151.63 грн
100+ 106.55 грн
250+ 105.22 грн
500+ 91.23 грн
1000+ 89.9 грн
1500+ 77.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD5C462NLT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 52A; 25W; DFN8; 5x6mm
Mounting: SMD
Case: DFN8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 25W
Dimensions: 5x6mm
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 52A
On-state resistance: 4.7mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NVMFD5C462NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 18A/84A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C462NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 10600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+78.47 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFD5C462NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 10760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C462NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 3318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C462NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL
товар відсутній
NVMFD5C462NLWFT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 333-342 дні (днів)
2+207.44 грн
10+ 170.01 грн
100+ 117.87 грн
250+ 108.55 грн
500+ 98.56 грн
1000+ 83.91 грн
1500+ 79.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD5C462NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL
товар відсутній
NVMFD5C462NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 17.6A/70A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C462NT1GON SemiconductorMOSFET 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 3139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C462NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C462NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 17.6A/70A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C462NT1GonsemiMOSFET 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.57 грн
10+ 168.48 грн
100+ 115.21 грн
500+ 94.56 грн
1500+ 78.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD5C462NWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
товар відсутній
NVMFD5C462NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C462NWFT1GON SemiconductorDescription: 40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA
товар відсутній
NVMFD5C462NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 17.6A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C466NLonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
товар відсутній
NVMFD5C466NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C466NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A/52A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C466NLT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 36140 шт:
термін постачання 1100-1109 дні (днів)
3+142.18 грн
10+ 124.83 грн
100+ 87.24 грн
500+ 72.59 грн
1000+ 71.92 грн
1500+ 59.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C466NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C466NLT1GON Semiconductor
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5C466NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A/52A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C466NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C466NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL
товар відсутній
NVMFD5C466NLWFT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 826-835 дні (днів)
2+216.76 грн
10+ 192.99 грн
25+ 167.15 грн
100+ 134.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD5C466NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C466NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5C466NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL
товар відсутній
NVMFD5C466NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C466NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C466NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 15A Automotive T/R
товар відсутній
NVMFD5C466NT1GON Semiconductor
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5C466NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A/49A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 64542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.86 грн
10+ 94.9 грн
100+ 75.49 грн
500+ 59.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C466NT1GonsemiMOSFET 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.75 грн
10+ 107.22 грн
100+ 73.92 грн
250+ 67.93 грн
500+ 61.73 грн
1000+ 51.81 грн
1500+ 51.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C466NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A/49A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 64500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+56.28 грн
3000+ 51.49 грн
7500+ 49.55 грн
10500+ 44.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFD5C466NT1GON SemiconductorMOSFET 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C466NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A/49A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.39 грн
10+ 104.61 грн
100+ 83.23 грн
500+ 66.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C466NWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A/49A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 38W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+62.06 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFD5C466NWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C470NLonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
товар відсутній
NVMFD5C470NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C470NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C470NLT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 948-957 дні (днів)
3+119.65 грн
10+ 96.49 грн
100+ 69.92 грн
250+ 66.59 грн
500+ 58.34 грн
1000+ 48.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C470NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C470NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C470NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C470NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C470NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C470NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5C470NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C470NLWFT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
товар відсутній
NVMFD5C470NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C470NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C470NT1GON Semiconductor
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5C470NT1GonsemiMOSFET 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.74 грн
10+ 112.58 грн
100+ 77.91 грн
250+ 71.92 грн
500+ 65.06 грн
1000+ 55.67 грн
1500+ 52.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C470NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C470NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.7A/36A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C470NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C470NWFT1GonsemiMOSFET 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
товар відсутній
NVMFD5C478NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10.5A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C478NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.77 грн
10+ 86.92 грн
100+ 69.22 грн
500+ 54.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C478NLT1GON SemiconductorMOSFET 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 2233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C478NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+51.6 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFD5C478NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5C478NLWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C478NLWFT1GonsemiDescription: 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
товар відсутній
NVMFD5C478NLWFT1GonsemiDescription: 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
товар відсутній
NVMFD5C478NT1GON Semiconductor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5C478NT1GON SemiconductorMOSFET 40V 17 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C478NWFT1GON SemiconductorMOSFET 40V 17 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C650NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C650NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C650NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C650NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C650NLT1GON Semiconductor
на замовлення 2633 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5C650NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
товар відсутній
NVMFD5C650NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C650NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C650NLWFT1GonsemiMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C650NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
товар відсутній
NVMFD5C650NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C668NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C668NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V S08FL DUAL
на замовлення 4196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C668NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15.5A/68A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 57.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 68A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C668NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V Automotive 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+96.76 грн
10+ 84.51 грн
25+ 82.6 грн
100+ 60.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVMFD5C668NLT1GON Semiconductor
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5C668NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15.5A/68A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 57.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 68A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.02 грн
10+ 166.83 грн
100+ 134.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD5C668NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15.5A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+53.08 грн
25+ 52.57 грн
100+ 48.52 грн
250+ 43.89 грн
500+ 41.9 грн
1000+ 41.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
NVMFD5C668NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15.5A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C668NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V S08FL DUAL
товар відсутній
NVMFD5C668NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15.5A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C672NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 12A/49A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+149.12 грн
10+ 119.11 грн
100+ 94.78 грн
500+ 75.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD5C672NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
товар відсутній
NVMFD5C672NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C672NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 12A/49A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+125.87 грн
10+ 115.36 грн
25+ 114.64 грн
100+ 95.22 грн
250+ 87.28 грн
500+ 74.51 грн
1000+ 73.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C672NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 12A/49A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+149.12 грн
10+ 118.9 грн
100+ 94.66 грн
500+ 75.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C672NLWFT1GonsemiMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.48 грн
10+ 140.91 грн
100+ 98.56 грн
500+ 83.24 грн
1000+ 75.92 грн
1500+ 64.13 грн
3000+ 59.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD5C672NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 12A/49A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+135.55 грн
94+ 124.23 грн
95+ 123.46 грн
110+ 102.54 грн
250+ 93.99 грн
500+ 80.24 грн
1000+ 79.53 грн
Мінімальне замовлення: 87
NVMFD5C672NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C674NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C674NLT1GON Semiconductor
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5C674NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A/42A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.5 грн
10+ 101.69 грн
100+ 80.99 грн
500+ 64.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C674NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C674NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A/42A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C674NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A/42A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+61.24 грн
3000+ 56.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFD5C674NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD5C674NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A/42A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.94 грн
10+ 103.15 грн
100+ 82.14 грн
500+ 65.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C674NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD5C680NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 79500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+52.09 грн
3000+ 47.65 грн
7500+ 45.86 грн
10500+ 41.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFD5C680NLT1GonsemiMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 629-638 дні (днів)
3+119.65 грн
10+ 98.03 грн
100+ 67.93 грн
250+ 62.53 грн
500+ 57.07 грн
1000+ 48.95 грн
1500+ 46.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C680NLT1GON Semiconductor
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD5C680NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 79500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.22 грн
10+ 87.75 грн
100+ 69.87 грн
500+ 55.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD5C680NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C680NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD5C680NLWFT1GonsemiMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 1106-1115 дні (днів)
3+115.76 грн
10+ 94.96 грн
100+ 65.66 грн
250+ 60.8 грн
500+ 55.21 грн
1000+ 47.28 грн
1500+ 44.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD6H840NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 14A/74A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 96µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD6H840NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD6H840NLT1GonsemiMOSFET T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 7458 шт:
термін постачання 528-537 дні (днів)
2+204.33 грн
10+ 179.97 грн
100+ 125.86 грн
500+ 104.55 грн
1000+ 85.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD6H840NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 14A/74A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 74A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2002pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 96µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD6H840NLWFT1GonsemiMOSFET T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 877-886 дні (днів)
2+202.78 грн
10+ 179.97 грн
100+ 125.86 грн
500+ 103.22 грн
1000+ 85.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFD6H840NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD6H846NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A/31A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD6H846NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD6H846NLT1GonsemiMOSFET T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.51 грн
10+ 118.7 грн
100+ 82.58 грн
500+ 69.92 грн
1000+ 58.87 грн
1500+ 55.94 грн
3000+ 53.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD6H846NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 9.4A/31A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD6H846NLWFT1GonsemiMOSFET MOSFET - Power, Dual N-Channel, 80 V, 15 mohm 31 A NVMFD6H846NL DFN8 (Pb-Free, Wettable Flanks)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 481-490 дні (днів)
3+109.55 грн
10+ 88.84 грн
100+ 60.13 грн
500+ 50.94 грн
1000+ 45.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFD6H846NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD6H852NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD6H852NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFD6H852NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD6H852NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD6H852NLT1GON SemiconductorMOSFET T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD6H852NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NVMFD6H852NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFD6H852NLWFT1GON SemiconductorMOSFET T8 80V LL SO8FL DS
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFD6H852NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS002N10MCLON SemiconductorPTNG 100V LL SO8FL HE
товар відсутній
NVMFS003P03P8ZT1GonsemiMOSFET Power MOSFET - Power, Single P-Channel, SO8-FL -30 V, 1.8 mohm, -234 A
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.91 грн
10+ 163.12 грн
100+ 114.54 грн
500+ 93.9 грн
1000+ 77.91 грн
1500+ 71.92 грн
4500+ 69.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS003P03P8ZT1GonsemiDescription: PFET SO8FL -30V 3MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.7A (Ta), 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 168.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12120 pF @ 15 V
товар відсутній
NVMFS003P03P8ZT1GonsemiDescription: PFET SO8FL -30V 3MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.7A (Ta), 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 168.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12120 pF @ 15 V
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.48 грн
10+ 127.15 грн
100+ 101.19 грн
500+ 80.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS005N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.74 грн
10+ 97.67 грн
100+ 77.73 грн
500+ 61.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS005N10MCLT1GON SemiconductorMOSFET Power, Single, N Channel 100 V, 5.1 m, 108A
товар відсутній
NVMFS005N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+57.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS005N10MCLT1GonsemiMOSFET PTNG 100V LL SO8FL
на замовлення 10494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.63 грн
10+ 109.51 грн
100+ 75.92 грн
250+ 74.58 грн
500+ 64.4 грн
1000+ 58.87 грн
1500+ 53.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS005N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 18.4A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS014P04M8LT1GonsemiMOSFET MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.55 грн
10+ 58.36 грн
100+ 39.49 грн
500+ 33.43 грн
1000+ 27.24 грн
1500+ 25.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMFS014P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 12.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS014P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 52.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.55 грн
10+ 52.03 грн
100+ 40.46 грн
500+ 32.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMFS014P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 52.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.01 грн
3000+ 26.3 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS014P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 12.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS015N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10.5A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS015N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 282µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.56 грн
10+ 66.18 грн
100+ 51.45 грн
500+ 40.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMFS015N10MCLT1GonsemiMOSFET PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR AUTOMOTIVE MARKET
на замовлення 8776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.9 грн
10+ 74.06 грн
100+ 49.75 грн
500+ 42.09 грн
1000+ 37.83 грн
1500+ 33.16 грн
3000+ 30.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMFS015N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 282µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+36.89 грн
3000+ 33.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS016N06CT1GON SemiconductorN Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVMFS016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
товар відсутній
NVMFS016N06CT1GonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 438-447 дні (днів)
4+97.89 грн
10+ 78.88 грн
100+ 53.94 грн
500+ 45.68 грн
1000+ 37.23 грн
1500+ 35.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMFS016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
товар відсутній
NVMFS016N06CT1GON Semiconductor
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS016N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 64µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS016N10MCLT1GON SemiconductorNVMFS016N10MCLT1G
товар відсутній
NVMFS016N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10.9A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS016N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 64µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.6 грн
10+ 55.49 грн
100+ 43.13 грн
500+ 34.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMFS016N10MCLT1GonsemiMOSFET PTNG 100V LL SO8FL
на замовлення 25498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.91 грн
10+ 61.57 грн
100+ 41.69 грн
500+ 35.29 грн
1000+ 28.77 грн
1500+ 27.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMFS021N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 42µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.91 грн
10+ 47.86 грн
100+ 33.12 грн
500+ 25.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVMFS021N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 42µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+24.45 грн
3000+ 20.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS021N10MCLT1GonsemiMOSFET PTNG 100V LL SO8FL
на замовлення 5280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.15 грн
10+ 53.99 грн
100+ 32.03 грн
500+ 26.77 грн
1000+ 22.77 грн
1500+ 20.64 грн
3000+ 19.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMFS024N06CT1GonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS
товар відсутній
NVMFS024N06CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS025P04M8LT1GON SemiconductorPower MOSFET, Single P-Channel
товар відсутній
NVMFS025P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 44.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 255µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1058 pF @ 20 V
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.55 грн
10+ 54.52 грн
100+ 37.77 грн
500+ 29.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMFS025P04M8LT1GonsemiMOSFET MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.73 грн
10+ 55.98 грн
100+ 33.76 грн
500+ 28.17 грн
1000+ 24.04 грн
1500+ 21.31 грн
3000+ 20.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMFS025P04M8LT1GON SemiconductorPower MOSFET, Single P-Channel
товар відсутній
NVMFS025P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 34.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 44.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 255µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1058 pF @ 20 V
товар відсутній
NVMFS027N10MCLT1GON SemiconductorPTNG 100V LL SO8FL
товар відсутній
NVMFS027N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.12 грн
3000+ 26.4 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS027N10MCLT1GonsemiMOSFET PTNG 100V LL SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.55 грн
10+ 57.97 грн
100+ 39.22 грн
500+ 33.23 грн
1000+ 27.04 грн
1500+ 25.51 грн
3000+ 24.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMFS027N10MCLT1GON SemiconductorPTNG 100V LL SO8FL
товар відсутній
NVMFS027N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.27 грн
10+ 52.23 грн
100+ 40.61 грн
500+ 32.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMFS040N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.61 грн
3000+ 16.82 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS040N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.5A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS040N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.1 грн
10+ 38.36 грн
100+ 26.55 грн
500+ 20.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVMFS040N10MCLT1GonsemiMOSFET PTNG 100V LL SO8FL
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.88 грн
10+ 43.27 грн
100+ 25.71 грн
500+ 21.51 грн
1000+ 15.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVMFS040N10MCLT1GON SemiconductorNVMFS040N10MCLT1G
товар відсутній
NVMFS2D3P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.7mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5985 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.39 грн
10+ 174.05 грн
100+ 140.8 грн
500+ 117.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS2D3P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 31A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS2D3P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.7mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5985 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS2D3P04M8LT1GonsemiMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 660-669 дні (днів)
2+233.08 грн
10+ 192.99 грн
25+ 158.49 грн
100+ 135.85 грн
250+ 128.53 грн
500+ 120.53 грн
1000+ 103.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS2D3P04M8LT1GON SemiconductorPower MOSFET, Single P-Channel
товар відсутній
NVMFS2D3P04M8LT1G транзистор
Код товару: 200395		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
NVMFS3D0P04M8LT1GonsemiMOSFET Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 2.7 mohm, -183 A
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.44 грн
10+ 183.8 грн
100+ 129.19 грн
500+ 105.88 грн
1500+ 87.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS3D0P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 28A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+86.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS3D0P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 183A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A,10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5827 pF @ 20 V
товар відсутній
NVMFS3D0P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 183A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A,10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5827 pF @ 20 V
товар відсутній
NVMFS3D0P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS3D6N10MCLonsemiMOSFET
товар відсутній
NVMFS3D6N10MCLT1GonsemiMOSFET PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR AUTOMOTIVE MARKET
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.63 грн
10+ 194.52 грн
25+ 163.82 грн
100+ 137.18 грн
250+ 132.52 грн
500+ 121.2 грн
1000+ 111.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS3D6N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 20A/132A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
на замовлення 3629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.87 грн
10+ 179.59 грн
100+ 145.28 грн
500+ 121.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS3D6N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+276.41 грн
10+ 222.62 грн
25+ 202.45 грн
100+ 169.26 грн
500+ 112.06 грн
1500+ 111.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS3D6N10MCLT1G
Код товару: 188443		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
NVMFS3D6N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19.5A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 20A/132A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+114.83 грн
3000+ 104.12 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS3D6N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+169.26 грн
500+ 112.06 грн
1500+ 111.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVMFS3D6N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS4841NonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 89A 7MOHM
товар відсутній
NVMFS4841NT1GRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 5DFN
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFS4841NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS4841NT1GON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 30V,89A,7mOhm
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS4841NWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 89A 7mOhm SGL N-CH
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS4841NWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 89A SO8FL
товар відсутній
NVMFS4841NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS4C01NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS4C01NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 370 A, 560 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+224.11 грн
500+ 185.21 грн
1500+ 145.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVMFS4C01NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
товар відсутній
NVMFS4C01NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS4C01NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS4C01NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 370 A, 560 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+366.8 грн
10+ 277.9 грн
100+ 224.11 грн
500+ 185.21 грн
1500+ 145.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS4C01NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS4C01NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
товар відсутній
NVMFS4C01NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS4C01NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
товар відсутній
NVMFS4C01NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
товар відсутній
NVMFS4C01NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS4C01NWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
товар відсутній
NVMFS4C01NWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFS4C01NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS4C01NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
товар відсутній
NVMFS4C01NWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
товар відсутній
NVMFS4C03NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.95 грн
10+ 117.94 грн
100+ 85.24 грн
250+ 78.58 грн
500+ 71.26 грн
1000+ 61.4 грн
1500+ 58.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS4C03NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS4C03NT1GON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R NVMFS4C03NT1G TNVMFS4C03N
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVMFS4C03NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS4C03NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.03 грн
10+ 111.13 грн
100+ 88.46 грн
500+ 70.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS4C03NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS4C03NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL
товар відсутній
NVMFS4C03NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
товар відсутній
NVMFS4C03NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS4C03NWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS4C03NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31.4A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS4C03NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.71 грн
10+ 107.31 грн
100+ 85.39 грн
500+ 67.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS4C03NWFT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.06 грн
10+ 119.47 грн
100+ 83.24 грн
500+ 70.59 грн
1000+ 59.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS4C03NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS4C03NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 34.9A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS4C03NWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL
товар відсутній
NVMFS4C03NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
товар відсутній
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS4C05NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.61W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
на замовлення 4310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.67 грн
10+ 111.89 грн
100+ 89.96 грн
500+ 69.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+87.82 грн
3000+ 80.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+89.15 грн
10+ 85.06 грн
25+ 83.85 грн
100+ 72.96 грн
250+ 66.88 грн
500+ 57.89 грн
1000+ 55.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVMFS4C05NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 5381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.75 грн
10+ 104.15 грн
100+ 72.59 грн
500+ 61.4 грн
1000+ 59.2 грн
1500+ 52.01 грн
3000+ 49.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 24.7A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS4C05NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.61W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+63.59 грн
3000+ 57.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+96.01 грн
128+ 91.61 грн
130+ 90.3 грн
144+ 78.57 грн
250+ 72.02 грн
500+ 62.35 грн
1000+ 59.97 грн
Мінімальне замовлення: 122
NVMFS4C05NT1GON Semiconductor
на замовлення 12264 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+62.57 грн
3000+ 59.58 грн
7500+ 57.9 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS4C05NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS4C05NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 24.7A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS4C05NT3GON Semiconductor
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS4C05NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
товар відсутній
NVMFS4C05NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
товар відсутній
NVMFS4C05NWFT1GON Semiconductor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS4C05NWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
товар відсутній
NVMFS4C05NWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS4C05NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS4C05NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
товар відсутній
NVMFS4C05NWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
товар відсутній
NVMFS4C302NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS4C302NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 43A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS4C302NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO
на замовлення 20997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.24 грн
10+ 153.17 грн
100+ 105.88 грн
250+ 97.89 грн
500+ 88.57 грн
1000+ 75.92 грн
1500+ 72.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS4C302NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 43A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS4C302NWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO
товар відсутній
NVMFS4C308NWFT1GonsemiDescription: TRENCH 30V NCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V
товар відсутній
NVMFS4C310NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS4C310NT1GON Semiconductor
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS4C310NT1GON SemiconductorMOSFET TRENCH 30V NCH
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS4C310NT3GON SemiconductorMOSFET TRENCH 30V NCH
товар відсутній
NVMFS4C310NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V TRENCH
товар відсутній
NVMFS4C310NWFT1GON SemiconductorMOSFET TRENCH 30V NCH
товар відсутній
NVMFS4C310NWFT3GON SemiconductorMOSFET TRENCH 30V NCH
товар відсутній
NVMFS5113PLT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.53 грн
10+ 145.4 грн
100+ 115.72 грн
500+ 91.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5113PLT1GON SemiconductorMOSFET SINGLE P-CHANNEL S08FL 60V 69A 1
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5113PLT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+83.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5113PLT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -45A; 75W; DFN5x6
Mounting: SMD
Drain current: -45A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5x6
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
товар відсутній
NVMFS5113PLT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -45A; 75W; DFN5x6
Mounting: SMD
Drain current: -45A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5x6
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NVMFS5113PLT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5113PLT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+86.28 грн
3000+ 78.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5113PLT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5113PLT1GonsemiMOSFET SINGLE P-CHANNEL S08FL 60V 69A 1
на замовлення 21957 шт:
термін постачання 726-735 дні (днів)
2+203.55 грн
10+ 177.67 грн
100+ 124.53 грн
500+ 103.22 грн
1000+ 102.55 грн
1500+ 84.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5113PLWFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5113PLWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5113PLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5113PLWFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5113PLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5113PLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5113PLWFT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 549-558 дні (днів)
2+218.32 грн
10+ 192.99 грн
100+ 135.18 грн
500+ 111.21 грн
1500+ 91.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5826NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5826NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5826NLT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 26A 24MOHM
на замовлення 4588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5826NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFS5826NLT1GON Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS5826NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5826NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 26A 24MOHM
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5826NLT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
товар відсутній
NVMFS5826NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5826NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
товар відсутній
NVMFS5826NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5826NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5826NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 26A 24mOhm SGL N-CH
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5826NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5826NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 26A 24mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVMFS5826NLWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
товар відсутній
NVMFS5830NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
NVMFS5830NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 29A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5830NLT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 185A 2.3MO
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5830NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 29A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5830NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 185A 2.3MO
товар відсутній
NVMFS5830NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5830NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 29A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5830NLWFT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 40V 185A 2.3mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVMFS5830NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5830NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5830NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 29A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5830NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 185A 2.3mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVMFS5831NLWFT1GonsemiDescription: T2 40V LL, SINGLE NCH, SO-8FL 2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4946 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5831NLWFT1GonsemiDescription: T2 40V LL, SINGLE NCH, SO-8FL 2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4946 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5832NLonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO
товар відсутній
NVMFS5832NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5832NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.5 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5832NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
NVMFS5832NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5832NLT1GonsemiMOSFET Power MOSFET 40V, 120A, 4.2 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.
товар відсутній
NVMFS5832NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5832NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5832NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO
товар відсутній
NVMFS5832NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5832NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5832NLWFT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 40V 120A 4.2mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVMFS5832NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5832NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5832NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5832NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.15 грн
10000+ 35.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
NVMFS5832NLWFT3GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 40V 120A 4.2mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVMFS5832NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5832NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5833NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5833NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 86A 7.5MOH
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5833NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5833NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 86A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5833NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5833NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 86A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5833NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 86A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5833NT3GonsemiMOSFET Power MOSFET 40V, 86A, 7.5 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL.
товар відсутній
NVMFS5833NWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 86A 7.5MOH
товар відсутній
NVMFS5833NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5833NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 86A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5833NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 86A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5833NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 86A 7.5MOH
товар відсутній
NVMFS5833NWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1714 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5833NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 86A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5834NLonsemionsemi NFET SO8FL 40V 75A 9.3MOH
товар відсутній
NVMFS5834NLT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 75A 9.3MOH
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5834NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5834NLT1GON Semiconductor
на замовлення 24165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS5834NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5834NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5834NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5834NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5834NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5834NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5834NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 75A 9.3MOH
товар відсутній
NVMFS5834NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5834NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 75A SO8FL
товар відсутній
NVMFS5834NLWFT1GonsemiMOSFET Pwr MOSFET 40V 75A 9.3mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVMFS5834NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 75A 9.3mOhm SGL N-CH
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5834NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5834NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5834NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5834NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5844NLonsemionsemi NFET SO8FL 60V 61A 12MOHM
товар відсутній
NVMFS5844NLT1GON Semiconductor
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS5844NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFS5844NLT1GON SemiconductorMOSFET SO8FL 60V
на замовлення 2703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5844NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5844NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5844NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5844NLT3GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE N-CHANNEL,
товар відсутній
NVMFS5844NLT3GON SemiconductorNVMFS5844NLT3G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
товар відсутній
NVMFS5844NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5844NLT3GonsemiMOSFET SO8FL 60V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5844NLT3GON SemiconductorNVMFS5844NLT3G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
товар відсутній
NVMFS5844NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5844NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+34.73 грн
25+ 34.17 грн
50+ 32.41 грн
100+ 29.5 грн
Мінімальне замовлення: 17
NVMFS5844NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 61A 12mOhm SGL N-CH
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5844NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5844NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 61A SO8FL
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFS5844NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5844NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5844NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 61A 12mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVMFS5885NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL
товар відсутній
NVMFS5885NLT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 39A 15MOHM
на замовлення 2626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5885NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5885NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFS5885NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 60V 39A 15MOHM
товар відсутній
NVMFS5885NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5885NLT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL
товар відсутній
NVMFS5885NLWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 39A 15mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVMFS5885NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.2A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5885NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL
товар відсутній
NVMFS5885NLWFT3GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 39A 15mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVMFS5885NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5885NLWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 39A SO8FL
товар відсутній
NVMFS5A140PLZonsemiMOSFET -40V4.2MOHMSINGLE
товар відсутній
NVMFS5A140PLZT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 20A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5A140PLZT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5A140PLZT1GON SemiconductorMOSFET -40V4.2MOHMSINGLE
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5A140PLZT3GON SemiconductorMOSFET -40V4.2MOHMSINGLE
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5A140PLZT3GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 20A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5A140PLZT3GonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5A140PLZWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 20A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5A140PLZWFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5A140PLZWFT1GON SemiconductorMOSFET -40V4.2MOHMSINGLE
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5A140PLZWFT3GON SemiconductorMOSFET -40V4.2MOHMSINGLE
товар відсутній
NVMFS5A140PLZWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 20A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5A140PLZWFT3GonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5A160PLZonsemiMOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
товар відсутній
NVMFS5A160PLZT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
товар відсутній
NVMFS5A160PLZT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5A160PLZT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
товар відсутній
NVMFS5A160PLZT1GonsemiMOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
товар відсутній
NVMFS5A160PLZT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; 100A; 200W; DFN5x6
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5x6
On-state resistance: 7.7mΩ
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1500 шт
товар відсутній
NVMFS5A160PLZT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; 100A; 200W; DFN5x6
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5x6
On-state resistance: 7.7mΩ
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
товар відсутній
NVMFS5A160PLZT3GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5A160PLZT3GON SemiconductorMOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
товар відсутній
NVMFS5A160PLZT3GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
товар відсутній
NVMFS5A160PLZWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5A160PLZWFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
товар відсутній
NVMFS5A160PLZWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5A160PLZWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5A160PLZWFT1GON SemiconductorMOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
на замовлення 44799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5A160PLZWFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
товар відсутній
NVMFS5A160PLZWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5A160PLZWFT3GON SemiconductorMOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
товар відсутній
NVMFS5A160PLZWFT3GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
товар відсутній
NVMFS5C404NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NAFT1GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
товар відсутній
NVMFS5C404NAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NAFT3GON SemiconductorT6 40V HEFET
товар відсутній
NVMFS5C404NAFT3GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
товар відсутній
NVMFS5C404NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NLAFT1GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 377-386 дні (днів)
1+327.09 грн
10+ 276.46 грн
100+ 198.45 грн
500+ 171.81 грн
1000+ 157.16 грн
1500+ 133.19 грн
NVMFS5C404NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NLAFT3GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
товар відсутній
NVMFS5C404NLAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+108.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVMFS5C404NLT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 373A 750MO
товар відсутній
NVMFS5C404NLT1GON Semiconductor
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS5C404NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+135.52 грн
10+ 133.69 грн
25+ 131.95 грн
100+ 125.48 грн
250+ 114.62 грн
500+ 108.47 грн
1000+ 106.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMFS5C404NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A/352A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 352A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A/352A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 352A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 49A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NLT3GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 373A 750MO
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFAFT1GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 477-486 дні (днів)
1+581.92 грн
10+ 515.4 грн
100+ 370.93 грн
500+ 324.98 грн
1000+ 322.98 грн
1500+ 286.35 грн
NVMFS5C404NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFAFT3GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFAFT3GON SemiconductorN-Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 0.67 MOHMS LL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 0.67 MOHMS LL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFET1GonsemiMOSFET T6-40V N 0.67 MOHMS LL
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+248.06 грн
10+ 218.49 грн
100+ 178.83 грн
250+ 166.88 грн
500+ 115.89 грн
1000+ 104.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS5C404NLWFT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 373A 750MO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 570-579 дні (днів)
1+442.07 грн
10+ 391.34 грн
100+ 279.03 грн
500+ 237.07 грн
NVMFS5C404NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A/352A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 352A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+108.74 грн
4500+ 103.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C404NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A/352A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 352A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFT1GON Semiconductor
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS5C404NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 49A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 52A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 373A 750MO
товар відсутній
NVMFS5C404NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A/352A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 352A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.25 грн
10+ 435.91 грн
100+ 357.17 грн
500+ 285.34 грн
NVMFS5C404NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NT1GonsemiMOSFET T6-40V N 0.7 MOHMS SL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 593-602 дні (днів)
1+492.57 грн
10+ 433.46 грн
100+ 308.99 грн
500+ 265.04 грн
1500+ 263.04 грн
NVMFS5C404NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 49A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFS5C404NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 345A
товар відсутній
NVMFS5C404NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C404NWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NWFAFT1GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+395.45 грн
10+ 352.28 грн
100+ 250.39 грн
500+ 213.1 грн
1000+ 179.8 грн
1500+ 171.15 грн
3000+ 164.49 грн
NVMFS5C404NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.55 грн
10+ 298.84 грн
100+ 241.71 грн
500+ 201.63 грн
NVMFS5C404NWFAFT3GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
товар відсутній
NVMFS5C404NWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NWFAFT3GON SemiconductorT6 40V HEFET
товар відсутній
NVMFS5C404NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 0.7 MOHMS SL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.70mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C404NWFET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 0.7 MOHMS SL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.70mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C404NWFET1GonsemiMOSFET T6-40V N 0.7 MOHMS SL
товар відсутній
NVMFS5C404NWFET3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NWFT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 345A
товар відсутній
NVMFS5C404NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NWFT1G-KonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NWFT1G-MonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C404NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 53A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C404NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 345A
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5C404NWFT3G-KonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C406NLT1GonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 1200-1209 дні (днів)
1+342.62 грн
10+ 300.97 грн
100+ 214.43 грн
500+ 184.46 грн
1000+ 183.13 грн
1500+ 154.5 грн
NVMFS5C406NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+172.38 грн
3000+ 156.3 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C406NLT1GON SemiconductorMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5C406NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V
на замовлення 12368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.53 грн
10+ 269.57 грн
100+ 218.09 грн
500+ 181.93 грн
NVMFS5C406NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 52A/353A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 353A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7288 pF @ 20 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.09 грн
10+ 268.39 грн
100+ 217.14 грн
NVMFS5C406NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 52A/353A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 353A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7288 pF @ 20 V
товар відсутній
NVMFS5C406NT1GON Semiconductor
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS5C406NT1GON SemiconductorT6 40V SG NCH SO8FL HEFET
товар відсутній
NVMFS5C406NT1GON SemiconductorMOSFET T6 40V SG NCH SO8FL HEFET
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5C406NWFT1GON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVMFS5C406NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 52A/353A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 353A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7288 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C406NWFT1GonsemiMOSFET T6 40V SG NCH SO8FL HEFET
товар відсутній
NVMFS5C406NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 52A/353A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 353A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7288 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410Nonsemionsemi T6-40V N 0.92 MOHMS SL
товар відсутній
NVMFS5C410NAFT1GON Semiconductor
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS5C410NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NAFT1GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 418-427 дні (днів)
2+309.22 грн
10+ 256.55 грн
25+ 209.77 грн
100+ 180.47 грн
250+ 170.48 грн
500+ 159.82 грн
1000+ 137.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C410NAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NAFT3GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C410NAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 301500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.89 грн
10+ 208.38 грн
100+ 168.61 грн
500+ 140.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C410NLAFT1GON SemiconductorSingle N-Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVMFS5C410NLAFT1GON SemiconductorSingle N-Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVMFS5C410NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 301500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+133.27 грн
3000+ 120.84 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C410NLAFT1GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 433-442 дні (днів)
2+282.8 грн
10+ 233.58 грн
25+ 191.79 грн
100+ 163.82 грн
250+ 155.16 грн
500+ 145.84 грн
1000+ 125.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C410NLAFT3GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
товар відсутній
NVMFS5C410NLAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 48A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 48A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NLT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 315A 900MO
товар відсутній
NVMFS5C410NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 48A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NLT3GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 315A 900MO
товар відсутній
NVMFS5C410NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 48A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NLWFAFT1GON SemiconductorSingle N-Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVMFS5C410NLWFAFT1GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+309.99 грн
10+ 257.32 грн
25+ 223.09 грн
100+ 181.13 грн
250+ 180.47 грн
500+ 160.49 грн
1000+ 138.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C410NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.5 грн
10+ 225.72 грн
100+ 182.58 грн
500+ 152.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C410NLWFAFT1GON SemiconductorSingle N-Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVMFS5C410NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+144.31 грн
3000+ 130.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C410NLWFAFT3GonsemiMOSFET T6 40V HEFET
товар відсутній
NVMFS5C410NLWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NLWFET1GonsemiMOSFET T6 40V SO8FL
товар відсутній
NVMFS5C410NLWFET1GonsemiDescription: T6 40V SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C410NLWFET1GonsemiDescription: T6 40V SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C410NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 48A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 48A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NLWFT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 315A 900MO
товар відсутній
NVMFS5C410NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 48A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NLWFT3GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 315A 900MO
товар відсутній
NVMFS5C410NT1GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C410NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NT3GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C410NWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NWFAFT1GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 400-409 дні (днів)
1+337.96 грн
10+ 279.53 грн
25+ 235.74 грн
100+ 197.12 грн
250+ 191.12 грн
500+ 175.14 грн
1000+ 149.84 грн
NVMFS5C410NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+308.32 грн
10+ 249.17 грн
100+ 201.56 грн
500+ 168.13 грн
NVMFS5C410NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+159.31 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C410NWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NWFAFT3GON SemiconductorT6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C410NWFAFT3GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C410NWFET1GON SemiconductorPower MOSFET
товар відсутній
NVMFS5C410NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 0.92 MOHMS SL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NWFET1GonsemiMOSFET T6-40V N 0.92 MOHMS SL
товар відсутній
NVMFS5C410NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 0.92 MOHMS SL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NWFT1GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C410NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NWFT1G-MonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C410NWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C410NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C410NWFT3GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C420NLT1GonsemiMOSFET T6 40V LL
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.3 грн
10+ 191.46 грн
100+ 135.18 грн
500+ 119.87 грн
1500+ 102.55 грн
3000+ 96.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C420NLT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
товар відсутній
NVMFS5C420NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 45A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+116.08 грн
10+ 104.99 грн
25+ 97.61 грн
50+ 93.18 грн
100+ 76.07 грн
250+ 72.31 грн
500+ 60.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMFS5C420NLT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
товар відсутній
NVMFS5C420NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 45A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C420NLWFT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C420NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 45A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C420NLWFT1GonsemiMOSFET Power MOSFET, Single, N-Channel, 40 V, 1.0 mohm, 272 A Wettable Flank Option
на замовлення 10493 шт:
термін постачання 867-876 дні (днів)
2+253.28 грн
10+ 213.67 грн
100+ 154.5 грн
500+ 133.19 грн
1000+ 125.2 грн
1500+ 111.21 грн
3000+ 105.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C420NLWFT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C420NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 45A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C420NT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SO8FL,
товар відсутній
NVMFS5C420NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 43A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+153.5 грн
10+ 136.67 грн
25+ 135.38 грн
50+ 129.3 грн
100+ 101.63 грн
250+ 96.61 грн
500+ 95.65 грн
1000+ 94.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMFS5C420NT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SO8FL,
товар відсутній
NVMFS5C420NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 43A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C420NWFT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SO8FL,
товар відсутній
NVMFS5C420NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 43A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C420NWFT1GonsemiMOSFET Power MOSFET, N-Channel, SO8FL, 40 V, 1.1 mohm, 268 A Wettable Flank Option
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.28 грн
10+ 219.03 грн
100+ 156.49 грн
500+ 135.85 грн
1500+ 111.21 грн
3000+ 105.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C420NWFT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SO8FL,
товар відсутній
NVMFS5C420NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 43A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+109.02 грн
10+ 100.98 грн
25+ 96.08 грн
50+ 91.72 грн
100+ 75.7 грн
250+ 71.94 грн
500+ 71.22 грн
1000+ 70.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVMFS5C423NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+67.18 грн
3000+ 61.45 грн
7500+ 59.14 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C423NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C423NLAFT1GON Semiconductor
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS5C423NLAFT1GonsemiMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 840-849 дні (днів)
2+158.49 грн
10+ 140.15 грн
100+ 97.89 грн
500+ 80.58 грн
1500+ 65.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C423NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.91 грн
10+ 113.21 грн
100+ 90.1 грн
500+ 71.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS5C423NLAFT3GON SemiconductorT6 40V NCH LL IN SO8FL
товар відсутній
NVMFS5C423NLAFT3GON SemiconductorMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
товар відсутній
NVMFS5C423NLAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C423NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C423NLT1GON SemiconductorMOSFET T6-40V N 2 MOHMS LL
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5C423NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 126A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C423NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C423NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 126A
товар відсутній
NVMFS5C423NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C423NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C423NLWFAFT1GonsemiMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5C423NLWFAFT1GON Semiconductor
на замовлення 7362 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS5C423NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+61.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C423NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.94 грн
10+ 103.36 грн
100+ 82.31 грн
500+ 65.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS5C423NLWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C423NLWFAFT3GON SemiconductorMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
товар відсутній
NVMFS5C423NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C423NLWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 126A
товар відсутній
NVMFS5C423NLWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 126A
товар відсутній
NVMFS5C423NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C423NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NonsemiMOSFET T6-40V N 1.3 MOHMS SL
товар відсутній
NVMFS5C426NAFT1GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 495-504 дні (днів)
2+236.96 грн
10+ 196.05 грн
25+ 161.16 грн
100+ 137.18 грн
250+ 129.86 грн
500+ 122.53 грн
1000+ 104.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C426NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C426NAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.27 грн
10+ 176.54 грн
100+ 142.82 грн
500+ 119.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C426NAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NAFT3GON SemiconductorMOSFET - Power, Single N-Channel
товар відсутній
NVMFS5C426NAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C426NAFT3GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C426NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/237A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+122.23 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C426NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+178.68 грн
10+ 162.64 грн
25+ 157.44 грн
100+ 118.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMFS5C426NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 0.001 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+165.84 грн
500+ 133.88 грн
1500+ 119.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVMFS5C426NLT1GonsemiMOSFET 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN
товар відсутній
NVMFS5C426NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+192.43 грн
67+ 175.15 грн
69+ 169.55 грн
100+ 127.78 грн
Мінімальне замовлення: 61
NVMFS5C426NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/237A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.28 грн
10+ 191.11 грн
100+ 154.65 грн
500+ 129.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C426NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 0.001 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+275.66 грн
10+ 203.94 грн
100+ 165.84 грн
500+ 133.88 грн
1500+ 119.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS5C426NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/237A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+98.54 грн
3000+ 89.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C426NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/237A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.9 грн
10+ 154.14 грн
100+ 124.68 грн
500+ 104 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C426NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NLWFT1GonsemiMOSFET 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.44 грн
10+ 171.54 грн
25+ 141.18 грн
100+ 120.53 грн
250+ 113.87 грн
500+ 107.22 грн
1000+ 92.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C426NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C426NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NT1GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5C426NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C426NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NT3GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C426NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C426NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C426NWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NWFAFT1GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.11 грн
10+ 170.01 грн
25+ 143.84 грн
100+ 119.87 грн
250+ 116.54 грн
500+ 106.55 грн
1000+ 91.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C426NWFAFT1GON Semiconductor
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS5C426NWFAFT3GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C426NWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C426NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 1.3 MOHMS SL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C426NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 1.3 MOHMS SL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C426NWFET1GonsemiMOSFET T6-40V N 1.3 MOHMS SL
товар відсутній
NVMFS5C426NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NWFT1GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C426NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C426NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C426NWFT3GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C426NWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C426NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C430NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NAFT1GonsemiMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 1204-1213 дні (днів)
2+179.47 грн
10+ 147.04 грн
100+ 101.89 грн
500+ 85.91 грн
1000+ 73.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C430NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C430NAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NAFT3GonsemiMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
товар відсутній
NVMFS5C430NLAFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C430NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+118.78 грн
500+ 105.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVMFS5C430NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 145960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.77 грн
10+ 140.61 грн
100+ 111.93 грн
500+ 88.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C430NLAFT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 140A; Idm: 900A; 53W; DFN5x6
Mounting: SMD
Drain current: 140A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5x6
On-state resistance: 1.4mΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 53W
Gate charge: 32nC
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NVMFS5C430NLAFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C430NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.41 грн
10+ 156.13 грн
100+ 118.78 грн
500+ 105.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMFS5C430NLAFT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 140A; Idm: 900A; 53W; DFN5x6
Mounting: SMD
Drain current: 140A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5x6
On-state resistance: 1.4mΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 53W
Gate charge: 32nC
Polarisation: unipolar
товар відсутній
NVMFS5C430NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C430NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 145500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+83.45 грн
3000+ 76.34 грн
7500+ 73.47 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C430NLAFT1GonsemiMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.35 грн
10+ 156.23 грн
100+ 107.88 грн
250+ 99.89 грн
500+ 90.57 грн
1000+ 77.25 грн
1500+ 73.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C430NLAFT3GonsemiMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
товар відсутній
NVMFS5C430NLAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NLT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 200A
товар відсутній
NVMFS5C430NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C430NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 200A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 200A
товар відсутній
NVMFS5C430NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C430NLT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 200A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NLWFAFT1GonsemiMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.02 грн
10+ 148.57 грн
100+ 103.22 грн
250+ 102.55 грн
500+ 87.24 грн
1000+ 75.25 грн
1500+ 68.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C430NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C430NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NLWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NLWFAFT3GonsemiMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
товар відсутній
NVMFS5C430NLWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 1.4 MOHMS LL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
товар відсутній
NVMFS5C430NLWFET1GonsemiMOSFET T6-40V N 1.4 MOHMS LL
товар відсутній
NVMFS5C430NLWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 1.4 MOHMS LL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
товар відсутній
NVMFS5C430NLWFT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 200A
товар відсутній
NVMFS5C430NLWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 200A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 756000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFS5C430NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C430NLWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 200A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C430NLWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 200A
товар відсутній
NVMFS5C430NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C430NT1GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C430NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C430NT3GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C430NWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 35A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C430NWFAFT1GonsemiMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 488-497 дні (днів)
2+205.89 грн
10+ 182.27 грн
100+ 127.86 грн
500+ 104.55 грн
1000+ 85.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C430NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NWFAFT3GonsemiMOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
товар відсутній
NVMFS5C430NWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 1.7 MOHMS SL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C430NWFET1GonsemiMOSFET T6-40V N 1.7 MOHMS SL
товар відсутній
NVMFS5C430NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 1.7 MOHMS SL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C430NWFT1GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5C430NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 35A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C430NWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C430NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 35A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C430NWFT3GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C442NAFT1GON Semiconductor
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS5C442NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A/140A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5C442NAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 29A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C442NAFT1GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 1155-1164 дні (днів)
3+128.97 грн
10+ 105.68 грн
100+ 73.25 грн
500+ 61.73 грн
1000+ 52.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS5C442NAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A/140A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5C442NAFT3GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C442NLAFT1GonsemiMOSFET T6 40V S08FL
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 852-861 дні (днів)
3+126.64 грн
10+ 101.85 грн
100+ 73.92 грн
250+ 70.59 грн
500+ 61.27 грн
1000+ 51.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS5C442NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5C442NLAFT1GON SemiconductorMOSFET T6 40V S08FL
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5C442NLAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C442NLAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5C442NLAFT3GON SemiconductorT6 40V S08FL
товар відсутній
NVMFS5C442NLAFT3GonsemiMOSFET T6 40V S08FL
товар відсутній
NVMFS5C442NLAFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 29A 130A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5C442NLAFT3GON SemiconductorMOSFET T6 40V S08FL
товар відсутній
NVMFS5C442NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/127A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5C442NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS5C442NLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/127A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5C442NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C442NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C442NLT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.28 грн
10+ 118.7 грн
100+ 82.58 грн
250+ 75.92 грн
500+ 68.59 грн
1000+ 59.2 грн
1500+ 56.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS5C442NLT3GonsemiMOSFET NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO
товар відсутній
NVMFS5C442NLT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 27A SO8FL
товар відсутній
NVMFS5C442NLT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C442NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO
товар відсутній
NVMFS5C442NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C442NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C442NLWFAFT1GonsemiMOSFET T6 40V S08FL
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+159.27 грн
10+ 138.61 грн
100+ 96.56 грн
250+ 93.23 грн
500+ 79.91 грн
1000+ 68.59 грн
1500+ 61.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C442NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C442NLWFAFT3GON SemiconductorMOSFET T6 40V S08FL
товар відсутній
NVMFS5C442NLWFET1GonsemiMOSFET T6-40V N 2.5 MOHMS LL
товар відсутній
NVMFS5C442NLWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 27A SO8FL
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMFS5C442NLWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5C442NLWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C442NLWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO
товар відсутній
NVMFS5C442NLWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C442NLWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 27A SO8FL
товар відсутній
NVMFS5C442NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V SO8FL
товар відсутній
NVMFS5C442NT1GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C442NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 29A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C442NT3GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C442NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 29A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C442NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V SO8FL
товар відсутній
NVMFS5C442NWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 29A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C442NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A/140A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C442NWFAFT1GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C442NWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A/140A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C442NWFAFT3GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C442NWFAFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 29A/140A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C442NWFET1GonsemiMOSFET T6-40V N 2.3 MOHMS SL
товар відсутній
NVMFS5C442NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 2.3 MOHMS SL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+64 грн
3000+ 58.55 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS5C442NWFET1GON SemiconductorT6-40V N 2.3 MOHMS SL
товар відсутній
NVMFS5C442NWFET1GonsemiDescription: T6-40V N 2.3 MOHMS SL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.71 грн
10+ 107.87 грн
100+ 85.84 грн
500+ 68.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS5C442NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 29A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C442NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C442NWFT1GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5C442NWFT3GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C442NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 29A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C442NWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFS5C450NAFT1GonsemiMOSFET T6-D3F 40V NFET
на замовлення 13551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.02 грн
10+ 70.23 грн
100+ 47.48 грн
500+ 40.29 грн
1000+ 32.83 грн
1500+ 30.9 грн
3000+ 29.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMFS5C450NAFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 24A 102A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5C450NAFT1GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5C450NAFT3GON SemiconductorMOSFET T6-D3F 40V NFET
товар відсутній
NVMFS5C450NAFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 24A 102A 5DFN
товар відсутній
NVMFS5C450NLAFT1GON Semiconductor
на замовлення 8760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS5C450NLAFT1GON SemiconductorMOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5C450NLAFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V DFN5
товар відсутній
NVMFS5C450NLAFT3GON SemiconductorMOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
товар відсутній
NVMFS5C450NLAFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 110A U8FL
товар відсутній
NVMFS5C450NLT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 110A
на замовлення 10674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5C450NLT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 110A SO8FL
товар відсутній
NVMFS5C450NLT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 40V 110A
товар відсутній
NVMFS5C450NLT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 110A SO8FL
товар відсутній
NVMFS5C450NLWFAFT1GON SemiconductorMOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMFS5C450NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 110A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
товар відсутній
NVMFS5C450NLWFAFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 27A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C450NLWFAFT1GonsemiMOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
на замовлення 16450 шт:
термін постачання 1001-1010 дні (днів)
3+135.96 грн
10+ 113.34 грн
100+ 79.91 грн
500+ 67.93 грн
1500+ 53.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS5C450NLWFAFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 110A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
товар відсутній
NVMFS5C450NLWFAFT3GON SemiconductorMOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
товар відсутній