Продукція > RQ3

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.55 грн
6000+	28.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3C150BCTB

MOSFET Pch -20V -30A Si MOSFET

на замовлення 3548 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.02 грн
10+	77.35 грн
100+	52.01 грн
500+	43.02 грн
1000+	33.9 грн
3000+	31.7 грн
6000+	30.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ3C150BCTB

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V

на замовлення 9458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	76.36 грн
10+	60.07 грн
100+	46.73 грн
500+	37.18 грн
1000+	30.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ3C150BCTB

RQ3C150BCTB SMD P channel transistors

товар відсутній

RQ3E070BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3E070BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 10820 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

RQ3E070BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V

на замовлення 4367 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.26 грн
13+	23.03 грн
100+	13.8 грн
500+	11.99 грн
1000+	8.15 грн

Мінімальне замовлення: 10

RQ3E070BNTB

RQ3E070BNTB SMD N channel transistors

товар відсутній

RQ3E070BNTB1

MOSFET MOSFET

на замовлення 5979 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.03 грн
10+	56.98 грн
100+	38.69 грн
500+	31.96 грн
1000+	27.37 грн
3000+	23.24 грн
9000+	21.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

RQ3E075ATTB

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -30A; 15W; HSMT8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 15W
Case: HSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

RQ3E075ATTB

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT

на замовлення 1181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ3E075ATTB

MOSFET Pch -30V -18A Si MOSFET

на замовлення 2463 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	85.46 грн
10+	75.82 грн
100+	51.41 грн
500+	42.49 грн
1000+	33.56 грн
3000+	31.23 грн
6000+	29.7 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ3E075ATTB

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT

товар відсутній

RQ3E075ATTB

товар відсутній

RQ3E080BN

MOSFET

товар відсутній

RQ3E080BNTB

Description: ROHM - RQ3E080BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.011 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 14W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14W
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2913 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	32.87 грн
28+	26.82 грн
100+	18.3 грн
500+	12.76 грн

Мінімальне замовлення: 23

RQ3E080BNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

627+	18.63 грн
731+	15.97 грн
1000+	13 грн

Мінімальне замовлення: 627

RQ3E080BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3E080BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 14503 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.13 грн
12+	25.66 грн
100+	12.85 грн
1000+	9.19 грн
3000+	8.06 грн
9000+	7.26 грн
24000+	7.13 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ3E080BNTB

на замовлення 2913 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.3 грн
500+	12.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

RQ3E080BNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 5578 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

731+	15.97 грн
736+	15.87 грн
841+	13.89 грн
1000+	12.82 грн
3000+	11.34 грн

Мінімальне замовлення: 731

RQ3E080BNTB

RQ3E080BNTB SMD N channel transistors

товар відсутній

RQ3E080BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V

на замовлення 41389 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	37.46 грн
10+	29.41 грн
100+	20.05 грн
500+	14.11 грн
1000+	10.58 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ3E080GNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 423 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.07 грн
11+	30.1 грн
100+	17.85 грн
500+	13.59 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ3E080GNTB

RQ3E080GNTB SMD N channel transistors

товар відсутній

RQ3E080GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT

на замовлення 1048 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ3E080GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT

товар відсутній

RQ3E100ATTB

Description: MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.11 грн
6000+	21.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3E100ATTB

MOSFET RQ3E100AT is the high reliability transistor, suitable for switching applications.

на замовлення 2569 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.98 грн
10+	48.86 грн
100+	33.1 грн
500+	27.97 грн
1000+	22.84 грн
3000+	21.51 грн
6000+	20.44 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ3E100ATTB

Description: MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 7342 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.19 грн
10+	43.98 грн
100+	34.24 грн
500+	27.23 грн
1000+	22.18 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ3E100BN

MOSFET

товар відсутній

RQ3E100BNTB

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; Idm: 40A; 15W; HSMT8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 15W
Case: HSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

RQ3E100BNTB

Description: ROHM - RQ3E100BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0077 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

RQ3E100BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 83110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	27.37 грн
13+	22.27 грн
100+	15.48 грн
500+	11.34 грн
1000+	9.22 грн

Мінімальне замовлення: 11

RQ3E100BNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

696+	16.78 грн

Мінімальне замовлення: 696

RQ3E100BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 119483 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	27.43 грн
14+	22.97 грн
100+	14.92 грн
500+	11.72 грн
1000+	9.52 грн
3000+	8.06 грн
9000+	7.46 грн

Мінімальне замовлення: 12

RQ3E100BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.12 грн
6000+	8.33 грн
9000+	7.74 грн
30000+	7.09 грн
75000+	6.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3E100BNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

622+	18.78 грн
645+	18.11 грн
1000+	17.52 грн
2500+	16.39 грн

Мінімальне замовлення: 622

RQ3E100BNTB

товар відсутній

RQ3E100BNTB1

Description: NCH 30V 21A POWER MOSFET: RQ3E10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 8642 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.88 грн
10+	55.15 грн
100+	42.89 грн
500+	34.12 грн
1000+	27.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

RQ3E100BNTB1

MOSFET MOSFET

на замовлення 3333 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	82.35 грн
10+	73.06 грн
100+	49.55 грн
500+	40.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ3E100BNTB1

Description: NCH 30V 21A POWER MOSFET: RQ3E10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.95 грн
6000+	26.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3E100GNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 199 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	35.74 грн
10+	30.63 грн
100+	19.91 грн
500+	15.65 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ3E100GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT

товар відсутній

RQ3E100GNTB

Description: ROHM - RQ3E100GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0089 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 21
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 15
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0089
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

RQ3E100GNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

766+	15.24 грн
795+	14.7 грн
1000+	14.22 грн
2500+	13.3 грн

Мінімальне замовлення: 766

RQ3E100GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT

товар відсутній

RQ3E100GNTB

Description: ROHM - RQ3E100GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0089 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 15
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

RQ3E100MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

товар відсутній

RQ3E100MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

на замовлення 5261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	75.64 грн
10+	65.14 грн
100+	50.78 грн
500+	39.37 грн
1000+	31.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ3E100MNTB1

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 2532 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	83.13 грн
10+	67.01 грн
100+	45.35 грн
500+	38.49 грн
1000+	31.37 грн
3000+	28.97 грн
6000+	27.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ3E100MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.1 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3E110AJTB

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

на замовлення 13868 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.26 грн
10+	40.79 грн
100+	28.24 грн
500+	22.14 грн
1000+	18.85 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ3E110AJTB

MOSFET RQ3E110AJ is low on-resistance and Small Surface Mount Package MOSFET for switching application.

на замовлення 2954 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	52.75 грн
10+	45.34 грн
100+	27.3 грн
500+	22.77 грн
1000+	19.45 грн
3000+	17.25 грн
6000+	16.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ3E110AJTB

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; Idm: 44A; 15W; HSMT8
Case: HSMT8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
On-state resistance: 16.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 15W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 44A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

RQ3E110AJTB

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.57 грн
6000+	16.94 грн
9000+	15.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3E110AJTB

товар відсутній

RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB SMD P channel transistors

товар відсутній

RQ3E120ATTB

Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.48 грн
6000+	16.86 грн
9000+	15.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3E120ATTB

Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

на замовлення 21539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.98 грн
10+	40.58 грн
100+	28.09 грн
500+	22.03 грн
1000+	18.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ3E120ATTB

MOSFET -30V P-CHANNEL -12A

на замовлення 81757 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.45 грн
10+	44.26 грн
100+	27.5 грн
500+	22.97 грн
1000+	19.58 грн
3000+	17.31 грн
6000+	16.38 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ3E120BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ3E120BNTB

Description: ROHM - RQ3E120BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0066 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

RQ3E120BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 1831 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

RQ3E120BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

товар відсутній

RQ3E120GNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 11564 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

RQ3E120GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

товар відсутній

RQ3E120GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

на замовлення 2621 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ3E120GNTB

RQ3E120GNTB SMD N channel transistors

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

12+	23.85 грн
62+	15.65 грн
171+	14.82 грн

Мінімальне замовлення: 12

RQ3E120GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

на замовлення 2621 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ3E130BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.18 грн
10+	31.29 грн
100+	21.77 грн
500+	15.95 грн
1000+	12.97 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ3E130BNTB

RQ3E130BNTB SMD N channel transistors

товар відсутній

RQ3E130BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ3E130BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 2976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	40.48 грн
10+	31.32 грн
100+	20.51 грн
500+	16.05 грн
1000+	12.99 грн
3000+	11.05 грн
9000+	10.19 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ3E130MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT

на замовлення 2969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ3E130MNTB1

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 1499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.12 грн
10+	85.77 грн
100+	58.14 грн
500+	48.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ3E130MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

товар відсутній

RQ3E150BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

товар відсутній

RQ3E150BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ3E150BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 956 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

RQ3E150BNTB

RQ3E150BNTB SMD N channel transistors

товар відсутній

RQ3E150GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 15 V

на замовлення 19165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.62 грн
10+	32.39 грн
100+	22.5 грн
500+	16.48 грн
1000+	13.4 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ3E150GNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 599 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	39.62 грн
10+	31.4 грн
100+	17.18 грн
1000+	13.59 грн

Мінімальне замовлення: 8

RQ3E150GNTB

RQ3E150GNTB SMD N channel transistors

товар відсутній

RQ3E150GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 15 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.25 грн
6000+	12.11 грн
9000+	11.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3E150MNTB1

MOSFET

товар відсутній

RQ3E150MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

на замовлення 2355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ3E150MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

товар відсутній

RQ3E160ADTB

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 64A; 2W; HSMT8
Case: HSMT8
Mounting: SMD
On-state resistance: 7mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Pulsed drain current: 64A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 51nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

RQ3E160ADTB

Description: ROHM - RQ3E160ADTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0035 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26 грн

Мінімальне замовлення: 100

RQ3E160ADTB

товар відсутній

RQ3E160ADTB

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V

товар відсутній

RQ3E160ADTB

MOSFET Nch 30V 16A Middle Power MOSFET

на замовлення 2393 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	52.75 грн
10+	42.96 грн
100+	27.44 грн
500+	22.91 грн
1000+	19.51 грн
3000+	17.31 грн
6000+	16.38 грн

Мінімальне замовлення: 6

RQ3E160ADTB

на замовлення 2122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	58.05 грн
17+	46.17 грн
100+	30.78 грн
500+	27.54 грн
1000+	24.4 грн

Мінімальне замовлення: 13

RQ3E160ADTB

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ3E160ADTB1

Description: NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	48.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3E160ADTB1

MOSFET MOSFET

на замовлення 6990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.55 грн
10+	88.84 грн
100+	59.93 грн
500+	50.81 грн
1000+	46.48 грн
3000+	39.42 грн
9000+	36.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

RQ3E160ADTB1

Description: NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.82 грн
10+	97.95 грн
100+	76.39 грн
500+	59.22 грн
1000+	46.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

RQ3E180AJTB

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; Idm: 72A; 30W; HSMT8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 30W
Case: HSMT8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

RQ3E180AJTB

ROHM - Japan

MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8 8-PowerVDFN RQ3E180AJTB TRQ3e180ajtb
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	22.58 грн

Мінімальне замовлення: 30

RQ3E180AJTB

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V

на замовлення 16589 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	73.48 грн
10+	57.78 грн
100+	44.95 грн
500+	35.76 грн
1000+	29.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ3E180AJTB

товар відсутній

RQ3E180AJTB

MOSFET Nch 30V 18A Middle Power MOSFET

на замовлення 6171 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	80.02 грн
10+	64.87 грн
100+	43.82 грн
500+	37.16 грн
1000+	30.3 грн
3000+	28.5 грн
6000+	27.1 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ3E180AJTB

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.34 грн
6000+	27.83 грн
9000+	26.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3E180AJTB1

Description: NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.83 грн
10+	80.05 грн
100+	59.25 грн
500+	51.1 грн
1000+	42.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

RQ3E180AJTB1

MOSFET MOSFET

на замовлення 2458 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	106.44 грн
10+	86.54 грн
100+	58.07 грн
500+	49.21 грн
1000+	44.95 грн
3000+	38.22 грн
9000+	35.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

RQ3E180AJTB1

Description: NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3E180BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 2001 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.24 грн
10+	40.97 грн
100+	27.3 грн
500+	21.58 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ3E180BNTB

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3E180BNTB

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

на замовлення 5274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.66 грн
10+	37.25 грн
100+	25.79 грн
500+	20.22 грн
1000+	17.21 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ3E180BNTB

RQ3E180BNTB SMD N channel transistors

товар відсутній

RQ3E180BNTB1

Description: NCH 30V 39A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

на замовлення 2820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.11 грн
10+	79.7 грн
100+	59 грн
500+	50.88 грн
1000+	41.9 грн

Мінімальне замовлення: 3

RQ3E180BNTB1

MOSFET MOSFET

на замовлення 5885 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.65 грн
10+	96.49 грн
100+	65.66 грн
500+	55.47 грн
1000+	50.74 грн
3000+	43.09 грн
9000+	40.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

RQ3E180BNTB1

Description: NCH 30V 39A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

товар відсутній

RQ3E180GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3E180GNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.5 грн
10+	43.65 грн
100+	29.1 грн
500+	23.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ3E180GNTB

RQ3E180GNTB SMD N channel transistors

товар відсутній

RQ3E180GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V

на замовлення 4770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.38 грн
10+	37.67 грн
100+	26.1 грн
500+	20.47 грн
1000+	17.42 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ3G100GNTB

RQ3G100GNTB SMD N channel transistors

товар відсутній

RQ3G100GNTB

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 20 V

на замовлення 122311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.58 грн
10+	28.58 грн
100+	21.32 грн
500+	15.72 грн
1000+	12.15 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ3G100GNTB

MOSFET Nch 40V 10A Power MOSFET

на замовлення 18354 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.83 грн
10+	31.78 грн
100+	19.18 грн
500+	14.98 грн
1000+	12.19 грн
3000+	10.26 грн
9000+	9.52 грн

Мінімальне замовлення: 9

RQ3G100GNTB

Description: ROHM - RQ3G100GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.011 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 6248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	30.33 грн
29+	26.15 грн
100+	19.5 грн

Мінімальне замовлення: 25

RQ3G100GNTB

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 20 V

на замовлення 116812 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.26 грн
6000+	11.04 грн
15000+	10.28 грн
30000+	9.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3G110ATTB

Description: PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 20 V

на замовлення 8639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	101.57 грн
10+	81.02 грн
100+	64.49 грн
500+	51.21 грн
1000+	43.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

RQ3G110ATTB

MOSFET Pch -40V -35A, HSMT8, Power MOSFET

на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.1 грн
10+	91.13 грн
100+	63.2 грн
250+	61.47 грн
500+	52.74 грн
1000+	45.22 грн
3000+	42.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

RQ3G110ATTB

Description: PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.68 грн
6000+	42.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3G150GNTB

MOSFET Nch 40V 30Aw Si MOSFET

на замовлення 3708 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.9 грн
10+	80.41 грн
100+	54.01 грн
500+	44.68 грн
1000+	35.23 грн
3000+	33.16 грн
6000+	31.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ3G150GNTB

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT

на замовлення 1402 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

RQ3G150GNTB

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 39A; Idm: 60A; 20W; HSMT8
Power dissipation: 20W
Case: HSMT8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 24.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 39A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.9mΩ

товар відсутній

RQ3G150GNTB

товар відсутній

RQ3G150GNTB

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT

товар відсутній

RQ3L050GNTB

RQ3L050GNTB SMD N channel transistors

товар відсутній

RQ3L050GNTB

MOSFET Nch 60V 12A Si MOSFET

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

RQ3L070ATTB

Description: ROHM - RQ3L070ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.022 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm

на замовлення 2028 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	62.83 грн
500+	49.39 грн
1000+	34.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

RQ3L070ATTB

MOSFET Pch -60V -25A, HSMT8, Power MOSFET

на замовлення 10467 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.55 грн
10+	83.48 грн
100+	56.01 грн
500+	47.41 грн
1000+	38.62 грн
3000+	36.36 грн
6000+	34.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ3L070ATTB

Description: PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V

на замовлення 6716 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.37 грн
10+	74.43 грн
100+	57.87 грн
500+	46.04 грн
1000+	37.5 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ3L070ATTB

Description: ROHM - RQ3L070ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.022 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm

на замовлення 2028 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	112.06 грн
10+	85.91 грн
100+	62.83 грн
500+	49.39 грн
1000+	34.96 грн

Мінімальне замовлення: 7

RQ3L070ATTB

RQ3L070ATTB SMD P channel transistors

товар відсутній

RQ3L070ATTB

Description: PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.07 грн
6000+	35.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3L070BGTB1

MOSFET NCH 60V 20A, HSMT8G

на замовлення 5770 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.5 грн
10+	53.76 грн
100+	36.43 грн
500+	30.83 грн
1000+	28.24 грн
3000+	23.97 грн
6000+	22.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

RQ3L090GNTB

Description: MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 30 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.11 грн
6000+	41.27 грн
15000+	39.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3L090GNTB

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 36A; 20W; HSMT8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 20W
Case: HSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

RQ3L090GNTB

MOSFET Nch 60V 30A Middle Power MOSFET

на замовлення 5750 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.55 грн
10+	83.48 грн
100+	55.94 грн
500+	47.35 грн
1000+	38.56 грн
3000+	36.36 грн
6000+	34.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

RQ3L090GNTB

товар відсутній

RQ3L090GNTB

Description: MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 30 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.61 грн
10+	91.57 грн
100+	71.37 грн
500+	55.33 грн
1000+	43.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

RQ3P045ATTB1

MOSFET Pch -100V -14.5A Power MOSFET: RQ3P045AT is a low on-resistance MOSFET suitable for switching and load switches.

на замовлення 2910 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	110.32 грн
10+	90.37 грн
100+	62.93 грн
250+	57.67 грн
500+	52.34 грн
1000+	47.41 грн
3000+	41.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

RQ3P300BETB1

Description: MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT

товар відсутній

RQ3P300BETB1

Description: MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT

товар відсутній

RQ3P300BHTB1

Description: NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V

на замовлення 14405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	159.2 грн
10+	127.01 грн
100+	101.12 грн
500+	80.3 грн
1000+	68.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

RQ3P300BHTB1

RQ3P300BHTB1 SMD N channel transistors

товар відсутній

RQ3P300BHTB1

Description: NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	71.62 грн
6000+	66.38 грн
9000+	64.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

RQ3P300BHTB1