Продукція > ROHM > RQ3E160ADTB
RQ3E160ADTB

RQ3E160ADTB ROHM

rq3e160adtb-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ3E160ADTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0035 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ3E160ADTB ROHM

Description: ROHM - RQ3E160ADTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0035 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції RQ3E160ADTB за ціною від 16.34 грн до 57.9 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RQ3E160ADTB RQ3E160ADTB Виробник : ROHM Semiconductor ROHM_S_A0008265139_1-2562498.pdf MOSFET Nch 30V 16A Middle Power MOSFET
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.62 грн
10+ 42.85 грн
100+ 27.37 грн
500+ 22.85 грн
1000+ 19.46 грн
3000+ 17.27 грн
6000+ 16.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
RQ3E160ADTB RQ3E160ADTB Виробник : ROHM rq3e160adtb-e.pdf Description: ROHM - RQ3E160ADTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0035 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+57.9 грн
17+ 46.05 грн
100+ 30.7 грн
500+ 27.47 грн
1000+ 24.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
RQ3E160ADTB RQ3E160ADTB Виробник : Rohm Semiconductor rq3e160adtb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RQ3E160ADTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rq3e160adtb-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 64A; 2W; HSMT8
Case: HSMT8
Mounting: SMD
On-state resistance: 7mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Pulsed drain current: 64A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 51nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RQ3E160ADTB RQ3E160ADTB Виробник : Rohm Semiconductor rq3e160adtb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V
товар відсутній
RQ3E160ADTB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rq3e160adtb-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 64A; 2W; HSMT8
Case: HSMT8
Mounting: SMD
On-state resistance: 7mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Pulsed drain current: 64A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 51nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній