Продукція > T2N

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
T2N3055CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2.5MHz
товар відсутній
T2N3055CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2.5MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
T2N3055HVCDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 100W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 15A
Power dissipation: 100W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2.5MHz
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.67 грн
6+ 58.27 грн
18+ 45.78 грн
49+ 43.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
T2N3055HVCDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 100W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 15A
Power dissipation: 100W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2.5MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 380 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+100.4 грн
5+ 72.61 грн
18+ 54.94 грн
49+ 52.44 грн
500+ 49.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
T2N3773CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 16A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 16A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.71 грн
5+ 138.04 грн
8+ 102.67 грн
22+ 97.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
T2N3773CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 16A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 16A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 706 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+238.46 грн
5+ 172.02 грн
8+ 123.2 грн
22+ 116.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
T2N40E
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
T2N50
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
T2N5087CDILCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.625W; TO92; 2dB
Frequency: 40MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 250...800
Collector current: 50mA
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Noise Figure: 2dB
Mounting: THT
Case: TO92
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+5.98 грн
140+ 2.5 грн
470+ 1.73 грн
1290+ 1.63 грн
Мінімальне замовлення: 70
T2N5087CDILCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.625W; TO92; 2dB
Frequency: 40MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 250...800
Collector current: 50mA
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Noise Figure: 2dB
Mounting: THT
Case: TO92
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+7.17 грн
100+ 3.11 грн
470+ 2.07 грн
1290+ 1.96 грн
Мінімальне замовлення: 40
T2N5172CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.1A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 100...500
Mounting: THT
Frequency: 120MHz
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.17 грн
200+ 1.76 грн
500+ 1.59 грн
700+ 1.15 грн
1920+ 1.09 грн
Мінімальне замовлення: 120
T2N5172CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.1A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 100...500
Mounting: THT
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
80+3.8 грн
120+ 2.2 грн
500+ 1.91 грн
700+ 1.38 грн
1920+ 1.31 грн
Мінімальне замовлення: 80
T2N60E
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
T2N6257CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 20A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 200kHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 745 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+112.95 грн
5+ 97.68 грн
11+ 92.4 грн
25+ 84.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
T2N6257CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 20A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 200kHz
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.13 грн
5+ 78.39 грн
11+ 77 грн
25+ 70.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
T2N6371CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 15A; 117W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 15A
Power dissipation: 117W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 800Hz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 986 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+103.09 грн
5+ 88.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
T2N6371CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 15A; 117W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 15A
Power dissipation: 117W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 800Hz
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
T2N6371HVCDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 90W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 15A
Power dissipation: 90W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2.5MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 928 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+113.85 грн
5+ 99.41 грн
11+ 93.23 грн
25+ 84.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
T2N6371HVCDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 90W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 15A
Power dissipation: 90W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2.5MHz
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.87 грн
5+ 79.77 грн
11+ 77.69 грн
25+ 70.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
T2N7002AK,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23
товар відсутній
T2N7002AK,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 555369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.09 грн
43+ 6.59 грн
100+ 3.56 грн
500+ 2.62 грн
1000+ 1.82 грн
Мінімальне замовлення: 29
T2N7002AK,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23
товар відсутній
T2N7002AK,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 555000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.67 грн
6000+ 1.52 грн
9000+ 1.29 грн
30000+ 1.12 грн
75000+ 0.97 грн
150000+ 0.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
T2N7002AK,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
T2N7002AK,LMToshibaMOSFET Small-signal MOSFET
на замовлення 522315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+10.88 грн
42+ 7.35 грн
100+ 2.73 грн
1000+ 1.93 грн
3000+ 1.47 грн
9000+ 1.33 грн
24000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 29
T2N7002AK,LM(BToshibaT2N7002AK,LM(B
товар відсутній
T2N7002AK,LM(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
T2N7002AK,LM(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.76A; 320mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.76A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 30000 шт
товар відсутній
T2N7002AK,LM(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.76A; 320mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.76A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
T2N7002BKToshibaToshiba
товар відсутній
T2N7002BK,LMToshibaMOSFET Small Signal Mosfet
на замовлення 271896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+11.58 грн
41+ 7.58 грн
100+ 3 грн
1000+ 1.8 грн
3000+ 1.33 грн
9000+ 1.27 грн
24000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 27
T2N7002BK,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 326561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+10.81 грн
39+ 7.21 грн
100+ 3.91 грн
500+ 2.89 грн
1000+ 2 грн
Мінімальне замовлення: 27
T2N7002BK,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
T2N7002BK,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 321000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.84 грн
6000+ 1.67 грн
9000+ 1.42 грн
30000+ 1.24 грн
75000+ 1.07 грн
150000+ 0.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
T2N7002BK,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+10.43 грн
64+ 9.03 грн
167+ 3.34 грн
250+ 3.07 грн
500+ 2.92 грн
1000+ 1.93 грн
3000+ 1.45 грн
Мінімальне замовлення: 56
T2N7002BK,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
T2N7002BK,LM(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
T2N7002BK,LM(BToshibaT2N7002BK,LM(B
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1024+11.41 грн
1058+ 11.03 грн
2500+ 10.71 грн
5000+ 10.05 грн
Мінімальне замовлення: 1024
T2N7002BK,LM(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 1.2A; 320mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
110+3.55 грн
135+ 2.59 грн
405+ 1.98 грн
1115+ 1.87 грн
Мінімальне замовлення: 110
T2N7002BK,LM(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
T2N7002BK,LM(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1490+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 1490
T2N7002BK,LM(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5173+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 5173
T2N7002BK,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 320mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
на замовлення 14515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.48 грн
1000+ 1.31 грн
5000+ 1.24 грн
Мінімальне замовлення: 500
T2N7002BK,LM(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
T2N7002BK,LM(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 15000
T2N7002BK,LM(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 1.2A; 320mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
65+4.26 грн
100+ 3.22 грн
405+ 2.38 грн
1115+ 2.25 грн
Мінімальне замовлення: 65
T2N7002BK,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
на замовлення 14515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+13 грн
87+ 8.59 грн
197+ 3.81 грн
500+ 2.48 грн
1000+ 1.31 грн
5000+ 1.24 грн
Мінімальне замовлення: 58
T2N7002BKLM(TToshibaMOSFET
товар відсутній
t2nanoX-AL-E3930-2GADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Apollo Lake-I E3930, 2GB I-temp DDR3L, ETT -40~+85
товар відсутній
t2nanoX-BT-E3815-2G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3815 BAY TRAIL 2GB ETT
товар відсутній
t2nanoX-BT-E3815-2G/8G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3815 BAY TRAIL 2GB/8 ETT
товар відсутній
t2nanoX-BT-E3825-2GADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3825 at 1.33 GHz and 2GB non ECC DDR3L, ETT -40~+85
товар відсутній
t2nanoX-BT-E3825-2G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3825 BAY TRAIL 2GB ETT
товар відсутній
t2nanoX-BT-E3825-2G/8G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3825 BAY TRAIL 2GB/8 ETT
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
t2nanoX-BT-E3826-2G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3826 at 1.46 GHz and 2GB I-temp non ECC DDR3L, ETT -40~+85
товар відсутній
t2nanoX-BT-E3826-2G/8G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM EA) Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3826 at 1.46 GHz and 2GB non ECC DDR3L,and 8GB eMMC flash storage,ETT -40+85
товар відсутній
t2nanoX-BT-E3827-2G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3827 BAY TRAIL 2GB ETT
товар відсутній
t2nanoX-BT-E3827-2G/8G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3827 BAY TRAIL 2GB/8 ETT
товар відсутній
t2nanoX-BT-E3827-2G/8GBADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3827 at 1.75 GHz and 2GB non ECC DDR3, 8GB eMMC flash storage, ETT -40~+85
товар відсутній
t2nanoX-BT-E3845-2G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3845 BAY TRAIL 2GB ETT
товар відсутній
t2nanoX-BT-E3845-2G/8G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3845 BAY TRAIL 2GB/8 ETT
товар відсутній
t2nanoX-BT-E3845-4GADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3845 at 1.91 GHz and 4GB non ECC DDR3L, ETT -40 +85
товар відсутній