на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5173+ | 2.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис T2N7002BK,LM(T Toshiba
Description: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 320mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 320mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm.
Інші пропозиції T2N7002BK,LM(T за ціною від 1.24 грн до 12.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
T2N7002BK,LM(T | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
T2N7002BK,LM(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 320mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 320mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm |
на замовлення 14515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
T2N7002BK,LM(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 1.2A; 320mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.4A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.32W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.75Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.39nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
T2N7002BK,LM(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 1.2A; 320mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.4A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.32W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.75Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.39nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
T2N7002BK,LM(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
T2N7002BK,LM(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 320mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm |
на замовлення 13795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
T2N7002BK,LM(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
T2N7002BK,LM(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |