Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > 18N10
18N10

18N10 Goford Semiconductor

SOLDING_PROFILE.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 25A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1318 pF @ 50 V
FET Feature: Standard
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+11.96 грн
15000+ 10.63 грн
30000+ 9.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 18N10 Goford Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 25A TO-252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1318 pF @ 50 V, FET Feature: Standard, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V.

Інші пропозиції 18N10 за ціною від 11.72 грн до 5149.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
18N10 18N10 Виробник : Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=458 Description: N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1318 pF @ 50 V
FET Feature: Standard
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.42 грн
10+ 39.51 грн
100+ 27.33 грн
500+ 21.43 грн
1000+ 18.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
18N10 Виробник : GOFORD Semiconductor products-detail.php?ProId=458 SOLDING_PROFILE.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+14.13 грн
15000+ 13.04 грн
30000+ 11.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
18N-10 Виробник : API Technologies Corp 18natt.pdf Low Power Fixed Attenuator 18GHz 10dB 2-Pin
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+5149.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
18N10 18N10 Виробник : Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=458 Description: N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1318 pF @ 50 V
FET Feature: Standard
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товар відсутній
18N-10 Виробник : Spectrum Control RF Connectors / Coaxial Connectors ATTENUATOR 18N 18GHZ 10DB M/F
товар відсутній