1ED3241MC12HXUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesSingle-Channel Isolated Gate Driver with Two-Level Slew-Rate Control
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 156.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1ED3241MC12HXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1ED3241MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 18A, Treiberkonfiguration: High-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 18A, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 15V, Eingabeverzögerung: 110ns, Ausgabeverzögerung: 110ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Інші пропозиції 1ED3241MC12HXUMA1 за ціною від 110.82 грн до 277.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
1ED3241MC12HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Single-Channel Isolated Gate Driver with Two-Level Slew-Rate Control |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1ED3241MC12HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Single-Channel Isolated Gate Driver with Two-Level Slew-Rate Control |
на замовлення 2534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1ED3241MC12HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Single-Channel Isolated Gate Driver with Two-Level Slew-Rate Control |
на замовлення 2534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1ED3241MC12HXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3241MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 18A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 18A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 110ns Ausgabeverzögerung: 110ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1ED3241MC12HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers ISOLATED DRIVER |
на замовлення 1712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1ED3241MC12HXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3241MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 18A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 18A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED32xxMC12H productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 110ns Ausgabeverzögerung: 110ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 1ED3241MC12HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005407357 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
1ED3241MC12HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DGT ISO 5.7KV 1CH GT DVR DSO8-66 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 18A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 18A, 18A Voltage - Isolation: 5700Vrms Approval Agency: UL, VDE Supplier Device Package: PG-DSO-8-66 Rise / Fall Time (Typ): 9ns, 8.5ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns Pulse Width Distortion (Max): 5ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
1ED3241MC12HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DGT ISO 5.7KV 1CH GT DVR DSO8-66 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 18A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 18A, 18A Voltage - Isolation: 5700Vrms Approval Agency: UL, VDE Supplier Device Package: PG-DSO-8-66 Rise / Fall Time (Typ): 9ns, 8.5ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns Pulse Width Distortion (Max): 5ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V |
товар відсутній |