1N5062TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 13.58 грн |
| 10000+ | 12.14 грн |
| 25000+ | 11.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5062TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - 1N5062TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 50 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-57, Durchlassstoßstrom: 50A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.15V, Sperrverzögerungszeit: 4µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N5062, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції 1N5062TR за ціною від 11.47 грн до 44.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5062TR | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 800V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1N5062TR | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 800V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R |
на замовлення 22196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1N5062TR | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 800V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R |
на замовлення 22196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1N5062TR | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 800V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R |
на замовлення 21030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1N5062TR | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - 1N5062TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5062 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 67093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1N5062TR | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 2.0 Amp 800 Volt 50 Amp IFSM |
на замовлення 32004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1N5062TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V |
на замовлення 39054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1N5062TR | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - 1N5062TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 2 A, Einfach, 1.15 V, 4 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5062 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 67093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1N5062TR | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 800V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
1N5062-TR Код товару: 78158 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
 |
1N5062TR | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 800V 2A 4000ns 2-Pin SOD-57 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| 1N5062 TR | Виробник : Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE GENERAL PURPOSE TH Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: R-1, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: GPR-1A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 800 V |
товар відсутній |