2N2102 CDIL
Виробник: CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 1A; 1/5W; TO39; 6dB
Polarisation: bipolar
Case: TO39
Noise Figure: 6dB
Mounting: THT
Frequency: 60MHz
Collector-emitter voltage: 65V
Current gain: 10...120
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1/5W
Kind of package: bulk
на замовлення 5837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 53.65 грн |
| 11+ | 32.8 грн |
| 25+ | 19.72 грн |
| 55+ | 14.88 грн |
| 151+ | 14.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N2102 CDIL
Description: MULTICOMP PRO - 2N2102 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: TO-39, Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 60MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 2N2102 за ціною від 16.86 грн до 1996.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N2102 | Виробник : CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 1A; 1/5W; TO39; 6dB Polarisation: bipolar Case: TO39 Noise Figure: 6dB Mounting: THT Frequency: 60MHz Collector-emitter voltage: 65V Current gain: 10...120 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 1/5W Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5837 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N2102 | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N2102 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TO-39 Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N2102 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 65V 1A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 5 W |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N2102 Код товару: 139506 |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-39 Uceo,V: 65 V Ucbo,V: 120 V Ic,A: 1 А |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
 |
2N2102 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 65V 1A 3-Pin TO-5 |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
2N2102 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 65V 1A 3-Pin TO-39 Bag |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
2N2102 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 65V 1A 3-Pin TO-5 |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
2N2102 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 65V 1A TO39 Packaging: Tube Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 2nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 1 W |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
2N2102 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 65V 1A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 5 W |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
2N2102 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
2N2102 | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товар відсутній |
|||||||||||||
| 2N2102 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |