2N3019 CDIL
Виробник: CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.8/5W; TO39; 4dB
Mounting: THT
Case: TO39
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: bulk
Noise Figure: 4dB
Current gain: 100...300
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.8/5W
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 75.64 грн |
| 8+ | 48.82 грн |
| 25+ | 29.28 грн |
| 38+ | 21.77 грн |
| 102+ | 20.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3019 CDIL
Description: MULTICOMP PRO - 2N3019 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Single Transistor, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 400MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції 2N3019 за ціною від 24.62 грн до 1047.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N3019 | Виробник : CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.8/5W; TO39; 4dB Mounting: THT Case: TO39 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Kind of package: bulk Noise Figure: 4dB Current gain: 100...300 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.8/5W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 555 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N3019 | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N3019 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Single Transistor Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 2513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N3019 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N3019 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Bag |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2N3019 | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
на замовлення 578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| 2N3019 | Виробник : NTE Electronics, Inc. |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-5 |
на замовлення 875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| 2N3019 | Виробник : Central Semiconductor |
Біполярний транзистор NPN TO-39-3 Metal Can Uceo=80V; Ic=1A; f=100MHz; Pdmax=0,8W; hfemin=100 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| 2N3019 | Виробник : Broadcom / Avago |
Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
2N3019 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose |
товар відсутній |
|||||||||||||
| 2N3019 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
2N3019 | Виробник : Rectron |
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Planar Transistor |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
2N3019 Код товару: 119528 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
||||||||||||||
 |
2N3019 | Виробник : NTE Electronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 5W; TO5 Mounting: THT Case: TO5 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 80...400 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 5W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
2N3019 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Bag |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
2N3019 | Виробник : Rectron |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
2N3019 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Bag |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
2N3019 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
2N3019 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Bag |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
2N3019 | Виробник : Semelab |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-39 |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
2N3019 | Виробник : NTE Electronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 5W; TO5 Mounting: THT Case: TO5 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 80...400 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 5W |
товар відсутній |