2N7002DWS-7

2N7002DWS-7 Diodes Incorporated


2N7002DWS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.54 грн
6000+ 5.1 грн
9000+ 4.41 грн
30000+ 4.06 грн
75000+ 3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N7002DWS-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 290mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363.

Інші пропозиції 2N7002DWS-7 за ціною від 4.14 грн до 30.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N7002DWS-7 2N7002DWS-7 Виробник : Diodes Incorporated 2N7002DWS.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.18 грн
14+ 20.76 грн
100+ 10.47 грн
500+ 8.02 грн
1000+ 5.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7002DWS-7 Виробник : Diodes Zetex 2N7002DWS.pdf DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N7002DWS-7 Виробник : Diodes Inc 2n7002dws.pdf DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товар відсутній
2N7002DWS-7 2N7002DWS-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009691393_1-2543308.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товар відсутній