Продукція > ONSEMI > 2SB1201S-E
2SB1201S-E

2SB1201S-E onsemi

en2112-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
825+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 825
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1201S-E onsemi

Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції 2SB1201S-E за ціною від 20.46 грн до 69.2 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SB1201S-E 2SB1201S-E Виробник : onsemi EN2112_D-1803660.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.2 грн
10+ 60.27 грн
100+ 40.19 грн
500+ 31.75 грн
1000+ 22.98 грн
2500+ 21.32 грн
5000+ 20.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1201S-E 2SB1201S-E Виробник : ON Semiconductor 3755en2112-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товар відсутній
2SB1201S-E 2SB1201S-E Виробник : onsemi en2112-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній