Продукція > TOSHIBA > 2SJ168(TE85L,F)
2SJ168(TE85L,F)

2SJ168(TE85L,F) TOSHIBA


2SJ168.pdf Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.2A; 200mW; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -200mA
On-state resistance:
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2056 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+49.43 грн
11+ 33.66 грн
25+ 29.76 грн
30+ 27.33 грн
81+ 25.87 грн
500+ 25.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SJ168(TE85L,F) TOSHIBA

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.2A; 200mW; SC59, Mounting: SMD, Case: SC59, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -200mA, On-state resistance: 2Ω, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 0.2W, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції 2SJ168(TE85L,F) за ціною від 30.13 грн до 59.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SJ168(TE85L,F) 2SJ168(TE85L,F) Виробник : TOSHIBA 2SJ168.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.2A; 200mW; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -200mA
On-state resistance:
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.31 грн
7+ 41.94 грн
25+ 35.72 грн
30+ 32.8 грн
81+ 31.04 грн
500+ 30.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SJ168(TE85L,F) 2SJ168(TE85L,F) Виробник : Toshiba 7702sj168_en_datasheet_071101.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній