Продукція > NXP USA INC. > A2G26H281-04SR3
A2G26H281-04SR3

A2G26H281-04SR3 NXP USA Inc.


A2G26H281-04S.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A2G26H281-04SR3 NXP USA Inc.

RF JFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V.

Інші пропозиції A2G26H281-04SR3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
A2G26H281-04SR3 A2G26H281-04SR3 Виробник : NXP Semiconductors A2G26H281-04S-1627963.pdf RF JFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V
товар відсутній