AFGHL25T120RLD onsemi
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 480.85 грн |
| 10+ | 426.13 грн |
| 100+ | 303.83 грн |
| 450+ | 237.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFGHL25T120RLD onsemi
Description: 1200V/25A FSII IGBT LOW VCESAT T, Packaging: Tray, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 159 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27.2ns/116ns, Switching Energy: 1.94mJ (on), 730µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 277 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 48 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 400 W.
Інші пропозиції AFGHL25T120RLD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| AFGHL25T120RLD | Виробник : ON Semiconductor |
 IGBT - Automotive Grade 1200 V 25 A IGBT - 1200 V 25 A |
товар відсутній |
||
 |
AFGHL25T120RLD | Виробник : onsemi |
Description: 1200V/25A FSII IGBT LOW VCESAT T Packaging: Tray Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 159 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27.2ns/116ns Switching Energy: 1.94mJ (on), 730µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 277 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 48 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 400 W |
товар відсутній |