Продукція > ONSEMI > AFGHL50T65SQ
AFGHL50T65SQ

AFGHL50T65SQ onsemi


afghl50t65sq-d.pdf Виробник: onsemi
Description: AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/81ns
Switching Energy: 950µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1094 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+288.66 грн
30+ 219.87 грн
120+ 188.45 грн
510+ 157.21 грн
1020+ 134.61 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFGHL50T65SQ onsemi

Description: AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/81ns, Switching Energy: 950µJ (on), 460µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 99 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AFGHL50T65SQ за ціною від 130.78 грн до 312.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AFGHL50T65SQ AFGHL50T65SQ Виробник : onsemi AFGHL50T65SQ_D-2309665.pdf IGBT Transistors 650V50A FS4 IGBT TO-247LL
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+312.86 грн
10+ 259.02 грн
25+ 181.64 грн
250+ 161.83 грн
450+ 138.05 грн
900+ 130.78 грн
AFGHL50T65SQ Виробник : ON Semiconductor afghl50t65sq-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товар відсутній
AFGHL50T65SQ AFGHL50T65SQ Виробник : ONSEMI 3005706.pdf Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 mW, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Verlustleistung: 268
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній