на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 303.61 грн |
10+ | 297.76 грн |
25+ | 220.61 грн |
100+ | 203.44 грн |
250+ | 200.13 грн |
450+ | 171.07 грн |
900+ | 166.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFGHL50T65SQD onsemi
Description: AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/81ns, Switching Energy: 950µJ (on), 460µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 102 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AFGHL50T65SQD за ціною від 198.15 грн до 367.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AFGHL50T65SQD | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 268W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
AFGHL50T65SQD | Виробник : onsemi |
Description: AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/81ns Switching Energy: 950µJ (on), 460µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 102 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 268 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
AFGHL50T65SQD | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 340 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
AFGHL50T65SQD | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail |
товар відсутній |
||||||||||||
AFGHL50T65SQD | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail |
товар відсутній |