AFGHL50T65SQDC onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17.6ns/94.4ns
Switching Energy: 131µJ (on), 96µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 238 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 713.78 грн |
| 30+ | 548.64 грн |
| 120+ | 490.89 грн |
| 510+ | 406.48 грн |
| 1020+ | 365.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFGHL50T65SQDC onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 17.6ns/94.4ns, Switching Energy: 131µJ (on), 96µJ (off), Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 94 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 238 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AFGHL50T65SQDC за ціною від 402.02 грн до 791.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AFGHL50T65SQDC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQDC - IGBT, 100 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85423990 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A |
на замовлення 433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AFGHL50T65SQDC | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 467 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
AFGHL50T65SQDC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 238000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
AFGHL50T65SQDC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 238W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
AFGHL50T65SQDC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 238W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
AFGHL50T65SQDC | Виробник : onsemi |
IGBT Transistors Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD |
товар відсутній |