AFGHL75T65SQ onsemi
Виробник: onsemi
Description: IGBT WITH SIC COPACK DIODE IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/106ns
Switching Energy: 1.86mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 139 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
Qualification: AEC-Q101
Description: IGBT WITH SIC COPACK DIODE IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/106ns
Switching Energy: 1.86mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 139 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 370.82 грн |
30+ | 282.94 грн |
120+ | 242.52 грн |
510+ | 202.31 грн |
1020+ | 173.23 грн |
2010+ | 163.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFGHL75T65SQ onsemi
Description: IGBT WITH SIC COPACK DIODE IGBT, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 25ns/106ns, Switching Energy: 1.86mJ (on), 1.13mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 139 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 375 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AFGHL75T65SQ за ціною від 167.77 грн до 433.46 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AFGHL75T65SQ | Виробник : onsemi | IGBT Transistors 650V 75A FS4 IGBT TO-247LL |
на замовлення 443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AFGHL75T65SQ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGHL75T65SQ - IGBT, 75 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AFGHL75T65SQ | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
AFGHL75T65SQ | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW Rail |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
AFGHL75T65SQ | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
AFGHL75T65SQ | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail |
товар відсутній |