на замовлення 450 шт:
термін постачання 421-430 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 444.63 грн |
| 10+ | 397.26 грн |
| 25+ | 303.83 грн |
| 100+ | 272.13 грн |
| 250+ | 263.54 грн |
| 450+ | 239.77 грн |
| 900+ | 206.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFGHL75T65SQDT onsemi
Description: 650V/75A FS4 IGBT TO247 L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/106ns, Switching Energy: 2.12mJ (on), 1.14mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 136 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 375 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AFGHL75T65SQDT за ціною від 310.3 грн до 490.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AFGHL75T65SQDT | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - AFGHL75T65SQDT - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| AFGHL75T65SQDT | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 105 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
AFGHL75T65SQDT | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
AFGHL75T65SQDT | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
AFGHL75T65SQDT | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
AFGHL75T65SQDT | Виробник : onsemi |
Description: 650V/75A FS4 IGBT TO247 L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/106ns Switching Energy: 2.12mJ (on), 1.14mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 136 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 375 W Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |