Продукція > ONSEMI > AFGY100T65SPD
AFGY100T65SPD

AFGY100T65SPD onsemi

AFGY100T65SPD_D-2310014.pdf Виробник: onsemi
IGBT Transistors IGBT - 650 V 100 A FS3 for EV traction inverter application IGBT - 650 V 100 A FS3
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 874-883 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+860.76 грн
10+ 714.77 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFGY100T65SPD onsemi

Description: IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 105 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/78ns, Switching Energy: 5.1mJ (on), 2.7mJ (off), Test Condition: 400V, 100A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 109 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 660 W.

Інші пропозиції AFGY100T65SPD

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AFGY100T65SPD Виробник : ON Semiconductor afgy100t65spd-d.pdf
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AFGY100T65SPD AFGY100T65SPD Виробник : ONSEMI 3168451.pdf Description: ONSEMI - AFGY100T65SPD - IGBT, 100 A, 1.6 V, 660 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 660
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 100
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
AFGY100T65SPD AFGY100T65SPD Виробник : ONSEMI AFGY100T65SPD-D.PDF Description: ONSEMI - AFGY100T65SPD - IGBT, 650V, 120A, To-247, AEC-Q101, 1.6Vsat
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 660
Anzahl der Pins: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Kollektorstrom: 120
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
AFGY100T65SPD AFGY100T65SPD Виробник : onsemi afgy100t65spd-d.pdf Description: IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/78ns
Switching Energy: 5.1mJ (on), 2.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 660 W
товар відсутній