AFGY120T65SPD ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - AFGY120T65SPD - IGBT, 120 A, 1.6 V, 714 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 886.19 грн |
| 5+ | 805.42 грн |
| 10+ | 723.92 грн |
| 50+ | 635.05 грн |
| 100+ | 551.91 грн |
| 250+ | 534.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFGY120T65SPD ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGY120T65SPD - IGBT, 120 A, 1.6 V, 714 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 714W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A.
Інші пропозиції AFGY120T65SPD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AFGY120T65SPD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 160A 714mW Automotive Tube |
товар відсутній |
|
 |
AFGY120T65SPD | Виробник : onsemi |
Description: IGBT - 650 V 120 A FS3 FOR EV TR |
товар відсутній |
|
| AFGY120T65SPD | Виробник : onsemi |
IGBT Transistors FS3 IGBT 650V/120A AND AUTO STEALTH DIODE |
товар відсутній |