AIKB40N65DH5ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - AIKB40N65DH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 250W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 74A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 221.87 грн |
| 500+ | 193.54 грн |
| 1000+ | 153.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIKB40N65DH5ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - AIKB40N65DH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V, Verlustleistung Pd: 250W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 74A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A.
Інші пропозиції AIKB40N65DH5ATMA1 за ціною від 153.04 грн до 383.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AIKB40N65DH5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT NPT 650V 40A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V |
на замовлення 1954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AIKB40N65DH5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AIKB40N65DH5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AIKB40N65DH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| AIKB40N65DH5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP001686008 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
AIKB40N65DH5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT NPT 650V 40A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V |
товар відсутній |