AIKP20N60CTAKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 14130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 160+ | 125.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIKP20N60CTAKSA1 Infineon Technologies
Description: IC DISCRETE 600V TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns, Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 156 W.
Інші пропозиції AIKP20N60CTAKSA1 за ціною від 178.97 грн до 331.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AIKP20N60CTAKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 156W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
AIKP20N60CTAKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 156W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 406 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| AIKP20N60CTAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology |
товар відсутній |
||||||||||||||
| AIKP20N60CTAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
AIKP20N60CTAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC DISCRETE 600V TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 156 W |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
AIKP20N60CTAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors DISCRETES |
товар відсутній |