AO4262E ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 53.71 грн |
| 15+ | 23.38 грн |
| 25+ | 21.02 грн |
| 42+ | 19.35 грн |
| 115+ | 18.31 грн |
| 500+ | 18.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AO4262E ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 16.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1652 pF @ 30 V.
Інші пропозиції AO4262E за ціною від 21.89 грн до 64.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AO4262E | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 13A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2001 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AO4262E | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 16.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
AO4262E | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 16.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
AO4262E | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 16.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1652 pF @ 30 V |
товар відсутній |