AO4296 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.5nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AO4296 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.5A; 2W; SO8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 10.5A, Power dissipation: 2W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 8.3mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 18.5nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції AO4296
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AO4296 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC |
товар відсутній |
|
|
|
AO4296 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18.5nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |