AO4442


AOSGreenPolicy.pdf Виробник: AO
07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AO4442 AO

Description: MOSFET N-CH 75V 3.1A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 37.5 V.

Інші пропозиції AO4442

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AO4442 Виробник : AO AOSGreenPolicy.pdf SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AO4442 Виробник : AOSMD AOSGreenPolicy.pdf
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AO4442
Код товару: 164655
AOSGreenPolicy.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
AO4442 AO4442 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor ao4442.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 3.1A 8-Pin SOIC
товар відсутній
AO4442 AO4442 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor ao4442.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 3.1A 8-Pin SOIC
товар відсутній
AO4442 AO4442 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOSGreenPolicy.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 3.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 37.5 V
товар відсутній