AO4447A Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 15 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 24.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AO4447A Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 15 V.
Інші пропозиції AO4447A за ціною від 22.09 грн до 64.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AO4447A | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AO4447A | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AO4447A | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AO4447A | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 15 V |
на замовлення 47733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AO4447A | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -13A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AO4447A | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -13A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1525 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AO4447A | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
AO4447A | Виробник : ALPHA&OMEGA |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8,2mOhm; 18,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; AO4447A TAO4447a кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AO4447A |
на замовлення 88000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
AO4447A | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |