AO4884 ALPHA&OMEGA


AO4884.pdf Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 20mOhm; 10A; 2W; -55°C ~ 150°C; AO4884 TAO4884
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 25
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AO4884 ALPHA&OMEGA

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції AO4884

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AO4884 AO4884 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor ao4884.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
AO4884 AO4884 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor ao4884.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
AO4884 AO4884 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AO4884-DTE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 8A; 1.3W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AO4884 AO4884 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4884.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
AO4884 AO4884 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AO4884-DTE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 8A; 1.3W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній