AOSP32368

AOSP32368 Alpha & Omega Semiconductor Inc.


AOSP32368.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOSP32368 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 15 V.

Інші пропозиції AOSP32368 за ціною від 13.12 грн до 38.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AOSP32368 AOSP32368 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOSP32368.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 15 V
на замовлення 6364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.28 грн
10+ 31.71 грн
100+ 22.03 грн
500+ 16.14 грн
1000+ 13.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
AOSP32368 AOSP32368 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor 4620052674884372aosp32368.pdf 30V N-Channel MOSFET
товар відсутній
AOSP32368 AOSP32368 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOSP32368.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 12A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AOSP32368 AOSP32368 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOSP32368.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 12A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
товар відсутній