AOSS21311C

AOSS21311C Alpha & Omega Semiconductor


aoss21311c.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+26.4 грн
6000+ 21.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOSS21311C Alpha & Omega Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V.

Інші пропозиції AOSS21311C за ціною від 6.56 грн до 29.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AOSS21311C AOSS21311C Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aoss21311c.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+28.43 грн
6000+ 23.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSS21311C Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOSS21311C.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.61 грн
14+ 20.1 грн
100+ 10.13 грн
500+ 8.42 грн
1000+ 6.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
AOSS21311C AOSS21311C Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aoss21311c.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
AOSS21311C AOSS21311C Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOSS21311C.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 6000 шт
товар відсутній
AOSS21311C Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOSS21311C.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
товар відсутній
AOSS21311C AOSS21311C Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOSS21311C.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній