на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOSS32136C Alpha & Omega Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V.
Інші пропозиції AOSS32136C за ціною від 4.1 грн до 30.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AOSS32136C | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V |
на замовлення 213000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
AOSS32136C | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5A; Idm: 38A; 800mW; SOT23 Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Polarisation: unipolar Gate charge: 14nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 38A Drain-source voltage: 20V Drain current: 5A On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 1027 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
AOSS32136C | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5A; Idm: 38A; 800mW; SOT23 Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Polarisation: unipolar Gate charge: 14nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 38A Drain-source voltage: 20V Drain current: 5A On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1027 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
AOSS32136C | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V |
на замовлення 216166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
AOSS32136C | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
20V N-Channel MOSFET |
товар відсутній |