AOT12N40L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 7A; 184W; TO220
Case: TO220
Mounting: THT
Power dissipation: 184W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 7A
On-state resistance: 590mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 7A; 184W; TO220
Case: TO220
Mounting: THT
Power dissipation: 184W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 7A
On-state resistance: 590mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 51.46 грн |
10+ | 45.55 грн |
21+ | 40.13 грн |
56+ | 37.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOT12N40L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CH 400V 11A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 590mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 184W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V.
Інші пропозиції AOT12N40L за ціною від 45.48 грн до 74.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOT12N40L | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 7A; 184W; TO220 Case: TO220 Mounting: THT Power dissipation: 184W Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 400V Drain current: 7A On-state resistance: 590mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 440 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
AOT12N40L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 400V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товар відсутній |
||||||||||||||
AOT12N40L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 400V 11A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 590mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 184W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V |
товар відсутній |