AOT2618L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; 20.5W; TO220
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 20.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; 20.5W; TO220
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 20.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 62.91 грн |
9+ | 42.28 грн |
23+ | 35.26 грн |
63+ | 33.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOT2618L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CH 60V 7A/23A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 30 V.
Інші пропозиції AOT2618L за ціною від 38.47 грн до 75.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOT2618L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 7A/23A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 30 V |
на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
AOT2618L | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; 20.5W; TO220 Drain-source voltage: 60V Drain current: 18A On-state resistance: 19mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 20.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 496 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
AOT2618L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товар відсутній |