AOT410L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; 167W; TO220
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Gate charge: 107nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO220
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 108A
On-state resistance: 6.5mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; 167W; TO220
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Gate charge: 107nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO220
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 108A
On-state resistance: 6.5mΩ
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 140.8 грн |
5+ | 117.53 грн |
9+ | 93.19 грн |
24+ | 88.32 грн |
250+ | 86.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOT410L ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/150A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 333W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7950 pF @ 50 V.
Інші пропозиції AOT410L за ціною від 69.95 грн до 181.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOT410L | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; 167W; TO220 Polarisation: unipolar Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 167W Gate charge: 107nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Case: TO220 Drain-source voltage: 100V Drain current: 108A On-state resistance: 6.5mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 493 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOT410L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/150A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7950 pF @ 50 V |
на замовлення 3666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOT410L | Виробник : ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 11mOhm; 150A; 333W; -55°C ~ 175°C; AOT410L TAOT410l кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOT410L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AOT410L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |