APT1003RBFLLG Microchip Technology
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 846.26 грн |
10+ | 833.41 грн |
100+ | 664.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT1003RBFLLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 7®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 4A, Pulsed drain current: 16A, Power dissipation: 139W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 3Ω, Mounting: THT, Gate charge: 34nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT1003RBFLLG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APT1003RBFLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 139W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
APT1003RBFLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 139W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |