APT1003RSFLLG Microchip Technology
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 862.54 грн |
| 100+ | 735.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT1003RSFLLG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1000V 4A D3PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: D3 [S], Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 694 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT1003RSFLLG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT1003RSFLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; D3PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 139W Case: D3PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
APT1003RSFLLG | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1000V 4A D3PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: D3 [S] Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 694 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
APT1003RSFLLG | Виробник : Microchip / Microsemi | MOSFET FG, FREDFET, 1000V, D3, RoHS, TO-268 |
товар відсутній |
|
|
|
APT1003RSFLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; D3PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 139W Case: D3PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |