APT10045LLLG

APT10045LLLG MICROCHIP (MICROSEMI)


Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 565W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 154nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT10045LLLG MICROCHIP (MICROSEMI)

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO264, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 7®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 23A, Pulsed drain current: 92A, Power dissipation: 565W, Case: TO264, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.45Ω, Mounting: THT, Gate charge: 154nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT10045LLLG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT10045LLLG Виробник : Microchip / Microsemi Discrete Semiconductor Modules FG, MOSFET,1000V, TO-264, RoHS
товар відсутній
APT10045LLLG APT10045LLLG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 23A; Idm: 92A; 565W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 565W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 154nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній