APT10050B2VFRG Microchip Technology
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1832.04 грн |
| 100+ | 1559.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT10050B2VFRG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 21A, Pulsed drain current: 84A, Power dissipation: 520W, Case: TO247MAX, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.5Ω, Mounting: THT, Gate charge: 500nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT10050B2VFRG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT10050B2VFRG | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 21A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
товар відсутній |
|
 |
APT10050B2VFRG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 1KV 21A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
товар відсутній |
|
| APT10050B2VFRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 21A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 520W Case: TO247MAX Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 500nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| APT10050B2VFRG | Виробник : MICROSEMI |
T-MAX/POWER FREDFET - MOS5 APT10050 кількість в упаковці: 30 шт |
товар відсутній |
||
| APT10050B2VFRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 21A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 520W Case: TO247MAX Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 500nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |