APT100GN60LDQ4G Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
IGBT Transistors IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-246
IGBT Transistors IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-246
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1077.21 грн |
| 100+ | 917.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT100GN60LDQ4G Microchip Technology
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 135A; 625W; TO264, Mounting: THT, Collector-emitter voltage: 600V, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 135A, Pulsed collector current: 300A, Turn-on time: 96ns, Turn-off time: 435ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 625W, Kind of package: tube, Gate charge: 600nC, Case: TO264, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT100GN60LDQ4G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
APT100GN60LDQ4G | Виробник : Microchip / Microsemi | IGBT Transistors FG, IGBT, 600V, TO-264, RoHS |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
APT100GN60LDQ4G | Виробник : Microchip Technology |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 229A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
товар відсутній |
|
 |
APT100GN60LDQ4G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 135A; 625W; TO264 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 135A Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 96ns Turn-off time: 435ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 625W Kind of package: tube Gate charge: 600nC Case: TO264 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
| APT100GN60LDQ4G | Виробник : MICROSEMI |
TO264/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - COMBI APT100GN60 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
|
|
APT100GN60LDQ4G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 135A; 625W; TO264 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 135A Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 96ns Turn-off time: 435ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 625W Kind of package: tube Gate charge: 600nC Case: TO264 |
товар відсутній |