APT100GT120JRDQ4 Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 123 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 570 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.85 nF @ 25 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4213.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT100GT120JRDQ4 Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 123 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 570 W, Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.85 nF @ 25 V.
Інші пропозиції APT100GT120JRDQ4 за ціною від 3791.98 грн до 4455.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT100GT120JRDQ4 | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Modules IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 100 A SOT-227 |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
APT100GT120JRDQ4 | Виробник : Microchip / Microsemi |
IGBT Modules FG, IGBT-COMBI,1200V,100A, SOT-227 |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||
 |
APT100GT120JRDQ4 | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 123A 570000mW 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
|||||||
| APT100GT120JRDQ4 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 67A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 67A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Technology: NPT; Thunderblot IGBT® Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
| APT100GT120JRDQ4 | Виробник : MICROSEMI |
SOT227/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY COMBI APT100GT120 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
| APT100GT120JRDQ4 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 67A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 67A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Technology: NPT; Thunderblot IGBT® Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |