APT10M25BVRG Microchip Technology
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 720.72 грн |
100+ | 613.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT10M25BVRG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT10M25BVRG за ціною від 1106.38 грн до 1191.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT10M25BVRG | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
APT10M25BVRG | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
APT10M25BVRG | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||
APT10M25BVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 75A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
APT10M25BVRG | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||
APT10M25BVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 75A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |