APT1201R2BFLLG Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1810.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT1201R2BFLLG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT1201R2BFLLG за ціною від 1650.78 грн до 1938.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT1201R2BFLLG | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET FREDFET MOS7 1200 V 1.2 Ohm TO-247 |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
APT1201R2BFLLG | Виробник : Microchip / Microsemi |
MOSFET FG, FREDFET, 1200V, TO-247, RoHS |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||
 |
APT1201R2BFLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 48A; 403W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 12A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 403W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
| APT1201R2BFLLG | Виробник : MICROSEMI |
TO-247 [B]POWER FREDFET - MOS7 кількість в упаковці: 30 шт |
товар відсутній |
||||||||
|
|
APT1201R2BFLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 48A; 403W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 12A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 403W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |