APT1201R4SFLLG Microchip / Microsemi
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT1201R4SFLLG Microchip / Microsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; Idm: 36A; 300W; D3PAK, On-state resistance: 1.5Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 300W, Polarisation: unipolar, Mounting: SMD, Gate charge: 75nC, Technology: POWER MOS 7®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Case: D3PAK, Pulsed drain current: 36A, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 9A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT1201R4SFLLG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT1201R4SFLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; Idm: 36A; 300W; D3PAK On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Gate charge: 75nC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Case: D3PAK Pulsed drain current: 36A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 9A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
APT1201R4SFLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; Idm: 36A; 300W; D3PAK On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Gate charge: 75nC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Case: D3PAK Pulsed drain current: 36A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 9A |
товар відсутній |